×

Правообладатель РИД: Белов Алексей Иванович

Показаны записи 1-4 из 4.
15.11.2019
№219.017.e2da

Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля

Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002706207
Дата охранного документа: 14.11.2019
15.11.2019
№219.017.e2b9

Способ управления работой мемристивной конденсаторной структуры металл-диэлектрик-полупроводник

Использование: для создания запоминающих и потребляющих малую мощность интегральных схем энергонезависимой памяти. Сущность изобретения заключается в том, что способ управления работой мемристивной конденсаторной структуры металл-диэлектрик-полупроводник, в котором диэлектрик и полупроводник...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002706197
Дата охранного документа: 14.11.2019
08.09.2019
№219.017.c90d

Способ ионно-лучевого синтеза нитрида галлия в кремнии

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам ионно-лучевого синтеза нановключений нитрида галлия в кремнии, и может быть использовано при изготовлении устройств опто- и микроэлектроники нового поколения. Способ ионно-лучевого синтеза нитрида галлия в кремниевой пластине...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002699606
Дата охранного документа: 06.09.2019
29.12.2017
№217.015.fdd1

Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты)

Группа изобретений относится к способам имитационного тестирования изделий микро- и наноэлектроники. На приборную структуру воздействуют эквивалентным облучением ионами с флюенсом от 10 см до 10 см и энергией в интервале 1-500 кэВ, уточняемыми в зависимости от состава и морфологии структуры,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638107
Дата охранного документа: 11.12.2017
+ добавить свой РИД