11.03.2019
№219.016.d8c8
Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ GaO И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Вид РИД
Изобретение
№ охранного документа
0002313623
Дата охранного документа
27.12.2007
Аннотация:
Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. Сущность изобретения: тонкую монокристаллическую пленку β-GaO формируют путем выращивания из газовой фазы на подложке, изготовленной из монокристалла β-GaO. Лазерный луч направляют на мишень для возбуждения атомов, составляющих мишень. Атомы Ga высвобождаются из мишени в результате термического и фотохимического воздействия. Свободные атомы Ga связываются с радикалами одного или более газов в атмосфере камеры с образованием тонкой пленки β-GaO на подложке. Описано также светоизлучающее устройство, включающее подложку n-типа, изготовленную легированием монокристалла β-GaO донорами, слой p-типа, изготовленный легированием монокристалла β-GaO акцептором, и представленное в виде перехода на верхней поверхности подложки n-типа. Изобретение позволяет получать тонкие монокристаллические пленки β-GaO и GaN, а также монокристаллы ZnO высокого качества, светоизлучающее устройство способно излучать свет в ультрафиолетовой области. 7 н. и 17 з.п. ф-лы, 27 ил.
получениемподложки,изготовленнойизмонокристаллаβ-GaO;облучениемвозбуждающимлучомметаллическоймишени,изготовленнойизGaилисплава,содержащегоGa,ватмосфере,состоящейизодного,двухилиболеегазов,выбранныхизгазообразногокислорода,газообразногокислорода,содержащегоозон,чистогоозонсодержащегогаза,газообразногоNO,газообразногоNO,газообразногокислорода,содержащегорадикалыкислорода,ирадикаловкислорода;икомбинированиемхимическихчастиц,такихкакатомы,молекулыиионы,высвобождаемыхизметаллическоймишениподдействиемоблучениявозбуждающимлучом,соднимилиболеегазамисобразованиемнаподложкетонкоймонокристаллическойпленки,изготовленнойизβ-GaO.получениемподложки,изготовленнойизмонокристаллаβ-GaO;облучениемвозбуждающимлучомметаллическоймишени,изготовленнойизZnилисплава,содержащегоZn,ватмосфере,состоящейизодного,двухилиболеегазов,выбранныхизгазообразногокислорода,газообразногокислорода,содержащегоозон,чистогоозонсодержащегогаза,газообразногоNO,газообразногоNO,газообразногокислорода,содержащегорадикалыкислородаирадикаловкислорода;икомбинированиемхимическихчастиц,такихкакатомы,молекулыиионы,высвобождаемыхизметаллическоймишениподдействиемоблучениявозбуждающимлучом,соднимилиболеегазамисобразованиемнаподложкемонокристалла,изготовленногоизZnO.выращиваниетонкоймонокристаллическойпленкиизZnOвыполняютпутемформированиябуферногослоя,изготовленногоизтонкойкристаллическойпленкиZnO,ивыращиваниятонкоймонокристаллическойпленкинабуферномслое.получениемподложки,изготовленнойизмонокристаллаβ-GaO;облучениемвозбуждающимлучомметаллическоймишени,изготовленнойизGaилисплава,содержащегоGa,ватмосфере,состоящейизодного,двухилиболеегазов,выбранныхизрадикаловазота,газообразногоNH,газообразногоNH,содержащегорадикалыазота;икомбинированиемхимическихчастиц,такихкакатомы,молекулыиионы,высвобождаемыхизметаллическоймишениподдействиемоблучениявозбуждающимлучом,соднимилиболеегазамисобразованиемнаподложкетонкоймонокристаллическойпленкиизGaN.выращиваниетонкоймонокристаллическойпленкиизGaNвыполняютпутемформированиябуферногослоя,изготовленногоизтонкойкристаллическойпленкиGaN,ивыращиваниятонкоймонокристаллическойпленкинабуферномслое.первогослоя,изготовленногоизмонокристаллаGaOиобладающегопроводимостьюn-типа;ивторогослоя,изготовленногоизмонокристаллаGaOиобладающегопроводимостьюp-типаисформированногонапервомслое.активногослоямеждупервымслоемивторымслоем.одинизпервогоивторогослоевявляетсяподложкой,адругойявляетсятонкойпленкой,которуювыращиваютнаподложке.поверхностьподложки,накоторойвыращиваюттонкуюпленку,являетсяплоскостью(010).поверхностьподложки,накоторойвыращиваюттонкуюпленку,являетсяплоскостью(101).первыйслойявляетсяподложкойилитонкойпленкойиподложкаилитонкаяпленкаобладаетпроводимостьюn-типавследствиедефектовпокислородувмонокристаллеGaO.первыйслойявляетсяподложкойилитонкойпленкой;иподложкаилитонкаяпленкаобладаетпроводимостьюn-типавследствиедобавлениядонорнойпримесивподложкуилитонкуюпленку.второйслойявляетсяподложкойилитонкойпленкойиподложкаилитонкаяпленкаобладаетпроводимостьюp-типавследствиедефектовпокислородувмонокристаллеGaO.