×
14.05.2023
223.018.56cc

Результат интеллектуальной деятельности: Осевой неразгруженный компенсатор

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002732334
Дата охранного документа
15.09.2020
Аннотация: Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент, выполненный в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины 1, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями 2 из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки 3 поршней 2 являются центрирующими элементами для пружины 1. Конструкция компенсатора обеспечивает неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок, возникающих при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы. 2 ил.

Выращивание кристаллов в условиях микрогравитации - важное направление в быстро развивающемся космическом материаловедении.

Предлагаемое изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов металлов в условиях микрогравитации.

Выращивание кристаллов халькогенидов металлов на борту космических аппаратов производится в герметичных ампулах, так как многие соединения этой группы имеют высокие давления собственных паров в точках плавления или при близких к ним температурах. Многие халькогениды металлов частично разлагаются при испарении; образующиеся пары компонентов химически агрессивны. Поэтому в конструкциях ампул применяются материалы, инертные к расплавам и парам халькогенидов металлов и их компонентов. В основном это кварцевое стекло и углеграфитовые материалы.

При выращивании кристаллов халькогенидов металлов в космосе загрузка ампул и выращенные кристаллы подвергаются существенным нагрузкам при взлете ракеты-носителя и при посадке спускаемого аппарата. Для сохранения загрузок и выращенных кристаллов необходимо компенсировать такие нагрузки. Кроме того, многие халькогениды металлов, например, халькогениды цинка и кадмия, имеют отрицательные объемные эффекты кристаллизации (от - 0,6% для CdTe до - 13,0% для ZnSe), что необходимо учитывать при конструировании ампул, предназначенных для выращивания кристаллов из расплава или раствора в расплаве, предусматривая в таких устройствах компенсацию изменения объема при плавлении или растворении в расплаве.

Известен демпфирующий элемент [Левченко А.А., Колесников Н.Н., Борисенко Д.Н. Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Патент РФ на изобретение №2547758, опубл. 10.04.2015, Бюл. №10] - аналог, размещаемый в ампулах для выращивания кристаллов селенида галлия (GaSe) в условиях микрогравитации и представляющий собой шайбу из углеграфитового войлока. Основной недостаток такого устройства состоит в том, что оно, по существу, представляет собой стартовый компенсатор, то есть компенсатор, срабатывающий однократно при приложении нагрузки. Упругости углеграфитового войлока недостаточно для восстановления исходной формы компенсатора после приложения значительной нагрузки.

Наиболее близким к заявляемому устройству по своей технической сущности является осевой компенсатор для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации с компенсирующим элементом, выполненным в виде винтовой цилиндрической пружины и цилиндрического поршня с цилиндрическим штоком [G.W. Knowles. Ampoule for crystal growth. Pat. US 5205997 A, 1993] - прототип. Основной недостаток такого устройства состоит в том, что одна сторона пружины свободно опирается на неподвижный металлический упор. В процессе выращивания кристалла в такой конструкции возможен перекос пружины, так как все детали устройства выполнены из материалов с разным коэффициентом термического расширения, а компенсатор в целом работает под нагрузкой. При возникновении перекоса пружины компенсатор не будет выполнять свои функции, повторное срабатывание компенсатора будет невозможно.

Задачей предлагаемого устройства является создание компенсатора, размещаемого в ампулах для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации, и позволяющего неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок, возникающих при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы.

Поставленная задача решается применением осевого компенсатора с графитовым компенсирующим элементом, причем компенсатор выполнен в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины сжатия, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки поршней являются центрирующими элементами для пружины.

Технический результат достигается тем, что винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия позволяет неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок.

Конструкция компенсатора представлена на чертеже Фиг. 1, где 1 - винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия, 2 - цилиндрические поршни из кварцевого стекла, 3 - цилиндрические штоки поршней.

Сборка компенсатора производится следующим образом. Штоки поршней вставляются в отверстие винтовой цилиндрической пружины сжатия с двух сторон, как показано на Фиг. 1. После сборки устройство размещается в цилиндрической ампуле для выращивания кристаллов. Размещение компенсатора в ампуле показано на чертеже Фиг. 2 на примере ампулы для выращивания кристалла методом движущейся зоны растворителя. На Фиг. 2 цифрами обозначены следующие позиции: 1 - винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия, 2 - цилиндрические поршни из кварцевого стекла, 3 - цилиндрические штоки поршней, 4 - часть загрузки, являющаяся питающим слитком, 5 - часть загрузки, являющаяся зоной растворителя (исходно находящейся в твердом состоянии), 6 - часть загрузки, являющаяся затравкой для роста кристалла, 7 - ампула из кварцевого стекла, герметично закрытая пробкой 8.

