×
26.10.2019
219.017.db28

Результат интеллектуальной деятельности: Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности, в частности, при производстве металлизированных плат для силовых модулей. Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями, включает нанесение вакуумным осаждением на поверхность керамической пластины тонкоплёночного слоя титан-медь, состоящего из титана и осажденной на него меди. Тонкоплёночный слой титан-медь покрывают тонкопленочным слоем химического никеля, формируют фотолитографическим травлением рисунок металлизации по тонкоплёночному слою химического никеля. В упомянутых переходных отверстиях размещают медные вставки высотой, меньшей толщины керамической пластины на величину не более толщины припоя, после чего к покрытым никелем участкам тонкоплёночного слоя, предназначенным для работы при повышенных токовых нагрузках, под давлением 0,01-0,03 кгс/мм прижимают аппликации из медной фольги и проводят пайку припоем серебро-медь в вакуумной или водородной среде. Обеспечивается совмещение в одном технологическом процессе изготовление плат для изделий повышенной мощности с выполнением части элементов из меди большой толщины и части элементов методом травления по тонкоплёночной металлизации1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями и может найти применение в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности, в частности, при производстве металлизированных плат для силовых модулей.

Известен способ изготовления керамических подложек металлизированных методом DBC (Патент РФ № 2433506, МПК H01L35/08, H01L35/34, опубликован 10.11.2011). Сущность метода DBC состоит в том, что предварительно проводят окисление поверхности пластины из алюмонитридной керамики, после чего пластину соединяют с медью при температуре 1064°С эвтектикой Cu-CuO2. Одним из недостатков метода DBC является то, что эвтектика Cu-CuO2 отличается повышенной хрупкостью и пониженной стойкостью соединения в условиях циклического изменения температур. Также в изделиях из керамики, металлизированной по данному способу, нельзя сформировать металлизированные переходные отверстия.

Известен способ металлизации керамики, включающий нанесение на керамическую пластину адгезионного слоя, а именно слоя молибден-марганцевого состава, и слоя порошкообразной меди, с последующим одновременным их вжиганием при 800-1100°C (Авторское свидетельство СССР № 564293, МПК C04B41/14, опубликован 05.07.1977). С помощью вжигания обеспечивается расплавление меди и проникновение ее между зернами молибден - марганцевого состава. Медь, образуя с марганцем активный расплав, взаимодействует с керамикой. На поверхности подложки образуется покрытие, прочно сцепленное с керамикой, позволяющее осуществлять пайку различными припоями.

Основным недостатком данного способа является то, что топологический рисунок металлизации можно формировать только методом сеткографии. Получение топологического рисунка на такой металлизации методом фотолитографического травления связано с существенными трудностями. Прежде всего, очень сложно подобрать раствор для травления, обеспечивающий высокое сопротивление изоляции между электрически изолированными элементами топологического рисунка. Кроме того, требуется разработка фоторезиста, достаточно устойчивого для процесса травления такой металлизации.

Известен способ металлизации керамики (Патент РФ № 2490237, МПК C04B41/88, C04B37/02, опубликован 20.08.2013), в котором на керамическую пластину сверху и снизу наносят адгезионный слой на основе молибдена и марганца и проводят его вжигание при температуре 1320-1350°C, затем методом холодного газодинамического напыления наносят слой порошкообразной меди, после чего проводят отжиг при температуре 900-1100°C, кроме того, дополнительно устанавливают пластины медной фольги толщиной 100-700 мкм, прижимают их под давлением 0,7-1,6 кгс/мм2 и проводят термообработку в вакууме или водороде при температуре 850-1000°C. Слои металлизации наносят с заранее сформированным топологическим рисунком. Основным недостатком данного способа является то, что топологический рисунок металлизации можно формировать только методом сеткографии. На металлизированных подложках данным способом невозможно формировать топологический рисунок металлизации методом фотолитографического травления. Кроме того, данный процесс требует приложения большого усилия сдавливания при термообработке. Например, при металлизации подложек стандартного размера 48х60 мм усилие составит от 2 до 5 тонн. Такое сдавливание сложно обеспечить в вакуумной или водородной печи. Кроме того, такое сдавливание может привести к появлению трещин на пластине.

