×
17.06.2023
223.018.811f

Результат интеллектуальной деятельности: Монокристаллический материал для твердотельной дозиметрии

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к материалам для термодозиметрических устройств, которые могут быть использованы в качестве твердотельных термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений. Монокристаллический материал для твердотельной дозиметрии - фторидоборат с «антицеолитной» структурой - характеризуется общей формулой Ba(BO)[BO][LiF]:Cu,Sr в виде каркаса [(Ba,Sr)(ВО)], сложенного чередующимися слоями АВАВ вдоль направления кристаллографической оси Z, при этом А-слои «антицеолитной» структуры включают гостевые (ВО) и (F) группы, В-слои включают гостевые анионные группы [LiF], [(Cu,Sr)(OH)], [CuF/(OH)4], и содержит одновременно ионы меди и стронция, обеспечивающие смещение положения основного дозиметрического пика в более высокотемпературную область до 437 K. Технический результат - расширение арсенала монокристаллических термолюминесцентных материалов с устойчивыми центрами захвата на основе ионов двухвалентной меди и дырочных центров на кислороде, а также излучательной рекомбинации на основе ионов одновалентной меди. Смещение в высокотемпературную область и увеличение температурного интервала между пиками важно для устойчивого хранения и считывания дозиметрической информации. Другим важным преимуществом кристаллов является их химическая, физическая и радиационная стойкость. 5 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к материалам для термодозиметрических устройств, которые могут быть использованы в качестве твердотельных термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений.

Проблема обнаружения и измерения радиационного излучения становится все более актуальной по мере возрастания его роли практически во всех областях человеческой деятельности. К наиболее важным задачам дозиметрии относятся контроль радиационной безопасности человека и окружающей среды, клиническая и технологическая дозиметрия, проблемы, связанные с утилизацией радиоактивных отходов.

Одним из наиболее активно развивающихся направлений дозиметрии ионизирующих излучений является твердотельная термолюминесцентная дозиметрия (ТЛД), в которой в качестве детектора излучений используются так называемые запасающие кристаллофосфоры, - твердые тела полупроводниковой или диэлектрической природы, обладающие определенным сочетанием дефектов кристаллической решетки примесного или собственного происхождения. Образующиеся в них под действием излучения свободные носители заряда могут локализовываться на центрах захвата, изменяя их энергетическое состояние и могут сохраняться в таком состоянии достаточно длительное время после прекращения действия излучения. При сообщении дополнительной энергии при нагревании происходит ионизация электронных центров и последующая рекомбинация зонных носителей с активаторными центрами, которые излучают в области спектра, соответствующие собственной люминесценции.

Для формирования требуемых служебных свойств материалов для ТЛД основным приемом является создание дефектов в структуре.

Технология получения аниондефицитного корунда для использования в ТЛД была разработана в середине 80-х годов в Уральском государственном политехническом университете [А.с. 1340365 СССР, МКИ GOIT I/II. Способ получения профилированных монокристаллов оксида алюминия для термолюминесцентной дозиметрии / Затуловский Л.М., Кравецкий Д.Я., Аксельрод М.С., Кортов В.С., Мильман И.И., Готлиб В.И., Бичев В.Р., Шварц К.К. (СССР). №4073772.31-25. Заявл. 19.06.86. - 1987.] Дозиметрические свойства α-Al2O3 определяются высокой концентрацией кислородных вакансий, что достигается выращиванием кристаллов в восстановительной обстановке в присутсвии графита. Детекторы ТЛД-500K, созданные на основе α-Al2O3:С, обладают высокой чувствительностью, широким диапазоном измеряемых доз излучения и применяются для мониторинга радиационного загрязнения окружающей среды и территории АЭС. Интегральная чувствительность детекторов ТЛД-500K зависит от скорости нагрева при считывании, что является одним из недостатков детектора. Также детекторы ТЛД-500K характеризуются существенной зависимостью чувствительности от энергии фотонного излучения, светочувствительны.

