×
20.05.2019
219.017.5d32

Способ сборки гибридной фотоэлектрической схемы при непараллельном монтаже элементов

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002688037
Дата охранного документа
17.05.2019
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к электронной технике, а именно, касается технологии изготовления гибридных микросхем, и может быть использовано в производстве гибридных фотоэлектрических сборок путем микросварки. В частности, в инфракрасной фотоэлектронике используются гибридные сборки фоточувствительных линейных или матричных массивов, размещенных на одной полупроводниковой подложке, электрически связанных с интегральными схемами считывания и предварительной обработки (ИС СПО), размещенными на других полупроводниковых подложках. Техническим результатом изобретения является улучшение качества сборки и снижение времени сборки, также техническим результатом является упрощение конструкции. Эффективность способа заключается в появившейся возможности поворота периферийных плоскостей на заданный угол, что, не снижая надежность соединений, позволяет производить сборку всех элементов гибридной фотоэлектрической схемы на любой сборочной установке. Кроме того, использование данного способа позволяет значительно повысить производительность труда. 3 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к электронной технике, а именно, к технологии изготовления гибридных микросхем, и может быть использовано в производстве гибридных фотоэлектрических сборок путем микросварки. В частности, в инфракрасной фотоэлектронике используются гибридные сборки фоточувствительных линейных или матричных массивов, размещенных на одной полупроводниковой подложке, электрически связанных с интегральными схемами считывания и предварительной обработки (ИС СПО), размещенными на других полупроводниковых подложках.

В простейшем случае, когда вышеуказанные элементы расположены в одной плоскости, сборка осуществляется при помощи проволочных выводов методом гибридно-планарного монтажа [Минскер Ф.Е. Справочник сборщика микросхем. - М.: Высш. шк., 1992. - С.70.].

При создании перспективных инфракрасных датчиков, обеспечивающих не только прием ИК-излучения и считывание электрического сигнала, но и более глубокую обработку сигнала, включающую операции предварительного усиления, фильтрации, компенсации неоднородности чувствительности датчиков матричного массива и мультиплексирования каналов, используют так называемую Z – технологию. При этом осуществляется параллельная обработка сигналов со всей строки (либо со всего столбца) матричного массива фотоприемников. Платы обработки сигнала собираются в единую структуру, к торцевой грани которой монтируется кристалл, содержащий матричный массив фотоприемников. В этом случае электрические контакты плат обработки выводятся на их торцы [Минскер Ф.Е. Справочник сборщика микросхем. - М.: Высш. шк., 1992. - С.70.] и монтаж кристалла, содержащего массив фотоприемников, осуществляется пайкой или холодной сваркой при помощи индиевых столбиков методом обратного или перевернутого монтажа (флип-чип) методом [EP (ЕПВ) A1 № 0316026, H01L21/00, 17.05.89.]. Однако такая технология монтажа очень сложна и используется для производства только специальной техники, где повышенная сложность и соответственно цена изделия определяются его исключительно тактико-техническими характеристиками.

В ряде конструкций ИК фотоприемников фокальной плоскости приходится располагать различные элементы конструкции, в частности подложки содержащие массивы фотоприемников и элементы ИС СПО, в различных плоскостях. Особенно это относится к охлаждаемым фотоприемникам фокальной плоскости при монтаже их в криостат фотоприемного устройства. В этом случае в конструкцию гибридной фоточувствительной интегральной схемы вводят гибкие токоведущие элементы, в частности полиимидные кабели, которые монтируются при помощи проволочных выводов в рамках гибридно-планарной технологии. Однако способ монтажа элементов конструкции гибридных фоточувствительных интегральных схем при помощи полиимидных кабелей имеет ряд недостатков. В частности полиимид имеет повышенное газоотделение в вакууме, имеет технологическую усадку, что не позволяет создавать полиимидные кабели с большим числом токоведущих элементов. Использование полиимидных кабелей требует развивать площадь и соответственно массу элементов крепления к устройству охлаждения фотоприемникам фокальной плоскости для их размещения, что не целесообразно из-за ограниченности по массо-габаритным харктеристикам.