второйслойявляетсяподложкойилитонкойпленкойиподложкаилитонкаяпленкаобладаетпроводимостьюp-типавследствиедобавленияакцепторнойпримесивподложкуилитонкуюпленку.подложки,изготовленнойизмонокристаллаGaO,обладающейпроводимостьюn-типа;итонкойпленки,изготовленнойизмонокристаллаGaO,обладающейпроводимостьюp-типаисформированнойнаподложке.тонкуюпленку,изготовленнуюизмонокристаллаGaO,имеющуюконцентрациюносителя,отличнуюотконцентрацииносителяподложки,иобладающуюпроводимостьюn-типа,формируютмеждуподложкойитонкойпленкой,обладающейпроводимостьюp-типа.буферныйслой,изготовленныйизмонокристаллаGaO,формируютмеждуподложкойитонкойпленкой,обладающейпроводимостьюn-типа.подложки,изготовленнойизмонокристаллаGaOиобладающейпроводимостьюp-типа;итонкойпленки,изготовленнойизмонокристаллаGaO,обладающейпроводимостьюn-типаисформированнойнаподложке.тонкуюпленку,изготовленнуюизмонокристаллаGaO,имеющуюконцентрациюносителя,отличнуюотконцентрацииносителяподложкииобладающуюпроводимостьюp-типа,формируютмеждуподложкойитонкойпленкой,обладающейпроводимостьюn-типа.буферныйслой,изготовленныйизмонокристаллаGaO,формируютмеждуподложкойитонкойпленкой,обладающейпроводимостьюp-типа.формированиемподложки,изготовленнойизмонокристаллаGaOиобладающейпроводимостьюn-типа;отжигомподложкисобразованиемизолирующейподложки;добавлениемдонорскойпримесинаизолирующуюподложкусобразованиемтонкойпленки,обладающейпроводимостьюn-типа;идобавлениемакцепторнойпримесивтонкуюпленкусобразованиемнанейдополнительнойтонкойпленки,обладающейпроводимостьюp-типа.1.Способвыращиваниятонкоймонокристаллическойпленки,характеризующийся12.Способвыращиваниятонкоймонокристаллическойпленки,характеризующийся23.Способвыращиваниятонкоймонокристаллическойпленкипоп.2,характеризующийсятем,что34.Способвыращиваниятонкоймонокристаллическойпленки,характеризующийся45.Способвыращиваниятонкоймонокристаллическойпленкипоп.4,характеризующийсятем,что56.Способвыращиваниятонкоймонокристаллическойпленкиполюбомуизпп.1,2и4,характеризующийсятем,чтополучениеподложкиосуществляютпутемформированияпоспособуплавающейзоны-FZ.67.СветоизлучающееустройствонаосновеGaO,характеризующеесяналичием78.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.7,характеризующеесяналичием89.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.7,характеризующеесятем,что910.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.9,характеризующеесятем,чтоповерхностьподложки,накоторойвыращиваюттонкуюпленку,являетсяплоскостью(100).1011.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.9,характеризующеесятем,чтоповерхностьподложки,накоторойвыращиваюттонкуюпленку,являетсяплоскостью(001).1112.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.9,характеризующеесятем,что1213.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.9,характеризующеесятем,что1314.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.7,характеризующеесятем,что1415.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.7,характеризующеесятем,что1516.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.7,характеризующеесятем,что1617.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.7,характеризующеесятем,что1718.СветоизлучающееустройствонаосновеGaO,характеризующеесяналичием1819.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.18,характеризующеесятем,что1920.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.19,характеризующеесятем,что2021.СветоизлучающееустройствонаосновеGaO,характеризующеесяналичием2122.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.21,характеризующеесятем,что2223.СветоизлучающееустройствонаосновеGaOпоп.22,характеризующеесятем,что2324.Способизготовлениясветоизлучающегоустройстванаосновеβ-GaO,характеризующийся24
Источник поступления информации:
Роспатент
Showing 1-1 of 1 item.
13.01.2017
№217.015.8561
Детектор излучения
Изобретение относится к детектору излучения, используемому в устройствах визуализации медицинской радиологии. Детектор излучения включает в себя трехмерный многослойный сцинтиллятор, который включает в себя множество блоков сцинтиллятора, упорядоченных в матрицу трехмерным образом так, чтобы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603240
Дата охранного документа: 27.11.2016