Наиболее широко используемыми в настоящее время являются материалы на основе фторида лития, LiF:Mg,Ti ТЛД-100, США (TLD-100™ Thermoluminescent Dosimetry Material - https://www.thermofisher.com/order/catalog/product/SNO10106). Считается, что определяющую роль в механизме термолюминесценции фторида лития играют примесно-вакансионные комплексы, образованные собственными дефектами кристалла и иона активатора. Наибольшей чувствительностью из всех известных к настоящему времени ТЛ дозиметров на основе кристаллов LiF характеризуются дозиметры ТЛД-100Н (США) на основе поликристаллического LiF:Mg,Cu,P [Moscovitch М. Radiat. Prot. Dosim. 1999. V. 85. (1-4). P. 49-56; Freire, L. et al Radiat. Meas. 2008. 43(2-6), 646-650.]. Высокую чувствительность детекторов LiF:Mg,Cu,P, более чем в 20 раз превышающую чувствительность детекторов LiF:Mg,Ti, связывают с присутствием ионов одновалентной меди, способствующих реализации прямых переходов при рекомбинации. Коммерческие детекторы LiF:Mg,Ti и LiF:Mg,Cu,P представляют собой спрессованную поликристаллическую таблетку и, как следствие, характеризуются высоким уровнем хемилюминесцентного сигнала, ограничивающим их использование при измерении малых доз [ М. et al. Radiat. Prot. Dosim. 2006. V. 121(2). P. 195 - 201].

Технология получения монокристаллических детекторов ДТГ-4 на основе кристаллов LiF: Mg, Ti, соответствующих по своим параметрам стандартному ТЛД-100 (США), была разработана в Институте геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН (диаметр детекторов 5 мм, толщина 1 мм) [Непомнящих А.И. и др. Атомная энергия, (1985) 58(4), 257-259.]. Оказалось, что выращивание кристаллов LiF:Cu+ методом Чохральского сопряжено с определенными трудностями, связанными с необходимостью специальной подготовки шихты для введения меди в расплав в одовалентном состоянии в виде CuCl, выращиванием кристаллов в условиях инертной атмосферы для предотвращения окисления меди до двухвалентного состояния [Шалаев А.А. и др. Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2015. Т. 79 (2). С. 287-287]. Авторы отмечают, что вхождение меди в одновалентном состоянии в LiF затруднено, вследствие существенно большего радиуса Cu+ (0.96 ) по отнощению к радиусу лития (0.68 ), в то время как ионы двухвалентной меди имеют меньший радиус Cu2+ (0.72 ) и легче встраиваются в решетку. Ионы меди нестабильны в одновалентном состоянии и активно окисляются до двухвалентного состояния или восстанавливаются до металлического. Общим недостатком детекторов на основе LiF является недостаточная чувствительность при измерении фоновых доз, сложная форма кривой термовысвечивания.

Основным приемом для формирования требуемых термолюминесцентных свойств материалов является создание дефектов, собственных или примесных, в кристаллической структуре. Уникальность объекта настоящего патента, - фторидоборатов с «антицеолитной» структурой, открытых коллективом авторов изобретения, - заключается в способности каркаса структуры [Ва12(ВО3)6]6+ вмещать различные анионные группы [(Li, Na)F4]3-, [MnF6]4-, [Cu2+F6]4-, [Cu2+(OH)6]4-, [Cu+F4]3- и др., что открывает возможность направленного синтеза функциональных материалов с заданными свойствами [Rashchenko S.V. et. al J.Alloys Compd. 2017. V.694. P. 1196-1200; Bekker Т. B. et. al Inorg.Chem. 2017. V. 56 (9). P. 5411-5419; Bekker Т. B. et. al. J.Am.Ceram Soc. 2018. V. 101 (1). P. 450-457; Solntsev V. P et. al J.Phys.Chem. C. 2019. V. 123. P. 4469-4474; Bekker T. et. al Cryst.Growth Des. 2020. V. 20 (6). P. 4100-4107; Bekker Т. B. et. al Inorg. Chem. 2020. V. 59 (18). P. 13598-13606; патент RU2689596, опубл. 28.05.2019, С30В29/04]. При этом дефектность кристалла (присутствие электронных и дырочных центров, экситонов) определяется степенью упаковки каркаса анионными группами и является ключом для направленного изменения оптических и люминесцентных свойств путем изменения размера, заряда и атомной симметрии анионных групп.

