×
27.01.2015
216.013.20a1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОГО СЛОЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью. Изобретение обеспечивает повышение диэлектрической прочности диоксида кремния, обеспечивающей технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления тонкого слоя диоксида кремния проводят двухстадийный процесс термического окисления кремния: сначала при низкой температуре во влажном кислороде, а затем при повышенной температуре в атмосфере сухого кислорода с добавкой трихлорэтилена CHCl. 1 табл.
Основные результаты: Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния, включающий окисление поверхности кремния, термический отжиг, отличающийся тем, что окисление проводят в две стадии, сначала во влажном О в диапазоне температур 850-1000°С в течение 3-4 мин, затем в атмосфере сухого O с добавкой трихлорэтилена при температуре 1010-1060°С в течение 9-11 мин с последующим отжигом в инертной среде в течение 60 мин.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью.

Известен способ изготовления слоя диоксида кремния [Пат. №2128382 РФ, МКИ H01L 21/205] путем нанесения пленки диоксида кремния на кремниевую подложку и циклической низкотемпературной обработки структур в жидком азоте, чередующуюся через 30-60 с, с выдержкой при комнатной температуре. В пленках диоксида кремния, изготовленных таким способом, ухудшаются параметры за счет резкой смены температур.

Известен способ изготовления слоя диоксида кремния [Пат. №5132244 США, МКИ H01L 21/322] путем введения операции предварительного геттерирования и высокотемпературного отжига до и после окисления.

Недостатками этого способа являются:

- плохая технологическая воспроизводимость;

- низкая диэлектрическая прочность;

- значительные утечки.

Задача, решаемая изобретением: повышение диэлектрической прочности диоксида кремния, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем применения двухстадийного процесса термического окисления кремния: сначала при низкой температуре во влажном О2, а затем при повышенной температуре в атмосфере сухого О2 с добавкой C2HCl3.Технология способа состоит в следующем. Исследование проводили на кремниевых подложках n-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом·см с ориентацией (111). Перед процессом окисления в диффузионной печи подложки кремния подвергались стандартной химической обработке. Затем проводили двухстадийное окисление: первую стадию окисления кремниевой подложки во влажном О2 в диапазоне температур 850-1000°С в течение 3-4 мин; вторую стадию проводили в течение 9-11 мин в сухом О2 с расходом 500 мл/мин и расходом N2 через питатель C2HCl3 80 мл/мин при 1010-1060°С. После окисления подложки подвергались отжигу в атмосфере N2 или Ar в течение одного часа. В течение первой стадии окисления при низкой температуре в сухом О2 наращивается SiO2 с высокой диэлектрической прочностью, а на второй высокотемпературной стадии в атмосфере сухого О2 с добавкой трихлорэтилена C2HCl3 связываются поверхностные состояния на границе Si/SiO2. В результате на полупроводниковой подложке формируется диоксид кремния с повышенной диэлектрической прочностью.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы структуры диоксида кремния. Результаты измерений параметров представлены в таблице.

Параметры п/п структур, изготовленных по технологии прототипа Параметры п/п структур, изготовленных по предлагаемой технологии
диэлектрическая прочность, мВ/см ток утечки, Iут·1012, А диэлектрическая прочность, мВ/см ток утечки, Iут·1012, А
1 3,3 97 22 4,5
2 3,2 84 20 4,0
3 3,0 76 17 3,5
4 3,0 89 18 4,2
5 3,4 93 20 4,3
6 2,5 68 15 3,1
7 2,9 87 17 4,3
8 2,7 77 16 3,9
9 3,1 91 18 4,4
10 2,6 72 15 3,5
11 2,5 65 14 3,4
12 2,8 83 19 3,9

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 14,7%.

Технический результат: повышение диэлектрической прочности диоксида кремния, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления слоя диоксида кремния путем применения двухстадийного процесса термического окисления кремния сначала при температуре 850-1000°С во влажном О2, а затем при температуре 1010-1060°С в атмосфере сухого О2 с добавкой C2HCl3 позволяет повысить их надежность.

Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния, включающий окисление поверхности кремния, термический отжиг, отличающийся тем, что окисление проводят в две стадии, сначала во влажном О в диапазоне температур 850-1000°С в течение 3-4 мин, затем в атмосфере сухого O с добавкой трихлорэтилена при температуре 1010-1060°С в течение 9-11 мин с последующим отжигом в инертной среде в течение 60 мин.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 68 items.
27.02.2013
№216.012.2ca1

Электронно-оптический преобразователь

Изобретение относится к электронной технике, в частности к электронно-оптическим преобразователям инфракрасного излучения с высокой разрешающей способностью. Технический результат: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476952
Дата охранного документа: 27.02.2013
27.02.2013
№216.012.2ca4

Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476955
Дата охранного документа: 27.02.2013
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.02.2014
№216.012.9ff8

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения - в способе изготовления полупроводникового диода для формирования пассивирующего покрытия последовательно наносят пять слоев, включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506660
Дата охранного документа: 10.02.2014
27.04.2014
№216.012.bedf

Устройство для тренировки мышц ног и координации движений у детей с элементами интеллектуальных игр

Изобретение относится к области спортивных и игровых тренажеров и может быть использовано в целях гармоничного развития и совершенствования ребенка. Предлагаемое устройство содержит персональный компьютер (ПК), в состав которого входят системный блок, две оптические мышки, дисплей и клавиатура,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002514603
Дата охранного документа: 27.04.2014
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
Showing 1-10 of 119 items.
27.01.2013
№216.012.1f66

N,n-диаллиласпарагиновая кислота и способ ее получения

Изобретение относится к области химии, конкретно к N,N-диаллиласпарагиновой кислоте формулы которая может найти применение в качестве исходного соединения (мономера) для получения новых полиэлектролитов с регулируемым кислотно-основным и гидрофильно-гидрофобным балансом, используемых в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473539
Дата охранного документа: 27.01.2013
20.02.2013
№216.012.27c2

Способ взрывной отбойки массивов горных пород

Изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано при открытой разработке скальных горных пород. Способ взрывной отбойки массивов горных пород включает предварительное районирование пород по трещиноватости, блочности и взрываемости с выделением элементарных однородных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475698
Дата охранного документа: 20.02.2013
27.02.2013
№216.012.2ab5

Полимерная композиция

Изобретение относится к композиционным полимерным материалам на основе бутадиен-акрилонитрильного эластомера, которые находят широкое применение в производстве кабельной продукции, в обувной промышленности. Композиция содержит бутадиен-акрилонитрильный эластомер СКН-26, поливинилхлорид, серу,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476460
Дата охранного документа: 27.02.2013
10.03.2013
№216.012.2ddc

Моно- и дикетимины на основе 4,4'-диацетилдифенилоксида и гуанидина и способ их получения

Предлагаются новые органические соединения на основе 4,4'-диацетилдифенилоксида и гуанидина, содержащие в своей структуре кетиминовые связи, и способ их получения, заключающийся во взаимодействии спиртового раствора карбоната или бикарбоната гуанидина с 4,4'-диацетилдифенилоксидом в этаноле при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002477271
Дата охранного документа: 10.03.2013
20.03.2013
№216.012.2fa8

Термопластичная композиция на основе полисульфона

Изобретение относится к полимерным композициям на основе полисульфона и могут применяться в производстве конструкционных пленочных изделий. Композиция содержит полисульфон 91-97 вес.% и полигидроксиэфир на основе бисфенола А с молекулярной массой 45000-60000 3-9 вес.%. Изобретение позволяет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002477735
Дата охранного документа: 20.03.2013
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
27.04.2014
№216.012.bedf

Устройство для тренировки мышц ног и координации движений у детей с элементами интеллектуальных игр

Изобретение относится к области спортивных и игровых тренажеров и может быть использовано в целях гармоничного развития и совершенствования ребенка. Предлагаемое устройство содержит персональный компьютер (ПК), в состав которого входят системный блок, две оптические мышки, дисплей и клавиатура,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002514603
Дата охранного документа: 27.04.2014
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
+ добавить свой РИД