×
03.07.2020
220.018.2dda

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения TiMnAl

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и алюминия в капсулу из титана, закрытие крышкой из титана и проведение плавки во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавку проводят в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730°С в течение 15-20 минут с последующей закалкой расплава до комнатной температуры. Обеспечивается получение объемных слитков с однородным составом. 3 ил., 2 пр.

Ti2MnAl - спин-поляризованный бесщелевой полупроводник, перспективный материал для спинтроники.

Известен способ [Wuwei Feng, Xiao Fu, Caihua Wan, Zhonghui Yuan, Xiufeng Han, Nguyen Van Quang, Sungiae Cho. Spin gapless semiconductor like Ti2MnAl film as a new candidate for spintronics application. Phys. Status Solidi RRL 9, No. 11, 641-645 (2015)]-прототип, в котором Ti2MnAl получают путем магнетронного распыления мишени из элементарных Ti, Mn и Al. Основной недостаток способа-прототипа состоит в том, что он позволяет получать только тонкие пленки Ti2MnAl, а для ряда предполагаемых применений требуется объемный материал.

Задачей данного изобретения является получение Ti2MnAl в виде объемных слитков.

Эта задача решается в предлагаемом способе получения Ti2MnAl из элементарных Ti, Mn и Al за счет того, что навески марганца и алюминия помещают в капсулу из титана, закрывают крышкой из титана, а затем подвергают плавке во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавка производится в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730 градусов Цельсия в течение 15-20 минут, а последующая кристаллизация расплава осуществляется путем закалки до комнатной температуры.

Предлагаемым способом получены объемные слитки Ti2MnAl. На Фиг. 1 показано электронномикроскопическое изображение скола слитка, на поверхности которого в 10 точках был проведен микрорентгеноспектральный анализ, подтвердивший соответствие состава слитка заданному (Ti2MnAl). Образцы из полученных слитков демонстрируют характерную для Ti2MnAl зависимость магнитосопротивления от приложенного поля при температуре 15 К (Фиг. 2), что также подтверждает однородность состава слитков.

Параметры процесса выбраны экспериментально. При температуре ниже 1700 градусов Цельсия не происходит полного взаимного растворения компонентов сплава. Это, вероятно, обусловлено образованием тугоплавких промежуточных соединений, в том числе таких, которые остаются в равновесии с жидкой фазой вплоть до температуры плавления титана, являющегося наиболее тугоплавким компонентом в Ti2MnAl. (Температура плавления титана, по разным данным, составляет от 1668 до 1671 град. Цельсия). Увеличение температуры плавки свыше 1730 град. Цельсия не дает дальнейшего положительного эффекта.

При продолжительности плавки менее 15 минут не происходит полной гомогенизации расплава и состав полученных слитков не является однородным. Увеличение продолжительности свыше 20 минут не дает дальнейшего положительного эффекта.

Пример 1.

В капсулу из титана с крышкой из титана помещают навески марганца и алюминия. Масса титановой капсулы вместе с крышкой и массы навесок Mn и Al имеют соотношение, стехиометрическое для состава Ti2MnAl. Капсулу закрывают крышкой. Плавку проводят в атмосфере аргона. Для проведения процесса используют индукционную печь для плавки во взвешенном состоянии. Температура плавки 1700 град. Цельсия. Продолжительность плавки 20 минут. По окончании плавки индуктор печи отключают, левитация расплава прекращается, полученный материал падает на водоохлаждаемую медную подложку, поверхность которой имеет комнатную температуру. Получен объемный слиток Ti2MnAl, имеющий однородный состав по данным микрорентгеноспектрального анализа. На Фиг. 3 показан полученный слиток, расколотый для подготовки образцов для проведения микрорентгеноспектрального анализа.

Пример 2.

