×
25.08.2017
217.015.9ffc

Результат интеллектуальной деятельности: Ионный диод с магнитной самоизоляцией

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к ускорительной технике и предназначено для получения мощных пучков заряженных частиц, которые используются для радиационно-пучкового модифицирования изделий из металлов с целью повышения их эксплуатационных характеристик. Ионный диод с магнитной самоизоляцией содержит потенциальный электрод (1), полосковый заземленный электрод (2), соединенный одной стороной с корпусом камеры, и установленный на заземленном электроде металлический экран (4), который выполнен замкнутым, коробчатой формы. При этом ширина потенциального электрода в 1,5-2 раза больше, чем ширина заземленного электрода. Технический результат - уменьшение расходимости ионного пучка, повышение плотности энергии МИП в фокусе и ее стабильности в серии импульсов. 8 ил.

Изобретение относится к ускорительной технике и предназначено для получения мощных пучков заряженных частиц, которые используются для радиационно-пучкового модифицирования изделий из металлов с целью повышения их эксплуатационных характеристик.

Известны диоды с внешней магнитной изоляцией, предназначенные для генерации импульсных мощных ионных пучков (МИП) [Быстрицкий В.М., Диденко А.Н. Мощные ионные пучки. М.: Энергоатомиздат, 1984. 152 с.], состоящие из анода, катода и источника внешнего магнитного поля. МИП формируются путем прямого ускорения ионов из плазмы, образованной на поверхности анода при импульсном пробое по поверхности диэлектрических вставок или при инжекции плазмы в прианодную область от внешнего плазменного источника. Недостатком известного устройства является ограниченный ресурс работы. Кроме того, в таких источниках можно получать пучки с ограниченным типом ионов, определяемым диэлектриком. Диоды с инжекцией плазмы от внешнего плазменного источника принципиально позволяют получать ионные пучки различного состава, но сложны в реализации, поскольку на аноде диода требуется создать достаточно однородный слой плазмы плотностью более 1013 см-3 с возможностью изменять состав плазмы. Дополнительный источник напряжения для создания магнитного поля в диоде, системы синхронизации и ввода плазмы в зазор усложняют конструкцию ионного диода, снижают надежность и эффективность генерации МИП.

Наиболее близким к предлагаемому устройству является выбранный нами за прототип полосковый ионный диод с магнитной самоизоляцией [G.E. Remnev, I.F. Isakov, et all, High-power ion sources for industrial application // Surf. and Coatings Technol., 1997, vol. 96, pp. 103-109]. Полосковый ионный диод с магнитной самоизоляцией состоит из потенциального электрода и заземленного электрода, соединенного с корпусом камеры с одной стороны. Потенциальный электрод изготовлен из графита длиной 24 см и шириной 4,5 см, заземленный электрод - из полосы нержавеющей стали длиной 28 см, шириной 4,5 см и толщиной 3 мм, с прорезями 0,4 см×5 см, прозрачность 60%. Ширина потенциального и заземленного электродов одинакова. На заземленном электроде установлены экраны, выполненные в виде продольных пластин с прорезями. Для создания плотной плазмы необходимого состава на поверхности потенциального электрода диода используется явление взрывной электронной эмиссии. Поперечное магнитное поле в анод-катодном зазоре формируется собственным током диода при протекании по заземленному электроду. В этой конструкции диода дополнительный источник магнитного поля, система синхронизации и ввода плазмы в зазор не требуются, что значительно упрощает конструкцию генератора МИП.

Ионный диод с магнитной самоизоляцией работает следующим образом. От генератора наносекундных импульсов к потенциальному электроду ионного диода прикладываются сдвоенные разнополярные импульсы - первый отрицательный и второй положительный. В течение первого импульса на поверхности потенциального электрода диода образуется взрывоэмиссионная плазма. В течение второго импульса из взрывоэмиссионной плазмы эмитируют ионы, которые ускоряются в анод-катодном зазоре. Через прорези в заземленном электроде основная часть ионов проходит в область транспортировки МИП. В течение генерации ионного пучка (второй импульс) электроны эмитируют с поверхности заземленного электрода и далее дрейфуют вдоль его поверхности от точки заземления к свободному концу электрода.

