×
01.09.2019
219.017.c509

Способ формирования гетероструктуры

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002698538
Дата охранного документа
28.08.2019
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления гетероструктур с низкой плотностью дефектов. Предложенный способ формирования гетероструктуры InAs на подложках GaAs путем подачи триэтилиндия и арсина при температуре подложки 600°С со скоростью потока арсина 15 мл/мин, со скоростью потока водорода через барботер и триэтилиндия 2,5 л/мин при скорости роста пленки 1 нм/с с последующим отжигом в течение 60 с в потоке азота при температуре 700°С позволяет повысит процент выхода годных структур и улучшит их надежность.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления гетероструктур с низкой плотностью дефектов.

Известен способ формирования на подложках полупроводникового соединения А3В5 [Заявка 2248456 Великобритания, МКИ С23С 14/24] посредством молекулярно лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений типа А3В5, например GaAs, на подложках кремния или GaAs. Для формирования пленок используют газообразные вещества, например хлориды, бромиды или фосфиды Ga или индия, а также РН3. или AsH3, очищенные от углерода. Из-за формирования структур при различных температурных режимах и в различных средах повышается дефектность структуры и ухудшаются электрофизические параметры.

Известен способ формирования гетероструктуры [Заявка 126819 Япония, МКИ H01L 21/20] обеспечивающий снижение плотности дислокаций в гетероструктурах, например GaAs/Si формированием многослойной переходной структуры, в которой аморфные слои чередуются с полупроводниковыми слоями и каждый из них имеет строго фиксированную толщину. Затем наносят эпитаксиальный слой имеющий параметр решетки, отличный от параметра решетки монокристаллической кремниевой подложки.

Недостатками этого способа являются:

- высокая плотность дефектов;

- повышенные значения тока утечки;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием гетероструктуры InAs со скоростью роста пленки 1 нм/с на подложках GaAs путем подачи триэтилиндия и арсина при температуре подложки 600°С, со скоростью потока арсина 15 мл/мин, скорости потока водорода через барботер с триэтилиндия 2.5 л/мин и. с последующим отжигом в течение 60 с в потоке азота при температуре 700°С

Технология способа состоит в следующем: к подложкам GaAs подавали пары триэтилиндия путем барботирования водорода. Формировали гетероструктуры InAs со скоростью роста пленки 1 нм/с на подложках GaAs путем подачи триэтилиндия и арсина при температуре подложки 600°С, со скоростью потока арсина 15 мл/мин, скорости потока водорода через барботер с триэтилиндия 2.5 л/мин и. с последующим отжигом в течение 60 с в потоке азота при температуре 700°С

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 16,6%.

Предложенный способ формирования гетероструктуры InAs на подложках GaAs путем подачи триэтилиндия и арсина при температуре подложки 600°С, со скоростью потока арсина 15 мл/мин, скорости потока водорода через барботер с триэтилиндия 2.5 л/мин и скорости роста пленки 1 нм/с с последующим отжигом в течение 60 с в потоке азота при температуре 700°С позволяет повысит процент выхода годных структур и улучшит их надежность.

Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Способ формирования гетероструктуры, включающий подложку, процессы создания слоев, отличающийся тем, что гетероструктуру InAs на подложках GaAs формируют путем подачи триэтилиндия и арсина при температуре подложки 600°С, со скоростью потока арсина 15 мл/мин, со скоростью потока водорода через барботер и триэтилиндия 2,5 л/мин и со скоростью роста пленки 1 нм/с, с последующим отжигом в течение 60 с в потоке азота при температуре 700°С.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 87 items.
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.20a1

Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью. Изобретение обеспечивает повышение диэлектрической прочности диоксида кремния,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539801
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.05.2015
№216.013.4a87

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора. Изобретение обеспечивает снижение значений плотности дефектов, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550586
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
+ добавить свой РИД