Общемировая тенденция к уменьшению габаритов радиоэлектронной аппаратуры требует применения новых нестандартных решений в компоновке приборов. Одним из таких решений является расположение элементов в различных непараллельных плоскостях. Такое решение открывает широкие возможности для уменьшения габаритов изделия, однако при его применении возникает проблема создания проволочных межсоединений.

Наиболее близкий аналог (прототип) такого способа сборки описан в патенте на изобретение «Способ сборки гибридной фоточувствительной схемы» [SU 1826819 H05K3/00, 30.06.1983], согласно которому коммутационные платы с размещенными на них токоведущими дорожками, кросс-платами и полупроводниковыми подложками с ИК фотоприемниками и ИС СПО соединяются между собой и размещаются в специальное устройство, позволяющее вращать полученную сборку относительно ее осей. При этом к контактной площадке кросс-платы, расположенной в первой плоскости присоединяется, например, методом ультразвуковой сварки один конец проводника, после чего сборка коммутационных плат вращается в указанном устройстве относительно соответствующей оси и фиксирует в горизонтальной плоскости смежную ей коммутационную плату. Затем второй конец проводника присоединяется к соответствующей контактной площадке, расположенной на смежной коммутационной плате. Аналогичная процедура повторяется для каждой пары соответствующих контактных площадок, расположенных на смежных коммутационных платах.

Несовершенство данного решения заключается в том, что при разварке каждой перемычки требуется поворачивать корпус прибора, что снижает производительность труда. Кроме того, данное решение требует создавать петли с очень высоким профилем, что отрицательно сказывается на качестве.

Также, к недостаткам этого патента следует отнести то, что для его воспроизведения требуется разработка и создание специального оборудования и оснастки. Кроме того, низкая надежность соединений и высокая трудоемкость процесса затрудняют использовать этот способ при создании гибридных фоточувствительных схем.

Техническим результатом изобретения является улучшение качества сборки и снижение времени сборки, также техническим результатом является упрощение конструкции.

Указанный технический результат достигается предлагаемым способом сборки, включающим размещение и крепление на центральной горизонтальной плоскости кристалла фотоприемника, вспомогательных плат и кристаллов, по крайней мере, на одной/двух периферийных горизонтальных плоскостях; последующее межсоединение микросваркой контактных площадок активных и пассивных элементов; центральная горизонтальная плоскость шарнирно соединена с периферийными горизонтальными плоскостями, причем контактные площадки на периферийных горизонтальных плоскостях расположены непосредственно вдоль оси вращения шарниров; после осуществления коммутации элементов производят поворот периферийных горизонтальных плоскостей на заданный угол от 0° до 180°.

В предлагаемом способе все собираемые элементы размещены и закреплены на нескольких (не менее 2-х) шарнирно соединенных между собой горизонтальных плоскостях, что позволяет, во-первых, производить сборку на серийном оборудовании без его модернизации, во-вторых, соединения на всех плоскостях и между ними можно производить за один процесс и только после осуществлять поворот плоскостей друг относительно друга на заданный угол. В-третьих, периферийная горизонтальная плоскость расположена ниже центральной, и присоединение производится на площадки, размещенные вдоль оси вращения шарниров, что позволяет осуществить поворот плоскости без существенного воздействия на сварные соединения и практически без изменения формы петли.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг.1 изображена гибридная фоточувствительная схема в собранном виде, где введены обозначения:

1 – центральная горизонтальная плоскость;

2 – предметный столик;

3 – периферийная горизонтальная плоскость;

4 – холодильное устройство;

5 – проволочные межсоединения;

6,7,8,9 – оси вращения периферийных плоскостей.

На фиг.2 изображена гибридная фоточувствительная схема после осуществления поворота периферийных горизонтальных плоскостей.

На фиг.3 изображена 3D модель гибридной фотоэлектрической схемы до осуществления поворота и после.

Согласно изобретению, после размещения и крепления на центральной плоскости (1) схемы фотоприемника (2) и на периферийных плоскостях (3) вспомогательных элементов (4) производят полную сборку всех элементов на всех плоскостях, затем осуществляют коммутацию (5) между центральной и периферийными плоскостями. Причем, контактные площадки на периферийных плоскостях расположены вдоль оси вращения шарниров (6,7). После осуществления коммутации производят поворот периферийных горизонтальных плоскостей на заданный угол (0° - 180°).