Недостатком устройства-прототипа является высокая расходимость ионного пучка при транспортировке от диода до мишени. Ток, протекающий по заземленному электроду, формирует магнитное поле не только в анод-катодном зазоре диода, но и в области транспортировки ионов до мишени. Продольные пластины с прорезями, установленные на заземленном электроде, не обеспечивают достаточное ослабление магнитного поля в области транспортировки МИП. Расходимость ионного пучка достигает 10-11° (половинный угол). Для получения мощных ионных пучков с высокой плотностью энергии при фокусировке необходимо снижать расходимость ионного пучка. Расходимость ионного пучка определяется влиянием паразитных электромагнитных полей в области транспортировки от диода до мишени и искажением электрического поля в А-К зазоре диода.

Технический результат предлагаемого изобретения заключается в снижении расходимости ионного пучка с 10° до 5° и повышении плотности энергии МИП в фокусе с 2-3 Дж/см2 до 10 Дж/см2. Дополнительный технический результат заключается в повышении стабильности работы ионного диода. Стандартная девиация плотности энергии МИП в фокусе диода снизилась в серии импульсов с 10-12% до 5-6%.

Технический результат достигается тем, что в ионном диоде с магнитной самоизоляцией, содержащем потенциальный электрод, полосковый заземленный электрод, который соединен одной стороной с корпусом камеры, и металлический экран, установленный на заземленном электроде, согласно предложенному решению, металлический экран выполнен замкнутым, коробчатой формы, а ширина потенциального электрода в 1,5-2 раза больше, чем ширина заземленного электрода.

Изобретение поясняется графическими материалами. Фиг. 1 - пример выполнения конструкции фокусирующего полоскового диода с магнитной самоизоляцией, где обозначено: 1 - потенциальный электрод, 2 - заземленной электрод, 3 - точка заземления, 4 - экран, 5 - конец диода. Фиг. 2 - сечение А-А фиг. 1. Фиг. 3 - представлено распределение плотности энергии МИП в фокусной плоскости для диода с широким потенциальным электродом и с коробчатым экраном - кривая 6, и узким потенциальным электродом с экранами в виде пластин с прорезями - кривая 7, абсолютные - Фиг. 3а и нормированные - Фиг. 3б значения. Фиг. 4 - представлено изменение плотности энергии МИП в фокусе в серии импульсов для фокусирующего диода с широким потенциальным электродом и с коробчатым экраном - Фиг. 4а, и узким потенциальным электродом с экранами в виде пластин с прорезями - Фиг. 4б. Фиг. 5 - представлен отпечаток МИП на термобумаге. Фиг. 6 - представлено распределение плотности энергии МИП для плоского полоскового диода с широким потенциальным электродом и с коробчатым экраном - Фиг. 6а, и узким потенциальным электродом с экранами в виде пластин с прорезями - Фиг. 6б. Фиг. 7 - ионный диод по прототипу с магнитной самоизоляцией плоской и фокусирующей геометрии. Фиг. 8 - пример конкретного выполнения заявляемого ионного диода с магнитной самоизоляцией плоской и фокусирующей геометрии.

Полосковый ионный диод с магнитной самоизоляцией содержит полосковый потенциальный электрод 1 и полосковый заземленный электрод 2 (фиг. 1). Заземленный электрод соединен с корпусом диодной камеры только с одной стороны в точке заземления 3. В ионном диоде с магнитной самоизоляцией для обеспечения снижения паразитных электромагнитных полей в области транспортировки ионного пучка до мишени на заземленный электрод установлен замкнутый металлический экран 4 (фиг. 1) коробчатой конструкции без прорезей. Для повышения однородности электрического поля в анод-катодном зазоре ионного диода ширина полоскового потенциального электрода 1 превышает в 1,5-2 раза ширину полоскового заземленного электрода 2 (фиг. 2).

При увеличении ширины потенциального электрода более чем в 2 раза по сравнению с заземленным электродом распределение электрического поля в анод-катодном зазоре диода не изменяется, но начинает развиваться электрический пробой между потенциальным электродом и корпусом диодной камеры.

