×

Автор РИД: ВАСЕДА ЮНИВЕРСИТИ (JP)

Показаны записи 1-2 из 2.
11.03.2019
№219.016.d8c8

Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее устройство на основе gao и способ его изготовления

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. Сущность изобретения: тонкую монокристаллическую пленку β-GaO формируют путем выращивания из газовой фазы на подложке, изготовленной из монокристалла β-GaO. Лазерный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313623
Дата охранного документа: 27.12.2007
13.01.2017
№217.015.8561

Детектор излучения

Изобретение относится к детектору излучения, используемому в устройствах визуализации медицинской радиологии. Детектор излучения включает в себя трехмерный многослойный сцинтиллятор, который включает в себя множество блоков сцинтиллятора, упорядоченных в матрицу трехмерным образом так, чтобы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603240
Дата охранного документа: 27.11.2016
+ добавить свой РИД