×

Правообладатель РИД: ИТИНОСЕ Нобору (JP)

Показаны записи 1-1 из 1.
11.03.2019
№219.016.d8c8

Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее устройство на основе gao и способ его изготовления

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. Сущность изобретения: тонкую монокристаллическую пленку β-GaO формируют путем выращивания из газовой фазы на подложке, изготовленной из монокристалла β-GaO. Лазерный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313623
Дата охранного документа: 27.12.2007
+ добавить свой РИД