Правообладатель РИД: КУРАПОВ, Денис (CH)

Изобретение относится к способу нанесения покрытия по меньшей мере из одного слоя TiCN на поверхность покрываемой подложки способом HiPIMS. Для осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя используют по меньшей мере одну Ti-содержащую мишень в качестве источника Ti для создания TiCN-слоя, которую...

Изобретение относится к способу нанесения покрытия по меньшей мере из одного слоя TiCN на поверхность покрываемой подложки способом HiPIMS. Для осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя используют по меньшей мере одну Ti-содержащую мишень в качестве источника Ti для создания TiCN-слоя, которую...

Изобретение относится к способу нанесения покрытия на заготовку (варианты). Выполняют покрытие, содержащее по меньшей мере один слой TiSiN, где x≤0,85. Слой TiSiN содержит нанокристаллы, которые имеют средний размер зерна не более 15 нм и имеют текстуру (200). Для получения покрытия применяют...

Изобретение относится к способу нанесения покрытия при электродуговом напылении или ионно-дуговом напылении на подложки в вакуумной камере. Испаряют твердый материал дугового испарителя, который работает в качестве катода. Во время дугового испарения ускоряют движение катодного пятна на...

Настоящее изобретение относится к покрытию из (Al,Ti)N, подложке с данным покрытием и к способу нанесения упомянутого покрытия методом физического осаждения из газовой фазы (PVD) и может быть использовано для покрытия деталей машин и инструментов. Покрытие из (Al,Ti)N имеет две разные части...