×
07.12.2018
218.016.a497

Результат интеллектуальной деятельности: СЛОИ TiSiN И ИХ ПОЛУЧЕНИЕ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002674179
Дата охранного документа
05.12.2018
Аннотация: Изобретение относится к способу нанесения покрытия на заготовку (варианты). Выполняют покрытие, содержащее по меньшей мере один слой TiSiN, где x≤0,85. Слой TiSiN содержит нанокристаллы, которые имеют средний размер зерна не более 15 нм и имеют текстуру (200). Для получения покрытия применяют метод распыления. Наносят покрытие при плотности тока на поверхности распыляемой мишени выше 0,2 А/см и используют мишень из TiSi, где x≤0,85. Между слоем TiSiN и основой заготовки предусмотрен промежуточный слой с TiAlN или CrAlN. 5 н. и 9 з.п. ф-лы, 7 ил.

Настоящее изобретение относится к покрытию, которое содержит по меньшей мере один слой с кремнием.

Кремний является химическим элементом, который иногда используется в покрытиях из высокопрочных соединений для повышения напряжений в слоях. Повышение напряжения в слое ведет, как правило, к повышенной твердости слоя. Кремний используется также, например, в сочетании с нитридом титана. В результате получаются покрытия, которые можно описать химически структурной формулой TixSi1-xN, в которой x означает выраженную в ат.% концентрацию Ti при условии, что учитываются только металлические элементы. При такой форме записи сумма атомарных концентраций, указанных в атомных процентах, равна 100%.

Такие покрытия можно получить в очень твердой форме посредством так называемого катодно-дугового осаждения. В этом случае между используемой как катод мишенью, обеспечивающей металлические элементы, и анодом зажигается искра, посредством которой из поверхности мишени выходит поток электронов высокой плотности. Из-за сильно локализованной очень высокой плотности тока на поверхности мишени поверхность мишени локально сильно нагревается, и вещество испаряется в ионизированной форме.

Затем такой испаренный и ионизированный материал с помощью приложенного к основе отрицательного напряжения ускоряется к основе. Если дополнительно в камеру для нанесения покрытия впускается химически активный газ, то испарившиеся ионы соединяются с активным газом и образуют соответствующий слой на поверхности основы.

Однако в этом способе часто возникают так называемая проблема капель: из-за внезапного локального нагрева на поверхности мишени может возникнуть ее взрывное расплавление, в результате которого целые капли вещества мишени выбрасываются в окружающую среду. Эти капли частично приземляются на поверхность основы, что, как правило, отрицательно сказывается на свойствах покрытия и его качестве. Правда, в настоящее время существуют способы, позволяющие отфильтровать эти капли. Однако такие фильтры могут очень сильно снизить скорости нанесения покрытия, что делает способ нанесения покрытия экономически не выгодным.

С другой стороны, содержание кремния выше 15 ат.% очень часто ведет к повреждению мишеней при катодно-дуговом осаждении. В экстремальных случаях мишень нужно заменять после каждого покрытия, что, опять же, снижает экономическую эффективность процесса.

При обычном осаждении из газовой фазы путем распыления с поддержкой магнитным полем (магнетронное распыление) специалист с этими проблемами не сталкивается. Правда, частицы, выбитые из поверхности мишени в результате ионной бомбардировки, совсем или почти совсем не ионизируются и поэтому не могут ускоряться к основе при приложении к ней напряжения смещения. Соответственно, такие напыленные обычным способом покрытия имеют относительно низкие плотность и твердость.

Одной известной возможностью сместить плотность и твердость напыленных слоев в диапазоны, близкие к получаемым при катодно-дуговом осаждении, является так называемый способ HiPIMS (HiPIMS = High Power Impulse Magnetron Sputtering, магнетронное распыление импульсами высокой мощности). В этом способе распыления на распыляемый катод подают импульсы с высокой плотностью мощности, в результате чего распыленное с катода вещество будет в большой степени ионизовано. Если теперь к покрываемой заготовке приложить отрицательное напряжение, то эти ионы будут ускоряться в направлении заготовки, что ведет к очень плотным покрытиям.

