Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН)

Термомеханический привод для перемещения оптических компонентов объектива состоит из соединенных попарно пластин с разными коэффициентами температурного расширения (КТР), при этом первая пластина в паре с малым КТР соединена со второй пластиной в паре с большим КТР таким образом, что суммарное...

Изобретение относится к медицинской технике. Датчик пульсовой волны содержит кремниевую микроканальную мембрану (1) с диэлектрическим слоем (2) на поверхности, камеру (5), упругие мембраны (6), электроды (3). Камера заполнена рабочей жидкостью (8) и соединена с возможностью формирования...

Способ активно-импульсного видения основан на использовании возможностей ПЗС фотоприемника со строчным переносом. Способ включает подсветку сцены импульсным источником излучения, восприятие отраженного света с помощью фотоприемного устройства и визуализацию. Непосредственно перед приходом...

Использование: для измерения высоты ступенчатых особенностей на гладких поверхностях. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает проведение в вакууме термоэлектрического отжига подложки твердотельного материала пропусканием электрического тока с резистивным нагревом до...

Гетероэпитаксиальная структура относится к полупроводниковым приборам. На подложке выполнены слои, в составе которых сформирован канальный слой узкозонного полупроводника. С обеих сторон канального слоя, в направлениях к подложке и от подложки, расположены последовательно слой нелегированного...

Устройство относится к области интегральной микроэлектроники, предназначено для обработки оптической информации. Устройство характеризуется многоканальной системой считывания в составе матрицы ячеек считывания. Ячейка считывания содержит емкостной трансимпедансный усилитель с интегрирующей...

Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией...

Использование: для поляризованных светодиодов и спин-транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что спин-детектор содержит подложку, на которой последовательно выполнены: барьерный слой, первый слой из GaAs или из AlGaAs, второй слой с квантовыми ямами из InGaAs или из GaAs, третий...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении фотоприемных устройств, выполненных в виде гибридных микросхем. Микроконтакт для фотоприемной гибридной микросхемы содержит две металлические контактные площадки и между...

Изобретение относится к области фармацевтики и представляет собой способ формирования биорезорбируемой полимерной клеточной матрицы для регенерации ткани, заключающийся в том, что изготавливают литографией комплект двумерных матриц в виде пленки полимера с поверхностными массивами микро- и...