×

Автор РИД: Кудряшов Дмитрий Александрович

Показаны записи 1-2 из 2.
26.08.2017
№217.015.ddee

Фотоэлектрический преобразователь на основе полупроводниковых соединений abc , сформированных на кремниевой подложке

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции и составу слоев фотоэлектрических преобразователей с несколькими переходами. Задачей заявляемого изобретения является создание фотоэлектрического преобразователя с несколькими р-n-переходами, отличающегося повышенным КПД за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624831
Дата охранного документа: 07.07.2017
27.05.2013
№216.012.4592

Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки

Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники. Способ предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия включает удаление с поверхности подложки оксидного слоя, очистку поверхности германия от неорганических загрязнений и пассивацию поверхности подложки....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483387
Дата охранного документа: 27.05.2013
+ добавить свой РИД