Наши дальнейшие исследования показали возможность вхождения меди в кристаллы Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu, выращиваемые из высокотемпературного раствора, одновременно в одно- и двухвалентном состоянии в условиях воздушной атмосферы, при введении меди в раствор в двухвалентноми состоянии в виде оксида меди CuO. При этом создаются устойчивые центры захвата (Cu2+) и люминесценции (Cu+).

В известном способе авторы изобретения [Bekker Т. et. al Cryst. Growth Des. 2020. V. 20 (6). P. 4100-4107] проводили рост кристаллов Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu из высокотемпературного раствора с соотношением компонентов BaO:BaF2:B2O3:Li2O = 24:32:22:20 (мол. %), содержащего 0.32 вес. % меди. Температура ликвидуса для данного состава 753 °С. Скорость снижения температуры после касания поверхности высокотемпературного раствора затравкой или платиновой петлей при температуре ликвидуса составляла 2 °С/сут. Методом оптической, люминесцентной спектроскопии и электронного парамагнитного резонанса установлено, что в структуре создаются устойчивые центры захвата на основе ионов двухвалентной меди (Cu2+) и люминесценции на основе ионов одновалентной меди (Cu+). Установлено, что двухвалетная медь входит в каналы структуры в виде комплексов [Cu2+(ОН)6]4-, одновалентная медь - в виде комплексов [Cu+F4]3-, [Cu+(OH)4]3-. Положение максимумов пиков термостимулированной люминесценции составляет 343 и 420 K.

Техническая проблема, решаемая изобретением, - в необходимости расширения арсенала монокристаллических термолюминесцентных материалов с устойчивыми центрами захвата на основе ионов двухвалентной меди и дырочных центров на кислороде а также излучательной рекомбинации на основе ионов одновалентной меди.

Технический результат достигается созданием фторидобората с «антицеолитной» структурой с общей формулой Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu,Sr в виде каркаса [(Ba,Sr)12(ВО3)6]6+, сложенного чередующимися слоями АВАВ вдоль направления кристаллографической оси Z, при этом А-слои «антицеолитной» структуры включают гостевые (ВО3)3- и (F2)2- группы; В-слои включают гостевые анионные группы [LiF4]3-, [(Cu,Sr)2+(OH)6]4-, [Cu+F/(OH)4]3-, содержащего одновременно ионы меди и стронция, что позволяет смещать положение основного дозиметрического пика в более высокотемпературную область (437 K для Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu,Sr, 421 K для Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu) и увеличивать температурный интервал между пиками термолюминесценции (103 градуса для Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu,Sr, 77 градусов для Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu). Смещение в высокотемпературную область и увеличение температурного интервала между пиками важно для устойчивого хранения и считывания дозиметрической информации.

Другим важным преимуществом кристаллов является их химическая, физическая и радиационная стойкость.

Известно, что вхождение стронция в структуру соединений стимулирует образование F-центров и стабилизирует дырочные центры при комнатной температуре [М. Batentschuk, P. Hackenschmied, A. Winnacker, М. Moll, and R. Fasbender, "Optimization of Mixed Storage Phosphors of the Type (Ba,Sr)F1+xBr1-x:Eu for Digital X-Ray Radiography," MRS Online Proc. Libr., vol. 560, no. 1, pp. 27-32, Dec. 1999, doi: 10.1557/PROC-560-27; P. Hackenschmied, H. Li, E. Epelbaum, R. Fasbender, M. Batentschuk, and A. Winnacker, "Energy transfer in Ba1-xSrxFBr:Eu storage phosphors as a function of Sr and Eu concentration," Radiat. Meas., vol. 33, no. 5, pp.669-674, Oct. 2001, doi: 10.1016/S1350-4487(01)00081-6].