Ионный диод с магнитной самоизоляцией работает следующим образом. От генератора наносекундных импульсов к потенциальному электроду 1 ионного диода прикладываются сдвоенные разнополярные импульсы - первый отрицательный (300-500 нс, 100-150 кВ) и второй положительный (120 нс, 250-300 кВ). В течение первого импульса на поверхности графитового потенциального электрода 1 образуется взрывоэмиссионная плазма. В течение второго импульса из взрывоэмиссионной плазмы потенциального электрода 1 эмитируют ионы, которые ускоряются в анод-катодном зазоре. Затем основная часть ионов проходит в область транспортировки МИП. В течение генерации ионного пучка (второй импульс) электроны эмитируют с поверхности заземленного электрода 2. При этом электроны движутся по заземленному электроду 2 от точки заземления 3 к точке эмиссии, формируя магнитное поле в зазоре, вектор магнитной индукции которого перпендикулярен вектору напряженности электрического поля. В скрещенных электрическом и магнитном полях (B⊥E) под действием силы Лоренца последующие электроны меняют направление движения от поперечного (с заземленного электрода к потенциальному) к продольному вдоль поверхности заземленного электрода 2 к концу диода 5.

Пример конкретного выполнения 1. Потенциальный электрод 1 фокусирующего полоскового диода изготовлен из графита длиной 22 см и шириной 9 см, рабочая сторона потенциального электрода имеет полуцилиндрическую поверхность радиусом 15 см. Заземленный электрод 2 выполнен из полосы нержавеющей стали длиной 24 см, толщиной 0,2 см и шириной 4,5 см. Рабочая поверхность заземленного электрода 2 выполнена полуцилиндрической с радиусом изгиба 14,5 см, с прорезями 0,4 см×2 см. На заземленный электрод 2 установлен экран 4 коробчатой конструкции, выполненный из нержавеющей стали толщиной 1 мм. Ширина экрана 4 (по радиусу) составляла 10 см. На фиг. 3 показано распределение плотности энергии МИП в ионном диоде с узким потенциальным электродом (по прототипу, Фиг. 7) и в ионном диоде с широким потенциальным электродом и с коробчатым экраном (по заявляемому устройству, Фиг. 8). Из фиг. 3 видно, что расходимость МИП в ионном диоде с широким потенциальным электродом и с коробчатым экраном ниже и составляет 5°. Плотность энергии МИП в фокусе при этом возросла до 10 Дж/см2. Изменение конструкции фокусирующего диода увеличило стабильность плотности энергии МИП в фокусе в серии импульсов. На фиг. 4 приведены результаты статистических исследований. Стандартная девиация плотности энергии МИП в серии импульсов снизилась с 10-15% до 5-6%.

Пример конкретного выполнения 2. Потенциальный электрод 1 плоского полоскового диода изготовлен из графита длиной 22 см и шириной 8 см. Заземленный электрод 2 выполнен из полосы нержавеющей стали длиной 24 см, толщиной 0,2 см и шириной 4,5 см. Рабочая поверхность заземленного электрода выполнена с прорезями 0,4 см×2 см, Фиг. 8. На заземленный электрод 2 установлен экран 4 коробчатой конструкции без прорезей, выполненный из нержавеющей стали толщиной 1 мм. Ширина экрана (по направлению движения ионов) составляла 6 см. На фиг. 5 приведены результаты измерения расходимости пучка камерой-обскурой. Отверстия в диафрагме 2 мм, расстояние от диафрагмы до термобумаги 50 мм, средний диаметр отпечатка МИП на термобумаге 5 мм. Измерения показали, что расходимость ионного пучка в области транспортировки не превышает 3° (половинный угол). На фиг. 6 приведено распределение плотности энергии мощного ионного пучка в плоском полосковом диоде. Изменение конструкции плоского полоскового диода увеличило однородность плотности энергии МИП в поперечном сечении.

Таким образом, установка на заземленный электрод металлического экрана коробчатой конструкции без прорезей и использование потенциального электрода шириной в 1,5-2 раза больше, чем ширина заземленного электрода, позволяют уменьшить расходимость ионного пучка, повысить плотность энергии МИП в фокусе и ее стабильность в серии импульсов.

