×
21.06.2020
220.018.2861

Способ изготовления полупроводникового прибора

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002723981
Дата охранного документа
18.06.2020
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводникового прибора на GaAs подложке формируют слой нитрида алюминия AIN толщиной 55 нм, затем проводят имплантацию ионов кремния с энергией 60 кэВ, дозой (3-5)*10 см. Температура в процессе имплантации не превышает 50С. Полученные структуры отжигают при температуре 850°С в течение 15 мин в инертной среде. В последующем формируют активные области полевого транзистора и электроды к ним по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и выхода годных. 1 табл.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5270226 США, МКИ H01L 21/336] со слаболегированными стоками путем ионной имплантации в области стока/истока, с использованием электрода затвора в качестве маски. Имплантация проводиться при наклонном падении ионного пучка в несколько стадий, с поворотом подложки на 90° и 180°. В таких приборах из-за процесса ионной имплантации в несколько стадий образуется большое количество дефектов, которые ухудшают электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5270227 США, МКИ H01L 21/266] путем имплантации под углом больше 20° через маску, с образованием под краями маски аморфных областей. Затем проводится термообработка с рекристаллизацией этих областей; при этом подавляется образование краевых дефектов и обеспечивается снижение тока утечки в транзисторных структурах.

Недостатками этого способа являются:

- повышенная плотностью дефектов;

- высокие значения токов утечек;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем имплантации ионов кремния с энергией 60 кэВ, дозой (3-5)* 1012 см-2 на GaAs подложку через слой нитрида алюминия AIN, с последующей термообработкой при температуре 850°С в течение 15 мин в инертной среде.

Технология способа состоит в следующем: на GaAs подложку по стандартной технологии формируют слой нитрида алюминия AIN толщиной 55 нм Затем проводят имплантацию ионов кремния с энергией 60 кэВ, дозой (3-5)*1012 см-2. Температура в процессе имплантации не превышала 50°С. Полученные структуры отжигались проведением высокотемпературного отжига при температуре 850°С в течение 15 мин в инертной среде. В последующем формировали активные области полевого транзистора и электроды к ним по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,5%.

Технический результат: снижение плотности дефектов ,обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем имплантации ионов кремния с энергией 60 кэВ, дозой (3-5)* 1012 см-2 на GaAs подложку через слой нитрида алюминия AIN,c последующей термообработкой при температуре 850°С в течение 15 мин в инертной среде, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы имплантации, термообработки и формирования активных областей транзистора, отличающийся тем, что на GaAs подложку, через слой нитрида алюминия AIN проводят имплантацию ионов кремния с энергией 60 кэВ, дозой (3-5)*10 см, с последующей термообработкой при температуре 850°С в течение 15 мин в инертной среде.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 87 items.
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.20a1

Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью. Изобретение обеспечивает повышение диэлектрической прочности диоксида кремния,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539801
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.05.2015
№216.013.4a87

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора. Изобретение обеспечивает снижение значений плотности дефектов, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550586
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
+ добавить свой РИД