Правообладатель РИД: Михайлов Алексей Николаевич

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Технический результат от использования предлагаемого способа формирования...

Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм...

Использование: для создания запоминающих и потребляющих малую мощность интегральных схем энергонезависимой памяти. Сущность изобретения заключается в том, что способ управления работой мемристивной конденсаторной структуры металл-диэлектрик-полупроводник, в котором диэлектрик и полупроводник...

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам ионно-лучевого синтеза нановключений нитрида галлия в кремнии, и может быть использовано при изготовлении устройств опто- и микроэлектроники нового поколения. Способ ионно-лучевого синтеза нитрида галлия в кремниевой пластине...

Использование: для изготовления светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования фазы гексагонального кремния путем имплантации в изготовленную из...

Группа изобретений относится к способам имитационного тестирования изделий микро- и наноэлектроники. На приборную структуру воздействуют эквивалентным облучением ионами с флюенсом от 10 см до 10 см и энергией в интервале 1-500 кэВ, уточняемыми в зависимости от состава и морфологии структуры,...