Мощность должна подаваться на распыляемые катоды импульсами, чтобы дать им время отвести сопровождающее мощность теплопоступление. Поэтому в способе HiPIMS в качестве источника энергии необходим генератор импульсов. Этот генератор импульсов должен быть способен выдавать импульсы очень высокой мощности, которые, однако, должны быть очень короткими. Имеющиеся в настоящее время генераторы импульсов являются недостаточно гибкими в отношении, например, высоты и/или продолжительности импульса. В идеале должен выдаваться импульс прямоугольной формы. Однако чаще всего отдача мощности в пределах одного импульса сильно зависит от времени, что имеет прямое влияние на свойства покрытия, как, например, твердость, адгезию, внутреннее напряжение и т.д. Кроме того, на скорость нанесения покрытия отрицательно влияет отклонение от прямоугольного профиля.

В частности, в связи с этими трудностями возникают вопросы с воспроизводимостью.

Соответственно, насколько известно авторам изобретения, пока не было также попыток получать покрытия TixSi1-xN способом HiPIMS.

Поэтому имеется потребность в способе, которым слои TixSi1-xN можно получить магнетронным распылением при высокой мощности.

Согласно изобретению, слои получены способом распыления, при котором имеется постоянно высокая отдача мощности источником энергии. При этом используется несколько распыляемых катодов. В отличие от обычного способа HiPIMS, генератор импульсов не используется, но сначала полная мощность источника и, таким образом, высокая плотность мощности подается только на первый распыляемый катод. Затем с выходами источника энергии соединяют второй распыляемый катод. При этом сначала почти ничего не происходит, так как полное сопротивление второго распыляемого катода к этому моменту времени намного выше, чем полное сопротивление первого распыляемого катода. Только когда первый распыляемый катод отсоединяют от выходов источника энергии, отдача мощности происходит в основном через второй распыляемый катод. Соответствующий магнетронный способ распыления высокой мощности более точно описан в документе WO 2013060415. При этом источник энергии в типичном случае работает с мощностью порядка 60 кВт. Типичные усредненные по времени мощности, подаваемые на распыляемые катоды, составляют по порядку величины 8 кВт.

Авторы изобретения совершенно неожиданно обнаружили, что если применять такой способ с мишенью TiSi, в которой содержание кремния больше или равно 15 ат.%, удается достичь воспроизводимых нанокристаллических покрытий с очень хорошими механическими свойствами. Особенно интересно, что, начиная с концентрации Si в мишени 5 ат.%, нанокристаллы в среднем имеют размер зерна менее 15 нм, как это показано на фигуре 1. То, что отношение концентраций в мишени, используемой для покрытия, почти напрямую отражается в нанесенном слое, видно из фигуры 2. Здесь следует отметить, что, поскольку была выбрана мишень с известной концентрацией Si, размер зерна можно тонко подстраивать через расход азота, как показывает фигура 7.

То, что это явление очень надежное, видно из фигуры 3. Здесь были измерены размеры зерен в покрытиях, которые были нанесены в разных позициях вращающейся карусели. Серия измерений, показанная сплошными черными кружками, относится к мишени Ti95Si5. Серия измерений, показанная белыми кружками, относится к мишени Ti90Si10. Серия измерений, показанная сплошными черными квадратами, относится к мишени Ti85Si15. Серия измерений, показанная белыми треугольниками, относится к мишени Ti80Si20. Серия измерений, показанная сплошными черными треугольниками, относится к мишени T75S15. Четко видно, что размер зерна сохраняется по всей высоте покрытия камеры.

Таким образом, с повышением содержания кремния повышается твердость и снижается модуль E слоев, как показано на фигуре 4. Там указаны не соотношения между концентрациями в слоях, но соотношение между концентрациями Ti/Si в мишени, используемой для получения покрытий.

Согласно следующему варианту осуществления настоящего изобретения, слой TixSi1-xN с содержанием Si по меньшей мере 15 ат.% в металлическом компоненте не наносят прямо на подлежащую покрытию основу, но между основой и слоем согласно изобретению предусматривают слой TiAlN в качестве промежуточного слоя. Этот промежуточный слой выгоден, помимо прочего, тем, что он является посредником между менее хрупкой основой и очень твердым и имеющим очень высокие внутренние напряжения слоем TixSi1-xN с точки зрения условий по напряжениям и/или давлению. Благодаря этому отслаивание происходит намного реже, и соответственно улучшается адгезия слоя.

