Правообладатель РИД: Кривулин Николай Олегович

Изобретение относится к технологическому оборудованию для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых структур и может быть использовано в качестве узла фиксации подложки, нагреваемой с помощью пластинчатого или утолщенного ленточного резистивного нагревателя в вакуумных...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Технический результат от использования предлагаемого способа формирования...

Использование: для изготовления светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования фазы гексагонального кремния путем имплантации в изготовленную из...

Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования...