×

Правообладатель РИД: Монастыренко Анатолий Ойзерович

Показаны записи 1-1 из 1.
08.06.2019
№219.017.75ad

Низкотемпературный способ формирования полупроводниковых слоев фосфида галлия и твердых растворов на его основе на подложках кремния

Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано при создании приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, в том числе многопереходных фотоэлектрических преобразователей. Задачей, решаемой настоящим изобретением, является снижение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690861
Дата охранного документа: 06.06.2019
+ добавить свой РИД