Фигура 5 показывает ряд таких двухслойных покрытий согласно изобретению, причем для нанесения слоев TixSi1-x снова использовались уже обсужденные разные мишени в соответствии с указаниями на фигуре 1. В этом ряду четко видны различные структуры слоев TixSi1-x, которые с повышением содержания Si становятся все более мелкими. В настоящем примере для получения промежуточного слоя использовалась мишень, которая содержала 40 ат.% титана и 60 ат.% алюминия. Было установлено, что особенно выгодно, если оба слоя TiAlN и TiSiN имеют текстуру (200).

Такие двухслойные покрытия с разным содержанием Si были испытаны на инструментах. Испытания на резку проводились в следующих условиях: инструментальная сталь DIN 1.2344, твердость 45HRC, диаметр инструмента 10 мм, цельная твердосплавная фреза, скорость резки 220 м/мин, подача на зуб 0,1 мм, аксиальная установка 10 мм, радиальная установка 0,5 мм. При этом измеряли, какое количество метров может обработать соответствующий инструмент без возникновения значительных повреждений. Инструмент, который был покрыт обычным покрытием, выдержал чуть более 200 м. Примерно такую же длину обработки выдержал инструмент, который был покрыт вышеописанным двухслойным покрытием, в котором наружный слой содержал всего 5% кремния. Напротив, испытания показали, что инструмент выдерживает более 500 м, если наружный слой содержит по меньшей мере 15% кремния. В таблице 1 приведены значения износа, измеренные на инструментах после режущей обработки 140 м. Четко видно, что износ является наименьшим для покрытия с 30% кремния.

Согласно следующему, предпочтительному, варианту осуществления между промежуточным слоем TiAlN и слоем TixSi1-x предусмотрен переходный слой, который был получен совместным распылением. Вышеописанным способом распыления можно надежно осуществить совместное распыление таким образом, чтобы, например, выбирать длительности импульсов для разных мишеней так, чтобы максимумы кривых зависимости расхода активного газа от давления, имеющегося в камерах нанесения покрытий, оказались лежащими по существу друг на друге. Это возможно потому, что продолжительность импульса напрямую влияет на положение соответствующего максимума. Для примера это показано на фигуре 6, где проводилось распыление с 3 разными длительностями импульса (0,05, 0,2 и 2 мсек). Этим способом можно оптимально использовать обе мишени при одних и тех же установившемся в камере давлении и режиме расхода газа.

Согласно следующему варианту осуществления настоящего изобретения, переходный слой реализован как градиентный слой, в котором с увеличением расстояния от поверхности основы снижается содержание TiAlN и увеличивается содержание TixSi1-xN.

Согласно следующему варианту осуществления настоящего изобретения, окончательный слой TixSi1-xN является слоем не чистого TixSi1-xN, но содержит также некоторую долю TiAlN.

Согласно следующему варианту осуществления настоящего изобретения, для нанесения покрытия используется первая мишень TixSi1-x и вторая мишень TizSi1-z, причем x и z могут лежать в интервалах 0≤x≤1 и 0≤z≤1, но z≠x, т.е. первая и вторая мишень отличаются по составу, и (x+z)/2≤0,85, так что, можно, кроме того, получить слои с концентрацией Si ≥ 15ат.%. При этом обе мишени могут обрабатываться в процессе вышеописанным методом совместного распыления. Это позволяет варьировать во время покрытия концентрацию Si, т.е. позволяет реализовать градиент концентрации Si.

Далее, авторы изобретения неожиданно установили, что замечательных характеристик покрытий, осажденных согласно изобретению, можно достичь благодаря применению слоя CryAl1-yN в качестве промежуточного слоя. Соответственно, ниже описываются следующие предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения, которые содержат слои CryAl1-yN в качестве промежуточного слоя.

