×

Автор РИД: Левин Роман Викторович

Показаны записи 1-4 из 4.
26.08.2017
№217.015.da8c

Способ получения антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, применяемым в производстве полупроводниковых приборов. В способе изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623832
Дата охранного документа: 29.06.2017
25.08.2017
№217.015.aaa3

Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам создания наногетероструктур для фотопреобразующих и светоизлучающих устройств. Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой включает выращивание на подложке GaSb газофазной эпитаксией из металлоорганических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611692
Дата охранного документа: 28.02.2017
13.01.2017
№217.015.919e

Фотоэлектрический преобразователь

Изобретение относится к электронной технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям солнечной энергии. Фотоэлектрический преобразователь на основе изотипной варизонной гетероструктуры из полупроводниковых соединений A3B5 и/или A2B6 содержит полупроводниковую подложку и изотипный с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002605839
Дата охранного документа: 27.12.2016
27.05.2013
№216.012.4592

Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки

Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники. Способ предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия включает удаление с поверхности подложки оксидного слоя, очистку поверхности германия от неорганических загрязнений и пассивацию поверхности подложки....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483387
Дата охранного документа: 27.05.2013
+ добавить свой РИД