На фиг. 1 представлен каркас [(Ba, Sr)12(ВО3)6]6+ в проекции по оси с (выделен один из структурных каналов); каркас [(Ва, Sr)12(ВО3)6]6+ в проекции вдоль оси b (последовательность «слоев» с параллельным (тип В) и наклонным (тип А) расположением треугольников (ВО3)3-); фрагмент структурного канала, населенный неупорядоченными анионными группами [ВО3]3- and [LiF4]3

На фиг. 2 - спектр пропускания пластинки толщиной 1.2 мм, вырезанной из кристалла Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu,Sr. Спектр записан при температуре 300 K. Кристалл выращен из состава, указанного в примере.

На фиг. 3 - спектры фотолюминесценции пластинки толщиной 1.2 мм. вырезанной из кристалла Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu при возбуждении длинами волн 325 нм (1) и 532 нм (1а). Спектры записаны при температуре 80 К.

На фиг. 4 - спектры электронного парамагнитного резонанса ионов двухвалетной меди кристалла Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu,Sr, выращенного из состава 1 Таблицы 1, записанные при 300 K, Н⎟⎟[001]. Напряженность магнитного поля Н приведена в гауссах.

На фиг. 5 - спектры термостимулированной люминесценции кристаллов Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu, Sr и Ва12(ВО3)6[BO3][LiF4]:Cu после облучения в течение 10 минут рентгеновским излучением (вольфрамовый антикатод), выращенных из состава (1), Таблица 1 и состава (3), Таблица 1, соответственно. Спектры записаны при температуре 300 K.

Расшифровка структуры кристаллов, солегированных медью и стронцием, Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu,Sr, показала, что они кристаллизуются в пространственной группе P42/mbc, (а=13.5174 (3) , с=14.9399 (3) , V=2729.82 (10)3) (Фиг. 1). Ионы меди входят в структуру в позицию лития в тетраэдрическом (Cu+) и октаэдрическом (Cu2+) окружении. Концентрация стронция и меди слишком мала для точного определения позиций методом рентгеноструктурного анализа. Косвенным подтверждением вхождения стронция в каркас структуры является уменьшение параметров и объема элементарной ячейки кристалла Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu,Sr по сравнению с кристаллом Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu (а = 13.5387(2) , с = 14.9516(3) , V = 2740.57 (8) 3). Стронций Sr2+ (1.20 ) частично замещает барий Ва2+ (1.38 ) в каркасе [(Ва,Sr)12(BO3)6]6+в соответствии со схемой Ва2+→Sr2+. Также строний может частично замещать ионы двухвалентной меди в каналах структуры с образованием комплексов [Sr2+(OH)6]4-.

Содержание меди - 0.32 вес. %, содержание стронция - 0.4-2 вес. %. в исходном высокотемпературном растворе, содержащем BaO:BaF2:B2O3:Li2O = 25:25:35:15 (мол. %).

Решение технической проблемы изобретения реализовано на примере материала Ва12(ВО3)6[BO3][LiF4] легированного ионами меди и стронция, синтез которого обеспечивает возможность направленного изменения термолюминесцентных свойств, а именно, смещение основного дозиметрического пика в более высокотемпературную область и увеличение температурного интервала между пиками термолюминесценции.

Пример получения фторидоборатов Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu,Sr с термолюминесцентными свойствами.