Технико-экономическая эффективность предлагаемого способа заключается в появившейся возможности поворота периферийных плоскостей на заданный угол, что, не снижая надежность соединений, позволяет производить сборку всех элементов гибридной фотоэлектрической схемы на любой сборочной установке. Кроме того, использование данного способа позволяет значительно повысить производительность труда.

Способ сборки гибридной фотоэлектрической схемы, включающий размещение и крепление на центральной горизонтальной плоскости кристалла фотоприемника, вспомогательных плат и кристаллов по крайней мере на одной/двух периферийных горизонтальных плоскостях, последующее межсоединение микросваркой контактных площадок активных и пассивных элементов, отличающийся тем, что центральная горизонтальная плоскость шарнирно соединена с периферийными горизонтальными плоскостями, причем контактные площадки на периферийных горизонтальных плоскостях расположены непосредственно вдоль оси вращения шарниров, после осуществления коммутации элементов производят поворот периферийных горизонтальных плоскостей на заданный угол от 0 до 180°.
Способ сборки гибридной фотоэлектрической схемы при непараллельном монтаже элементов
Способ сборки гибридной фотоэлектрической схемы при непараллельном монтаже элементов
Способ сборки гибридной фотоэлектрической схемы при непараллельном монтаже элементов
Способ сборки гибридной фотоэлектрической схемы при непараллельном монтаже элементов
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 23.
25.08.2017
№217.015.cd95

Паста для металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности из металлизированной высокотеплопроводной алюмонитридной (AlN) керамики. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение адгезии металлизации к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619616
Дата охранного документа: 17.05.2017
29.12.2017
№217.015.f9d9

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. Это...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639579
Дата охранного документа: 21.12.2017
20.01.2018
№218.016.1102

Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633894
Дата охранного документа: 19.10.2017
20.01.2018
№218.016.1acc

Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов. Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636034
Дата охранного документа: 20.11.2017
20.01.2018
№218.016.1d9e

Псевдоморфное коммутирующее устройство на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640966
Дата охранного документа: 12.01.2018
20.01.2018
№218.016.1e2b

Псевдоморфный ограничитель мощности на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640965
Дата охранного документа: 12.01.2018
10.05.2018
№218.016.47a3

Структура кристалла высоковольтного полупроводникового прибора, высоковольтной интегральной микросхемы (варианты)

Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650814
Дата охранного документа: 17.04.2018
18.05.2018
№218.016.5121

Многоканальное коммутирующее устройство свч с изолированными электродами

Изобретение относится к полупроводниковым изделиям, предназначенным для СВЧ управляющих устройств. Сущность изобретения заключается в том, что коммутирующее устройство СВЧ с изолированными электродами изготовлено на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653180
Дата охранного документа: 07.05.2018
13.11.2018
№218.016.9ca5

Свч переключатель с изолированными электродами

Использование: для создания нового поколения СВЧ элементной базы и МИС СВЧ на основе графена. Сущность изобретения заключается в том, что переключатель СВЧ изготовлен на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно размещены слой оксида кремния (SiO),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672159
Дата охранного документа: 12.11.2018
20.05.2019
№219.017.5cd1

Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов силовых полупроводниковых модулей. Техническим результатом изобретения является создание герметичного металлокерамического корпуса силового полупроводникового модуля, обладающего низкими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688035
Дата охранного документа: 17.05.2019
Показаны записи 1-2 из 2.
20.01.2018
№218.016.1acc

Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов. Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636034
Дата охранного документа: 20.11.2017
21.05.2020
№220.018.1ea2

Способ определения качества монтажа подложек во время ультразвуковой микросварки

Изобретение относится к акустическим способам неразрушающего контроля и может быть использовано при ультразвуковом монтаже проволок на платы для контроля качества монтажа любых видов керамических, фторопластовых и композитных подложек. Осуществляют измерение мгновенных значений тока...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721338
Дата охранного документа: 19.05.2020
+ добавить свой РИД