Наиболее близким техническим решением является способ металлизации керамики (Патент РФ № 2558323, МПК C23C28/02, C04B41/90, опубликован 27.07.2015), включающий нанесение вакуумным осаждением на поверхности керамической пластины адгезионного слоя титан-медь, припайку к слою меди пластин медной фольги в среде вакуума или водорода. Данное техническое решение направлено на металлизацию керамики толстой медью, но не обеспечивает возможности изготовления плат, элементы которых, пропускающие токи в десятки и сотни ампер, выполнены с минимальными значениями электрического сопротивления, а проводящие элементы в слаботочных цепях – с минимальными размерами и повышенной плотностью.

Предлагаемое изобретение описывает способ изготовления плат для изделий повышенной мощности, в которых элементы, пропускающие токи в десятки и сотни ампер, например в цепях коммутации, выполнены из меди большой толщины, обеспечивая минимальные значения электрического сопротивления, а проводящие элементы в слаботочных цепях, которые могут иметь размеры в несколько десятков микрометров, что невозможно выполнить по толстой меди, например в цепях управления, выполнены методом фотолитографического травления по тонкоплёночной металлизации.

Таким образом изобретение содержит решение технической задачи, состоящей в совмещении в одном технологическом процессе изготовления плат для изделий повышенной мощности возможностей выполнения части элементов из меди большой толщины и части элементов методом травления по тонкоплёночной металлизации, позволяющее преодолеть недостатки известных технических решений.

Решение поставленной технической задачи, обеспечиваемое изобретением, достигается тем, что в способе изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями, включающем нанесение вакуумным осаждением на поверхности керамической пластины тонкоплёночного слоя титан-медь, припайку к слою меди пластин медной фольги припоем серебро-медь в среде вакуума или водорода, тонкоплёночный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь, покрывают химическим никелем осаждённый слой меди, формируют фотолитографическим травлением рисунок металлизации, в переходных отверстиях размещают медные вставки высотой меньшей толщины керамической пластины на величину не более оптимальной толщины припоя после чего, к покрытым медью участкам тонкоплёночного слоя, предназначенным для работы при повышенных токовых нагрузках, под давлением 0,01-0,03 кгс/мм2 прижимают аппликации из медной фольги и проводят пайку.

Технических решений, содержащих признаки, сходные с отличительными, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.

Металлизированная медью подложка из алюмонитридной керамики, допускающая высокотемпературную пайку в среде водорода, допускающая формирование топологического рисунка металлизации фотолитографическим травлением и электрическое соединение между металлизированными поверхностями пластины через переходные отверстия с обеспечением минимального электрического сопротивления в цепях с большими значениями токовых нагрузок, получена благодаря тому, что медный слой тонкоплёночной металлизации покрывают химическим никелем, формируют на ней фотохимическим способом рисунок металлизации, в переходных отверстиях размещают медные вставки высотой меньшей толщины керамической пластины на величину не более оптимальной толщины припоя после чего, к покрытым никелем поверхностям тонкоплёночного слоя прижимают под давлением 0,01-0,03 кгс/мм2 аппликации из медной фольги и проводят пайку припоем серебро-медь.

Осаждённый в вакууме тонкоплёночный слой, состоящий из титана и осаждённой на него меди обеспечивает высокую адгезию к керамике из нитрида алюминия, т.к. с точки зрения термодинамики титан при вакуумном осаждении на алюмонитридную керамику способен вступать с ней в химическое взаимодействие.

Прижим с давлением 0,01-0,03 кгс/мм2 достаточен для получения годных металлизированных подложек.

Пайку можно проводить эвтектическим припоем серебро-медь ПСр-72, оптимальная толщина которого составляет 45-75 мкм (Рот А., Вакуумные уплотнения. Пер. с англ. М., «Энергия», 1971, стр. 69).

При высоте медных вставок в отверстиях меньшей толщины керамической пластины на величину не более 75 мкм в случае пайки припоем ПСр-72 зазор между вставкой и аппликациями гарантированно заполнятся припоем, обеспечивая надёжное электрическое соединение аппликация-вставка-аппликация.