Кристаллы с соодержанием меди в исходном высокотемпературном расплаве от 0.32 вес. %, вводимой в раствор в виде оксида меди CuO и стронция от 0.40 вес. %, вводимого в раствор в виде карбоната стронция SrCO3, выращивают из состава с соотношением BaO:BaF2:B2O3:Li2O = 25:25:35:15 (мол. %), методом Киропулоса на платиновую петлю или на затравку, ориентированную вдоль кристаллографической оси z. Кристаллы выращивали из раствор-расплава, массой 40 г, диаметр тигля 40 мм, максимальная температура нагревания раствор-расплава составила 835 °С. Температура ликвидуса для данного состава 817 °С. Скорость снижения температуры после касания поверхности высокотемпературного раствора затравкой или платиновой петлей при температуре ликвидуса составляла 2 °С/сут. Полученные кристаллы имеют светло-розовый оттенок. В спектре пропускания присутствует полоса поглощения в области 250-320 нм с максимумом около 275 нм, обусловленная ионами Cu+, слабая широкая полоса в области 400-700 нм, обусловленная ионами Cu2+ и собственными дефектами структуры (фиг. 2). В спектре фотолюминесценции при возбуждении 325 нм наблюдается интенсивный пик с максимумом около 412 нм, обусловленный ионами одновалентной меди, а также широкая интенсивная полоса с максимумом около 545 нм, обусловленная ионами двухвалетной меди и собственными дефектами структуры (фиг. 3, кривая 1). При возбуждении 532 нм в спектре фотолюминесценции наблюдается широкая полоса с максимумом около 590 нм (фиг. 3, кривая 1а), обусловленная ионами двухвалентной меди и собственными дефектами структуры. Присутствие меди в двухваленном состоянии подтверждено также методом электронного парамагнитного резонанса. Установлено, что ионы двухвалентной меди присутствуют в структуре в виде комплексов [Cu2+(ОН)6]4- (фиг. 3). На спектрах термостимулированной люминесценции присутствуют два пика термовысвечивания с максимумами около 330 и 433 K, соответственно (фиг. 5, кривая 1). Для сравнения на фиг. 5 представлена кривая термолюминесценции кристалла Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4]:Cu, выращенного из состава (3), Таблица 1.

В Таблице 1 представлен пример состава исходных высокотемпературных растворов для выращивания кристаллов Ва12(ВО3)6[ВО3][LiF4] легированных ионами меди и стронция.

С применением методов оптической, люминесцентной спектроскопии и электронного парамагнитного резонанса установлено, что в структуре создаются устойчивые центры захвата (Cu2+) и люминесценции (Cu+). Примесь стронция, вводимого в исходный высокотемпературный раствор в виде карбоната стронция, обуславливает возникновение более глубоких локализованных энергетических уровней в кристаллах Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu,Sr и, соответственно, смещение основного дозиметрического пика в более высокотемпературную область. Интенсивность спектров ЭПР и оптического поглощения кристаллов Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu,Sr практически не меняется после отжига при ~ 200 °С в течение 10 минут (стандартный режим). Другим важным преимуществом кристаллов является их химическая, физическая и радиационная стойкость.

Изобретение не ограничивается приведенными примерами и включает все модификации, эквиваленты и альтернативы в пределах сущности и объема изобретения.

Монокристаллический материал для твердотельной дозиметрии - фторидоборат с «антицеолитной» структурой, характеризующийся общей формулой Ba(BO)[BO][LiF]:Cu,Sr в виде каркаса [(Ba,Sr)(ВО)], сложенного чередующимися слоями АВАВ вдоль направления кристаллографической оси Z, при этом А-слои «антицеолитной» структуры включают гостевые (ВО) и (F) группы, В-слои включают гостевые анионные группы [LiF], [(Cu,Sr)(OH)], [CuF/(OH)4], содержащий одновременно ионы меди и стронция, обеспечивающие смещение положения основного дозиметрического пика в более высокотемпературную область до 437 K.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 59 items.
27.08.2016
№216.015.4d53

Способ создания термозависимой угольной пленочной оболочки

Изобретение относится к способу создания термозависимой угольной пленочной оболочки путем нанесения жидкой фазы на поверхности угля, при этом в качестве жидкой фазы используют «натриевое жидкое стекло» с силикатным модулем более 3,5, пленку наносят толщиной не более 250 мкм, после чего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002595344
Дата охранного документа: 27.08.2016
13.01.2017
№217.015.89d7