Назначение элементов осевого компенсатора: винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия (1) является компенсирующим элементом; цилиндрические поршни (2) обеспечивают скольжение по внутренней поверхности ампулы при сжатии или растяжении пружины; цилиндрические штоки поршней (3) обеспечивают центровку пружины и фиксируют ее на поршнях.

Предлагаемый осевой компенсатор работает следующим образом. Ампула (7), в сборе с загрузкой и герметично закрытая пробкой (8), размещается в технологической установке, отправляемой на околоземную орбиту, так, чтобы нагрузки, возникающие при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы, носили преимущественно осевой характер, то есть были направлены перпендикулярно плоскостям цилиндрических поршней компенсатора (2). При возникновении нагрузки винтовая цилиндрическая графитовая пружина (1) сжимается, при этом поршни из кварцевого стекла (2) обеспечивают эквивалентное сжатию пружины перемещение компенсатора за счет скольжения по внутренней поверхности ампулы (7). При снятии нагрузки пружина (1) возвращается в исходное состояние.

Осевой компенсатор успешно прошел наземную отработку космических экспериментов по выращиванию кристаллов теллурида цинка-кадмия методом движущейся зоны растворителя, в качестве которого использовали теллур.

Осевой компенсатор для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации с компенсирующим элементом, выполненным в виде винтовой цилиндрической пружины и цилиндрического поршня с цилиндрическим штоком, отличающийся тем, что пружина неразгруженного компенсирующего элемента выполнена из графита и размещена между двумя цилиндрическими поршнями из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки поршней являются центрирующими элементами для пружины.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 61-70 of 91 items.
31.01.2020
№220.017.fb95

Высокотемпературные композиты с молибденовой матрицей и способ их получения

Изобретение относится к высокотемпературным композитным материалам с металлической матрицей и к способам их получения и может быть использовано для производства лопаток авиационных газотурбинных двигателей, работающих при температурах до 1400°С. Высокотемпературный композит с молибденовой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712333
Дата охранного документа: 28.01.2020
06.02.2020
№220.017.ff42

Способ пространственной стабилизации дуги

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги. Способ пространственной стабилизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713186
Дата охранного документа: 04.02.2020
17.02.2020
№220.018.0385

Способ получения нанокристаллического муассанита

Изобретение относится к области выращивания слоев нанокристаллического гексагонального карбида кремния (муассанита) и может быть использовано в электронной промышленности. Способ включает перемещение ленты углеродной фольги в горизонтальной плоскости с подачей к ее поверхности расплавленного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714344
Дата охранного документа: 14.02.2020
13.03.2020
№220.018.0b07

Тигель для выращивания кристаллов на затравку

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716447
Дата охранного документа: 11.03.2020
21.03.2020
№220.018.0e3a

Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи

Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717253
Дата охранного документа: 19.03.2020
25.03.2020
№220.018.0f34

Способ изготовления холодного катода

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде. После этого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717526
Дата охранного документа: 23.03.2020
28.03.2020
№220.018.115d

Коллинеарный электрод

Изобретение относится к плазменной технике, применяемой в электрометаллургии, и может быть использовано для инициирования высокочастотной плазмы на промышленной частоте 2,45 ГГц для плавления металлических порошков и изготовления деталей сложной геометрической формы в атмосфере защитных газов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717841
Дата охранного документа: 26.03.2020
25.04.2020
№220.018.197c

Способ слежения за глубиной промораживания ткани при криодеструкции и система для его осуществления

Группа изобретений относится к медицинской технике. Технический результат состоит в упрощении способа слежения за положением ледяного фронта при криодеструкции, повышении пространственной чувствительности измерения глубины ледяного фронта в ткани с применением спектроскопии рассеяния, не...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002719911
Дата охранного документа: 23.04.2020
20.05.2020
№220.018.1dcf

Неорганический фотохромный материал с пространственно-селективным эффектом памяти

Изобретение относится к области неорганических материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Неорганический фотохромный материал с пространственным эффектом памяти содержит Сu - 0,012-0,015 мас.%, Gd - 0,0004-0,0006 мас.% и ZnS – остальное. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721095
Дата охранного документа: 15.05.2020
29.05.2020
№220.018.217a

Способ выращивания слоев алмаза на подложке монокристаллического кремния

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. Способ выращивания слоев алмаза, включающий нагрев в вакуумной среде в диапазоне температур от 910°С до 1150°С порошка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722136
Дата охранного документа: 26.05.2020
Showing 41-48 of 48 items.
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
16.05.2023
№223.018.6357

Электродуговой способ получения прецизионного сплава timnal

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002776576
Дата охранного документа: 22.07.2022
+ добавить свой РИД