При термообработке достаточным является прижимающее давление, равное 0,01-0,03 кгс/мм2. Можно прикладывать и большее давление, но при этом можно разрушить керамику. Например, при размерах стандартной пластины 48х60 мм с площадью 2880 мм2 на пластину надо приложить равномерно распределённое усилие 86,4 кг, что уже вызывает определённые сложности при пайке в водородной или вакуумной печи, такие как увеличение размеров оснастки, увеличение времени пайки и т.п.

Для обеспечения гарантированного образования припоя серебро-медь и его достаточной смачивающей способности, пайку целесообразно проводить при температуре не ниже 820°C. Температура пайки выше температуры плавления эвтектики серебро-медь приводит к образованию припоя с повышенной температурой плавления за счёт перехода меди с аппликаций в припой. Никель на поверхности осаждённого тонкоплёночного слоя исключает переход в состав припоя тонкоплёночной меди и, следовательно, к нарушению. Адгезии металлизации к керамике.

Для проведения испытаний были изготовлены опытные образцы металлизированных подложек из алюмонитридной керамики.

Процессы металлизации проводили на подложках из алюмонитридной керамики 1 (Фиг. 1) с размерами 48х60 мм при толщине 1 мм. На поверхности тонкоплёночного слоя 2 химически осаждали никель толщиной 3мкм.

Топологический рисунок был сформирован фотолитографическим травлением покрытой никелем тонкоплёночной металлизации по плёночному фоторезисту защищающему от травления металлизацию на поверхности переходных отверстий 5 диаметром 3 мм. В отверстиях размещали медные вставки высотой 0,93 мм и диаметром 2,9 мм. Присоединяли аппликации 3 и 4 из медной фольги толщиной 0,3 мм пайкой припоем ПСр-72 при различных давлениях прижима (P).

Измеряли сопротивление между аппликациями, соединёнными через проходные отверстия и проверяли наличие непропаев аппликаций. К выводным площадкам-аппликациям 4 припаивали выводы при температуре 810°C.

Результаты испытаний приведены в таблице 1.

На металлизированных подложках, изготовленных в соответствии с предложенным техническим решением, вспучивание металлизации отсутствует, непропаев аппликаций нет, сопротивление переходных отверстий менее 10-4 Ом. Изготовленные в соответствии с предложенным техническим решением образцы пригодны для использования в качестве теплоотводящих элементов и плат для мощных полупроводниковых приборов, силовой электроники и иных изделий, где необходим эффективный отвод тепла и способность электропроводящих элементов выдерживать большие токовые нагрузки при высокой разрешающей способности топологического рисунка цепей управления.

Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями, включающий нанесение вакуумным осаждением на поверхность керамической пластины тонкоплёночного слоя титан-медь, состоящего из титана и осажденной на него меди, отличающийся тем, что тонкоплёночный слой титан-медь покрывают тонкопленочным слоем химического никеля, формируют фотолитографическим травлением рисунок металлизации по тонкоплёночному слою химического никеля, в упомянутых переходных отверстиях размещают медные вставки высотой, меньшей толщины керамической пластины на величину не более толщины припоя, после чего к покрытым никелем участкам тонкоплёночного слоя, предназначенным для работы при повышенных токовых нагрузках, под давлением 0,01-0,03 кгс/мм прижимают аппликации из медной фольги и проводят пайку припоем серебро-медь в вакуумной или водородной среде.
Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями
Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями
Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 23.
25.08.2017
№217.015.cd95

Паста для металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности из металлизированной высокотеплопроводной алюмонитридной (AlN) керамики. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение адгезии металлизации к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619616
Дата охранного документа: 17.05.2017
29.12.2017
№217.015.f9d9

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. Это...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639579
Дата охранного документа: 21.12.2017
20.01.2018
№218.016.1102

Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633894
Дата охранного документа: 19.10.2017
20.01.2018
№218.016.1acc

Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов. Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636034
Дата охранного документа: 20.11.2017
20.01.2018
№218.016.1d9e

