Правообладатель РИД: Черкесова Наталья Васильевна

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления нитрида кремния с пониженным значением дефектности. Технология способа состоит в следующем: на полупроводниковой Si подложке формируют нитрид кремния путем пропускания...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковой структуры с пониженной дефектностью. Технология способа состоит в следующем: в кремниевые пластины со скрытыми слоями кремния, легированные Sb и...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии увеличения адгезии к полупроводниковой структуре. Техническим результатом является увеличение адгезии, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и...

Способ формирования пленки оксинитрида кремния толщиной 50 нм на подложке кремния при температуре 380°С, давлении 133 Па, при потоке SiН – 390 см/мин, NО - 1300 см/мин и NН-1200 см/мин, с последующей термообработкой при температуре 850°С в течение 10 мин позволяет повысить процент выхода...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования активных областей полевых транзисторов включает формирование активных областей полевого транзистора на кремниевой подложке n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см. На...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления межсоединений с пониженным значением сопротивления. Технология способа состоит в следующем: методом электронно-лучевого испарения наносят нижний слой хрома толщиной 5-20 нм...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким коэффициентом усиления и повышенной радиационной стойкостью. Способ изготовления радиационно стойкого биполярного транзистора включает...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким коэффициентом усиления и повышенной радиационной стойкостью. Способ изготовления радиационно стойкого биполярного транзистора включает...

Изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Способ увеличения адгезии полупроводниковой структуры включает формирование на пластине кремния областей диоксида кремния и барьерного слоя молибдена. Барьерный слой молибдена наносят толщиной 100 нм с...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления многослойных проводников с пониженным значением контактного сопротивления. Согласно изобретению многослойный контакт Au/Pd/Ni/Ge формируют путем последовательного осаждения...