Согласно следующему варианту осуществления настоящего изобретения, слой TixSi1-xN с содержанием Si по меньшей мере 15 ат.% в металлическом компоненте не наносят прямо на подлежащую покрытию основу, но между основой и слоем согласно изобретению предусматривают слой CryAl1-yN в качестве промежуточного слоя. При этом предпочтительным оказалось содержание хрома 40 ат.% и содержание алюминия 60 ат.%. Этот промежуточный слой выгоден, помимо прочего, тем, что он является посредником между менее хрупкой основой и очень твердым и имеющим очень высокие внутренние напряжения слоем TixSi1-xN с точки зрения условий по напряжениям и/или давлению. Благодаря этому отслаивание происходит намного реже, и соответственно улучшается адгезия слоя.

В предыдущем разделе и в следующем описании x указывает выраженную в ат.% концентрацию Ti, а y выраженную в ат.% концентрацию Cr, при этом учитываются только металлические элементы.

Такие двухслойные покрытия с разным содержанием Si были испытаны на инструментах. При этом измеряли, какое количество метров может обработать соответствующий инструмент без возникновения существенных повреждений. Испытания на резку проводились в следующих условиях: инструментальная сталь DIN 1.2379, твердость 69HRC, диаметр инструмента 2 мм, цельная твердосплавная фреза со сферической головкой, скорость резки 110 м/мин, подача на зуб 0,04 мм, аксиальный подвод 0,1 мм, радиальный подвод 0,04 мм. Инструмент, который был покрыт обычным покрытием, выдержал чуть больше 60 м. Напротив, инструмент, который был покрыт вышеописанным двухслойным покрытием, в котором наружный слой содержал по меньшей мере 10% кремния, выдержал более 100 м. При этом интересно, что слой CrAlN должен быть относительно тонким. Это говорит о том, что слой CrAlN по существу берет на себя функцию адгезионного слоя.

Согласно следующему, предпочтительному, варианту осуществления настоящего изобретения, между промежуточным слоем CrAlN и слоем TixSi1-x предусмотрен переходный слой, который был получен совместным распылением. Вышеописанным способом распыления можно надежно осуществить совместное распыление таким образом, чтобы, например, выбирать длительности импульса для разных мишеней так, чтобы максимумы кривых зависимости расхода активного газа от давления, имеющегося в камерах нанесения покрытий, оказались лежащими по существу друг на друге. Это возможно потому, что продолжительность импульса напрямую влияет на положение соответствующего максимума. Для примера это показано на фигуре 6, где проводилось распыление с 3 разными длительностями импульса (0,05, 0,2 и 2 мсек). Этим способом можно оптимально использовать обе мишени при одних и тех же установившемся в камере давлении и режиме расхода газа.

Согласно следующему варианту осуществления настоящего изобретения, переходный слой реализован как градиентный слой, в котором с увеличением расстояния от поверхности основы снижается содержание CrAlN и увеличивается содержание TixSi1-xN.

Согласно следующему варианту осуществления настоящего изобретения, окончательный слой TixSi1-xN является слоем не чистого TixSi1-xN, но содержит также некоторую долю CrAlN.

Таким образом, изобретение относится конкретно к заготовке с покрытием, причем покрытие содержит по меньшей мере один слой TixSi1-xN, отличающейся тем, что x≤0,85, и слой TixSi1-xN содержит нанокристаллы, причем содержащиеся нанокристаллы имеют средний размер зерна не более 15 нм и предпочтительно имеют текстуру (200). Изобретение относится также к способу нанесения на заготовку покрытия, которое содержит по меньшей мере вышеуказанный слой TixSi1-xN, причем способ, применяющийся для получения слоя TixSi1-xN, является способом распыления, в котором в качестве распыляемой мишени используется по меньшей мере одна мишень TixSi1-x, где x≤0,85 ат.%, и причем на поверхности распыляемой мишени могут возникать плотности тока по меньшей мере 0,2 А/см2, предпочтительно больше 0,2 А/см2. Предпочтительно, между слоем TixSi1-xN и основой заготовки предусмотрен промежуточный слой, который включает TiAlN, или CrAlN, или TiAlN и CrAlN.