Ионный диод с магнитной самоизоляцией, содержащий потенциальный электрод, полосковый заземленный электрод, который соединен одной стороной с корпусом камеры, и металлический экран, установленный на заземленном электроде, отличающийся тем, что металлический экран выполнен замкнутым, коробчатой формы, а ширина потенциального электрода в 1,5-2 раза больше, чем ширина заземленного электрода.
Ионный диод с магнитной самоизоляцией
Ионный диод с магнитной самоизоляцией
Ионный диод с магнитной самоизоляцией
Ионный диод с магнитной самоизоляцией
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 231-240 of 259 items.
13.07.2019
№219.017.b33b

Дисмембратор

Изобретение относится к устройствам для измельчения различных материалов и может быть использовано в строительной, химической и других отраслях промышленности, в частности для переработки твердого кускового сырья, например фторангидрита. Дисмембратор содержит цилиндрический корпус с загрузочным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694313
Дата охранного документа: 11.07.2019
25.07.2019
№219.017.b897

Устройство для моделирования многотерминальной передачи постоянного тока в энергетической системе

Изобретение относится к области моделирования объектов энергетических систем. Техническим результатом является обеспечение воспроизведения в реальном времени непрерывного спектра нормальных и анормальных процессов функционирования многотерминальной передачи постоянного тока и функционирование...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695501
Дата охранного документа: 23.07.2019
31.07.2019
№219.017.ba41

Способ определения влагозапаса в снежном покрове

Изобретение относится к области метеорологии и может быть использовано для определения влагозапаса снежного покрова. Сущность: проводят три измерения мощности дозы гамма-излучения в приземной атмосфере. Первое измерение производят до начала установления снежного покрова, второе - при толщине...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695949
Дата охранного документа: 29.07.2019
01.08.2019
№219.017.baea

Способ ультразвукового контроля дефектности металлических изделий

Использование: для дефектоскопии металлических изделий сложной формы. Сущность изобретения заключается в том, что способ ультразвукового контроля дефектности металлических изделий включает измерение двумерного профиля поверхности изделия с помощью электрического щупа, выбирая три реперные точки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695950
Дата охранного документа: 29.07.2019
10.08.2019
№219.017.bdf1

Тепловой дефектоскоп

Изобретение относится к неразрушающему контролю скрытых дефектов в композиционных материалах и изделиях активным тепловым методом, используемых в авиакосмической, ракетной, атомной, машиностроительной и энергетической отраслях промышленности. Тепловой дефектоскоп содержит открытый корпус,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696933
Дата охранного документа: 07.08.2019
16.08.2019
№219.017.c028

Устройство для теплового неразрушающего контроля крупногабаритных цилиндрических изделий

Изобретение относится к неразрушающему контролю скрытых дефектов в тепло- и гидроизоляционных обшивках крупногабаритных цилиндрических изделий, относящихся к химической, нефтегазовой и ракетно-космической отраслям промышленности с использованием активного теплового метода. Устройство для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697437
Дата охранного документа: 14.08.2019
23.08.2019
№219.017.c31a

Способ определения параметров полного сопротивления двухполюсника и устройство для его осуществления

Изобретения относятся к электроизмерительной технике, а именно к измерению активного, реактивного и полного сопротивления двухполюсника, и могут быть использованы для измерения параметров пассивных электрических цепей. Способ определения параметров полного сопротивления двухполюсника включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698072
Дата охранного документа: 21.08.2019
01.09.2019
№219.017.c55b

Способ прогнозирования износостойкости твердосплавных режущих инструментов

Изобретение относится к области обработки металлов резанием и может быть использовано для прогнозирования - контроля износостойкости твердосплавных режущих инструментов при их изготовлении, использовании или сертификации. Способ прогнозирования износостойкости твердосплавных группы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698490
Дата охранного документа: 28.08.2019
01.09.2019
№219.017.c573

Способ прогнозирования износостойкости твердосплавных режущих инструментов

Изобретение относится к области машиностроения и касается прогнозирования и контроля износостойкости твердосплавных группы применяемости К режущих инструментов по интенсивности отражения светового потока, создаваемого спектрометром от диагностируемого полиоксидного поверхностного образования,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698481
Дата охранного документа: 28.08.2019
01.09.2019
№219.017.c593

Нулевой радиометр

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для измерения характеристик электромагнитного поля, и может быть использовано, например, в дистанционном зондировании Земли, медицине, поиске радиотепловых аномалий, гиперспектральных исследованиях природных сред. Нулевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698488
Дата охранного документа: 28.08.2019
Showing 151-151 of 151 items.
24.05.2023
№223.018.6faa

Способ генерации импульсного пучка легких ионов

Изобретение относится к способу генерации импульсного пучка легких ионов и может использоваться для технологий радиационно-пучкового модифицирования изделий, а также для инициирования ядерных реакций. Способ включает подачу сдвоенных разнополярных наносекундных импульсов напряжения к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002795950
Дата охранного документа: 15.05.2023
+ добавить свой РИД