Правообладатель РИД: Костюченко Александр Викторович

Изобретение относится к способу получения пленок ниобата лития, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, для использования в устройствах оптоэлектроники, акустоэлектроники, микро-, наноэлектроники и спинтроники. Способ получения тонкой пленки из ниобата лития на кремниевой подложке включает...

Изобретение относится к способу получения пленок ниобата лития, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, для использования в устройствах оптоэлектроники, акустоэлектроники, микро-, наноэлектроники и спинтроники. Способ получения тонкой пленки из ниобата лития на кремниевой подложке включает...

Изобретение относится к технологии обработки полупроводниковых термоэлектрических материалов и может быть использовано при создании высокоэффективных термоэлектрических генераторных батарей и охладительных устройств. Сущность изобретения состоит в том, что увеличение добротности и упрощение...