Согласно одному предпочтительному варианту способа покрытия заготовки по настоящему изобретению, в котором должен осаждаться переходный слой, этот переходный слой получают совместным распылением.

Если это выгодно для некоторых областей применения, слой TixSi1-xN согласно настоящему изобретению может включать также некоторое количество TiAlN, или CrAlN, или TiAlN и CrAlN.

В зависимости от назначения можно также в вышеуказанных вариантах осуществления настоящего изобретения использовать в покрытии вместо TiAlN или CrAlN нитриды других металлов или другие материалы на основе нитридов металлов, чтобы достичь желаемых свойств покрытия.


СЛОИ TiSiN И ИХ ПОЛУЧЕНИЕ
СЛОИ TiSiN И ИХ ПОЛУЧЕНИЕ
СЛОИ TiSiN И ИХ ПОЛУЧЕНИЕ
СЛОИ TiSiN И ИХ ПОЛУЧЕНИЕ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 31.
10.08.2016
№216.015.52fd

Искровое испарение углерода

Изобретение относится к области катодного искрового испарения. Способ импульсного прерывистого искрового разряда осуществляют посредством разряда от конденсатора и током разряда управляют посредством периодического подключения конденсатора. Между импульсами имеются временные интервалы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594022
Дата охранного документа: 10.08.2016
13.01.2017
№217.015.7178

Способ обеспечения последовательных импульсов мощности

Изобретение относится к области нанесения покрытий, к способу обеспечения импульсов мощности с линейно изменяемым интервалом импульсов мощности для распылительных катодов PVD, которые разделены на частичные катоды, при этом действующие на частичных катодах интервалы импульсов мощности выбраны...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002596818
Дата охранного документа: 10.09.2016
13.01.2017
№217.015.88fa

Высокопроизводительный источник для процесса распыления

Изобретение относится к способу и установке для магнетронного распыления материала с поверхности мишени с обеспечением большей процентной доли распыленного материала в форме ионов. Создают плазменный разряд с плотностью тока разряда свыше 0,2 А/см. Используют по меньшей мере два магнетронных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602571
Дата охранного документа: 20.11.2016
13.01.2017
№217.015.8974

Нанослойное покрытие для высококачественных инструментов

Изобретение относится к нанослойному покрытию режущего инструмента и способу его нанесения на режущий инструмент. Осуществляют нанесение на поверхность режущего инструмента покрытия, содержащего нанослойную структуру из чередующихся нанослоев А, состоящих из (Al,Ti,W)N, и нанослоев В, состоящих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602577
Дата охранного документа: 20.11.2016
13.01.2017
№217.015.8a5f

Антибактериальное медицинское изделие и способ его изготовления

Группа изобретений относится к медицине. Описано медицинское изделие с нанесенным на основу антибактериальным покрытием из твердого материала с биоцидом. Это покрытие из твердого материала включает в себя по меньшей мере один внутренний слой и один наружный слой, при этом концентрация биоцида в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604123
Дата охранного документа: 10.12.2016
13.01.2017
№217.015.8b9c

Инструмент для горячей формовки или штамповки металлических листов с покрытием из cr-si-n

Изобретение относится к инструменту для горячего формования стального листа с AlSi покрытием, имеющему покрытие CrSiN, в котором x: 40-69 ат. %, y: 1-20 ат. % и z: 30-40 ат. %, а также к применению указанного инструмента в качестве инструмента для горячего формования стального листа с AlSi...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604158
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.9ea2

Установка и способ для вакуумной обработки изделий

Изобретение относится к установке для вакуумной обработки изделий и способу вакуумной обработки с использованием упомянутой установки. Заявленная установка предназначена для обработки изделий, закрепленных на карусели (205), размещенной на карусельных салазках (201). Указанная карусель содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606105
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a1c0

Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев

Изобретение относится к способам реакционного удаления с поверхности подложки покрытия из углеродных слоев. Осуществляют размещение освобождаемой от покрытия подложки на держателе подложки в вакуумной камере, подачу в вакуумную камеру по меньшей мере одного реакционного газа, обеспечивающего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606899
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.b076