Псевдоморфное коммутирующее устройство на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640966
Дата охранного документа: 12.01.2018
20.01.2018
№218.016.1e2b

Псевдоморфный ограничитель мощности на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640965
Дата охранного документа: 12.01.2018
10.05.2018
№218.016.47a3

Структура кристалла высоковольтного полупроводникового прибора, высоковольтной интегральной микросхемы (варианты)

Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650814
Дата охранного документа: 17.04.2018
18.05.2018
№218.016.5121

Многоканальное коммутирующее устройство свч с изолированными электродами

Изобретение относится к полупроводниковым изделиям, предназначенным для СВЧ управляющих устройств. Сущность изобретения заключается в том, что коммутирующее устройство СВЧ с изолированными электродами изготовлено на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653180
Дата охранного документа: 07.05.2018
13.11.2018
№218.016.9ca5

Свч переключатель с изолированными электродами

Использование: для создания нового поколения СВЧ элементной базы и МИС СВЧ на основе графена. Сущность изобретения заключается в том, что переключатель СВЧ изготовлен на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно размещены слой оксида кремния (SiO),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672159
Дата охранного документа: 12.11.2018
20.05.2019
№219.017.5cd1

Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов силовых полупроводниковых модулей. Техническим результатом изобретения является создание герметичного металлокерамического корпуса силового полупроводникового модуля, обладающего низкими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688035
Дата охранного документа: 17.05.2019
Показаны записи 1-10 из 18.
20.09.2014
№216.012.f606

Металлизационная паста и способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники, в частности металлизации алюмонитридной керамики с высокой теплопроводностью для электронных приборов с высокой рассеиваемой мощностью. Изобретение позволяет получать металлизированные изделия из алюмонитридной керамики с повышенной адгезией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528815
Дата охранного документа: 20.09.2014
10.04.2015
№216.013.3d7f

Дешифратор 2 в 4

Изобретение относится к области вычислительной техники, автоматики и может использоваться в различных цифровых структурах и системах автоматического управления, передачи информации. Техническим результатом является повышение быстродействия и создание устройства, в котором внутреннее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547231
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.6bd2

Способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для электронных приборов большой мощности. Сущность изобретения заключается в том, что перед операциями металлизации алюмонитридной керамики проводят предварительную термообработку керамики в перегретых парах воды при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559160
Дата охранного документа: 10.08.2015
25.08.2017
№217.015.cd95

Паста для металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности из металлизированной высокотеплопроводной алюмонитридной (AlN) керамики. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение адгезии металлизации к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619616
Дата охранного документа: 17.05.2017
29.12.2017
№217.015.f290

Устройство для чрескожного удаления фрагментов камней из полости почки (варианты)

Группа изобретений относится к медицинской технике, а именно к вариантам устройства для чрескожного удаления фрагментов камней из полости почки. В первом варианте устройство включает трубку-кожух со штуцером и уплотнительную эластичную манжету, расположенную в верхней части трубки-кожуха....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002637820
Дата охранного документа: 07.12.2017
01.07.2018
№218.016.6963

Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659304
Дата охранного документа: 29.06.2018
11.10.2018
№218.016.8ff1

Быстродействующий операционный усилитель с дифференцирующей цепью коррекции

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002669075
Дата охранного документа: 08.10.2018
26.12.2018
№218.016.ab0f

Быстродействующий операционный усилитель

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: повышение скорости нарастания выходного напряжения и уменьшение времени установления переходного процесса. Для этого предложен операционный усилитель, который содержит четыре входных транзистора, первый двухполюсник,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676014
Дата охранного документа: 25.12.2018
30.03.2019
№219.016.fa28

Операционный усилитель с токовой обратной связью

Изобретение относится к электронным устройствам, в частности к усилителям. Техническим результатом заявляемого изобретения является увеличение трансимпеданса, повышение коэффициента усиления по напряжению и повышение устойчивости усилителя без увеличения емкости корректирующего конденсатора....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002683502
Дата охранного документа: 28.03.2019
+ добавить свой РИД