Синхронно-накачиваемый рамановский полностью волоконный импульсный лазер на основе кварцевого оптоволокна, легированного оксидом фосфора

Изобретение относится к лазерной технике. Синхронно-накачиваемый рамановский полностью волоконный импульсный лазер на основе кварцевого оптоволокна, легированного оксидом фосфора, содержит линейный резонатор, образованный двумя брэгговскими решетками, одна брэгговская решетка резонатора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602490
Дата охранного документа: 20.11.2016
25.08.2017
№217.015.bf8f

Лекарственное средство, обладающее противовоспалительной активностью

Изобретение относится к лекарственному средству, обладающему противовоспалительной активностью, содержащему в качестве активного ингредиента N-(2-гидроксиэтил)-3β-гидроксиурс-12-ен-28-амид формулы Технический результат: получено новое эффективное лекарственное средство, обладающее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617123
Дата охранного документа: 21.04.2017
25.08.2017
№217.015.c61f

Волоконный импульсный лазер с нелинейным петлевым зеркалом

Изобретение относится к лазерной технике. Волоконный лазер содержит источник накачки и резонатор, выполненный полностью из элементов, сохраняющих поляризацию, и состоящий из двух волоконных петель - пассивной и активной, соединяющихся посредством сплавного волоконного четырехпортового...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618605
Дата охранного документа: 04.05.2017
25.08.2017
№217.015.d03a

Способ управления обтеканием сверхзвукового летательного аппарата

Изобретение относится к маневрирующим в атмосфере сверхзвуковым летательным аппаратам (ЛА). Управление обтеканием основывается на изменении направления набегающего воздушного потока со встречного на радиальное истечение относительно ЛА с использованием нагреваемой по команде газопроницаемой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621195
Дата охранного документа: 01.06.2017
26.08.2017
№217.015.e196

Способ управления спектром пучка широкополосного терагерцевого излучения

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа управления спектром пучка широкополосного терагерцевого излучения. Способ включает в себя размещение на пути пучка излучения селективно поглощающего фильтра в виде поверхности проводящей пластины, придание излучению...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625635
Дата охранного документа: 17.07.2017
26.08.2017
№217.015.e199

Стенд для испытаний на ударные воздействия

Изобретение относится к испытательной технике, в частности к устройствам для испытаний на ударные воздействия различных приборов и оборудования. Стенд состоит из силового каркаса в виде прямоугольной рамы на ножках с продольными направляющими для установки через амортизаторы подпружиненной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625639
Дата охранного документа: 17.07.2017
26.08.2017
№217.015.e19a

Устройство для промера распределения поля инфракрасной поверхностной электромагнитной волны над её треком

Изобретение относится к области исследования поверхности металлов и полупроводников и касается устройства для промера распределения поля инфракрасной поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ) над ее треком. Устройство содержит источник монохроматического излучения, элемент преобразования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625641
Дата охранного документа: 17.07.2017
29.12.2017
№217.015.f388

Способ приготовления металл-нанесенного катализатора для процесса фотокаталитического окисления монооксида углерода

Изобретение относится к области разработки способа получения катализатора на основе высокодисперсного диоксида титана с нанесенными наночастицами благородного металла, проявляющего активность под действием ультрафиолетового излучения в реакции фотокаталитического окисления монооксида углерода...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002637120
Дата охранного документа: 30.11.2017
29.12.2017
№217.015.f5f2

Способ приготовления катализатора гидродеоксигенации алифатических кислородсодержащих соединений

Изобретение относится к способу получения катализатора для гидродеоксигенации органических кислородсодержащих соединений, а именно растительных масел, животных жиров, сложных эфиров жирных кислот, свободных жирных кислот, с образованием н-алканов - компонентов дизельного топлива. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002637117
Дата охранного документа: 30.11.2017
Showing 1-10 of 15 items.
20.10.2013
№216.012.7786