Декоративная деталь автомобиля

Изобретение относится к декоративной детали для автомобиля. Декоративная деталь для автомобиля содержащит подложку, гальваническое покрытие на упомянутой подложке и цветообразующий покровный слой, нанесенный физическим осаждением из газовой фазы. Между подложкой и цветообразующим покровным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613496
Дата охранного документа: 16.03.2017
25.08.2017
№217.015.c4f1

Сверло с покрытием

Группа изобретений относится к нанесению покрытий на подложки и может быть использовано для нанесения покрытий на поверхности инструментов и деталей. Сверло с покрытием, которое выполнено по меньшей мере на сверлильной головке сверла и имеет по меньшей мере один слой, нанесенный магнетронным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618292
Дата охранного документа: 03.05.2017
Показаны записи 1-8 из 8.
13.01.2017
№217.015.88fa

Высокопроизводительный источник для процесса распыления

Изобретение относится к способу и установке для магнетронного распыления материала с поверхности мишени с обеспечением большей процентной доли распыленного материала в форме ионов. Создают плазменный разряд с плотностью тока разряда свыше 0,2 А/см. Используют по меньшей мере два магнетронных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602571
Дата охранного документа: 20.11.2016
25.08.2017
№217.015.c4f1

Сверло с покрытием

Группа изобретений относится к нанесению покрытий на подложки и может быть использовано для нанесения покрытий на поверхности инструментов и деталей. Сверло с покрытием, которое выполнено по меньшей мере на сверлильной головке сверла и имеет по меньшей мере один слой, нанесенный магнетронным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618292
Дата охранного документа: 03.05.2017
26.08.2017
№217.015.de09

Покрытие из нитрида алюминия-титана с адаптированной морфологией для повышенной износостойкости при операциях обработки резанием и соответствующий способ

Настоящее изобретение относится к покрытию из (Al,Ti)N, подложке с данным покрытием и к способу нанесения упомянутого покрытия методом физического осаждения из газовой фазы (PVD) и может быть использовано для покрытия деталей машин и инструментов. Покрытие из (Al,Ti)N имеет две разные части...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624876
Дата охранного документа: 07.07.2017
20.01.2018
№218.016.0ff3

Слои hipims

Изобретение относится к способу осаждения систем слоев PVD из газовой фазы с помощью напыления по меньшей мере на одну подложку. К подложке прикладывают напряжение смещения и осаждают по меньшей мере один первый слой HIPIMS и один второй слой HIPIMS с помощью метода HIPIMS. Используют по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633672
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.01.2018
№218.016.11cd

Низкотемпературное ионно-дуговое напыление

Изобретение относится к способу нанесения покрытия при электродуговом напылении или ионно-дуговом напылении на подложки в вакуумной камере. Испаряют твердый материал дугового испарителя, который работает в качестве катода. Во время дугового испарения ускоряют движение катодного пятна на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634101
Дата охранного документа: 23.10.2017
29.08.2018
№218.016.807d

Мишень для распыления, имеющая увеличенную энергетическую совместимость

Изобретение относится к системе центрирования пластины, которая имеет пластину с держателем, в которой пластина центруется в держателе как при комнатной температуре, так и при более высоких температурах, независимо от теплового расширения пластины и держателя, и пластина может свободно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665059
Дата охранного документа: 28.08.2018
16.05.2023
№223.018.5fbe

Ticn с сокращенными дефектами роста с помощью hipims

Изобретение относится к способу нанесения покрытия по меньшей мере из одного слоя TiCN на поверхность покрываемой подложки способом HiPIMS. Для осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя используют по меньшей мере одну Ti-содержащую мишень в качестве источника Ti для создания TiCN-слоя, которую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002742325
Дата охранного документа: 04.02.2021
16.05.2023
№223.018.5fbf

Ticn с сокращенными дефектами роста с помощью hipims

Изобретение относится к способу нанесения покрытия по меньшей мере из одного слоя TiCN на поверхность покрываемой подложки способом HiPIMS. Для осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя используют по меньшей мере одну Ti-содержащую мишень в качестве источника Ti для создания TiCN-слоя, которую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002742325
Дата охранного документа: 04.02.2021
+ добавить свой РИД