Автор РИД: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к волноводным элементам, и может быть использовано в волноводной, антенной и СВЧ-измерительной технике. Уголковый изгиб волноводного тракта содержит входной волновод 1, выходной волновод 2 и соединяющий их участок 3, имеющий наружную стенку в виде...

Изобретение относится к радиоэлектронике. Технический результат изобретения - обеспечение цифровой регулировки формы огибающей выходных радиоимпульсов передатчиков радиолокационных систем. Для этого предложено цифровое устройство формирования огибающей выходных сигналов передатчиков...

Изобретение относится к области изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности, в частности, при производстве металлизированных плат для силовых модулей. Способ изготовления...

Изобретение относится к электронной технике, а именно, касается технологии изготовления гибридных микросхем, и может быть использовано в производстве гибридных фотоэлектрических сборок путем микросварки. В частности, в инфракрасной фотоэлектронике используются гибридные сборки...

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов силовых полупроводниковых модулей. Техническим результатом изобретения является создание герметичного металлокерамического корпуса силового полупроводникового модуля, обладающего низкими...

Использование: для создания нового поколения СВЧ элементной базы и МИС СВЧ на основе графена. Сущность изобретения заключается в том, что переключатель СВЧ изготовлен на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно размещены слой оксида кремния (SiO),...

Изобретение относится к полупроводниковым изделиям, предназначенным для СВЧ управляющих устройств. Сущность изобретения заключается в том, что коммутирующее устройство СВЧ с изолированными электродами изготовлено на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно...

Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла. Сущность...

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей,...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на...