Способ и устройство, использующие структуры базового словаря кодов для формирования диаграммы направленности

Изобретение относится к системам связи. Технический результат заключается в усовершенствовании формирования диаграммы направленности. Описаны технологии для схемы предварительного кодирования для беспроводной связи. Способ и устройство могут содержать первое устройство для системы связи, чтобы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496258
Дата охранного документа: 20.10.2013
10.03.2016
№216.014.c0b4

Монокристаллический материал srmgf и способ его получения

Изобретение относится к области получения сегнетоэлектрических монокристаллов фторидов, применяемых в нелинейной оптике. Получен монокристаллический материал фторида SrMgF, обладающий способностью к преобразованию лазерного излучения в ВУФ/УФ области спектра от длины волны 0,122 мкм до 11,8...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576638
Дата охранного документа: 10.03.2016
12.01.2017
№217.015.6141

Способ выращивания монокристалла метафторидобората бария-натрия bana (bo)f

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия BaNa(ВО)F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике. Монокристалл BaNa(ВО)F...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591156
Дата охранного документа: 10.07.2016
19.01.2018
№218.016.0419

Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения

Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы ВаSr(ВО)F, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал ВаSr(ВО)F имеет центры окраски, образованные под воздействием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002630511
Дата охранного документа: 11.09.2017
17.02.2018
№218.016.2dea

Указание параметров физического совместно используемого нисходящего канала передачи в сетях беспроводной связи

Изобретение относится к области связи. Технический результат изобретения заключается в экономии объема передаваемых служебных сигналов из ресурсов для всех UE. Оборудование пользователя (UE) может принимать множество наборов параметров, каждый из которых включает в себя количество антенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643660
Дата охранного документа: 02.02.2018
01.03.2019
№219.016.cde0

Устройство для доставки контейнера с грунтом исследуемого небесного тела в посадочный аппарат возвращаемой на землю ступени космической станции и устройство для транспортирования грузов по трубопроводу

Группа изобретений относится к средствам взятия и транспортировки образцов, преимущественно внеземного грунта. Устройство содержит трубопровод (5), узел транспортирования контейнера по трубопроводу и узел загрузки и подготовки контейнера. Последний содержит поворотный кронштейн (8),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002413660
Дата охранного документа: 10.03.2011
15.03.2019
№219.016.e07b

Способ получения композиционных оптических хемосенсорных пленок

Изобретение относится к нанотехнологиям, в частности к получению оптических структурированных хемосенсорных пленок на основе фотонно-кристаллической опаловой матрицы, которые могут найти применение при экспрессном анализе вредных примесей. Готовую пленку-матрицу с размером монодисперсных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002399584
Дата охранного документа: 20.09.2010
20.03.2019
№219.016.e509

Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов

Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных для применения в нелинейной оптике. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов характеризуется формулой LiGaInSe, где х принимает любое значение больше 0,25 и меньше 0,75, имеет пространственную группу mm2...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002344208
Дата охранного документа: 20.01.2009
04.04.2019
№219.016.fc62

Способ получения хемосенсорных пленок

Изобретение относится к способу получению структурированных хемосенсорных пленок на основе наночастиц кремнезема, модифицированного органическими растворителями, который включает получение золя сферических частиц кремнезема, модификацию полученного золя органическим красителем, нанесение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002370310
Дата охранного документа: 20.10.2009
17.04.2019
№219.017.15c1

Способ получения композиционной оптической хемосенсорной пленки

Изобретение относится к нанотехнологиям, в частности к получению водостойких и термостойких структурированных хемосенсорных пленок на основе фотонно-кристаллической опаловой матрицы, которые могут найти применение при экспрессном анализе вредных примесей в газообразных и жидких отходах. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002399585
Дата охранного документа: 20.09.2010
+ добавить свой РИД