В капсулу из титана с крышкой из титана помещают навески марганца и алюминия. Масса титановой капсулы вместе с крышкой и массы навесок Mn и Al имеют соотношение, стехиометрическое для состава Ti2MnAl. Капсулу закрывают крышкой. Плавку проводят в атмосфере аргона. Для проведения процесса используют индукционную печь для плавки во взвешенном состоянии. Температура плавки 1730 град. Цельсия. Продолжительность плавки 15 минут. По окончании плавки индуктор печи отключают, левитация расплава прекращается, полученный материал падает на водоохлаждаемую медную подложку, поверхность которой имеет комнатную температуру. Получен объемный слиток Ti2MnAl, имеющий однородный состав по данным микрорентгеноспектрального анализа. На Фиг. 1 показан скол этого слитка, на поверхности скола в 10 точках был проведен микрорентгеноспектральный анализ. На Фиг. 2 показана зависимость магнитосопротивления от приложенного поля (при температуре 15 К), также подтверждающая однородность состава слитка.

Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия, отличающийся тем, что навески марганца и алюминия помещают в капсулу из титана, закрывают крышкой из титана, а затем подвергают плавке во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавку производят в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730°С в течение 15-20 минут, а последующую кристаллизацию расплава осуществляют путем закалки до комнатной температуры.
Способ получения TiMnAl
Способ получения TiMnAl
Способ получения TiMnAl
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 61-70 of 91 items.
31.01.2020
№220.017.fb95

Высокотемпературные композиты с молибденовой матрицей и способ их получения

Изобретение относится к высокотемпературным композитным материалам с металлической матрицей и к способам их получения и может быть использовано для производства лопаток авиационных газотурбинных двигателей, работающих при температурах до 1400°С. Высокотемпературный композит с молибденовой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712333
Дата охранного документа: 28.01.2020
06.02.2020
№220.017.ff42

Способ пространственной стабилизации дуги

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги. Способ пространственной стабилизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713186
Дата охранного документа: 04.02.2020
17.02.2020
№220.018.0385

Способ получения нанокристаллического муассанита

Изобретение относится к области выращивания слоев нанокристаллического гексагонального карбида кремния (муассанита) и может быть использовано в электронной промышленности. Способ включает перемещение ленты углеродной фольги в горизонтальной плоскости с подачей к ее поверхности расплавленного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714344
Дата охранного документа: 14.02.2020
13.03.2020
№220.018.0b07

Тигель для выращивания кристаллов на затравку

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716447
Дата охранного документа: 11.03.2020
21.03.2020
№220.018.0e3a

Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи

Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717253
Дата охранного документа: 19.03.2020
25.03.2020
№220.018.0f34

Способ изготовления холодного катода

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде. После этого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717526
Дата охранного документа: 23.03.2020
28.03.2020
№220.018.115d

Коллинеарный электрод

Изобретение относится к плазменной технике, применяемой в электрометаллургии, и может быть использовано для инициирования высокочастотной плазмы на промышленной частоте 2,45 ГГц для плавления металлических порошков и изготовления деталей сложной геометрической формы в атмосфере защитных газов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717841
Дата охранного документа: 26.03.2020
25.04.2020
№220.018.197c

Способ слежения за глубиной промораживания ткани при криодеструкции и система для его осуществления

Группа изобретений относится к медицинской технике. Технический результат состоит в упрощении способа слежения за положением ледяного фронта при криодеструкции, повышении пространственной чувствительности измерения глубины ледяного фронта в ткани с применением спектроскопии рассеяния, не...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002719911
Дата охранного документа: 23.04.2020
20.05.2020
№220.018.1dcf

Неорганический фотохромный материал с пространственно-селективным эффектом памяти

Изобретение относится к области неорганических материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Неорганический фотохромный материал с пространственным эффектом памяти содержит Сu - 0,012-0,015 мас.%, Gd - 0,0004-0,0006 мас.% и ZnS – остальное. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721095
Дата охранного документа: 15.05.2020
29.05.2020
№220.018.217a

Способ выращивания слоев алмаза на подложке монокристаллического кремния

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. Способ выращивания слоев алмаза, включающий нагрев в вакуумной среде в диапазоне температур от 910°С до 1150°С порошка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722136
Дата охранного документа: 26.05.2020
Showing 41-49 of 49 items.
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
14.05.2023
№223.018.56cc

Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732334
Дата охранного документа: 15.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
16.05.2023
№223.018.6357

Электродуговой способ получения прецизионного сплава timnal

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002776576
Дата охранного документа: 22.07.2022
+ добавить свой РИД