Правообладатель РИД: Мухин Иван Сергеевич

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания эластичных полупрозрачных светоизлучающих дисплеев и элементов носимой электроники. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодная матрица включает массив неорганических...

Изобретение относится к области формирования микроструктур для использования в различных оптоэлектронных устройствах, а более конкретно к области формирования лазерных микрорезонаторов, обладающих одночастотным спектром излучения. Задачей настоящего изобретения является разработка простого в...

Использование: для синтеза полых квазиодномерных наноструктур. Сущность изобретения заключается в том, что способ роста GaN нанотрубок, активированного легирующей примесью Si на подложке Si с тонким буферным слоем AlN, включает осаждение материалов методом молекулярно-пучковой эпитаксии, перед...

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания сенсорных экранов, солнечных батарей, конструкция которых включает элементы, одновременно прозрачные для света и проводящие электрический ток. Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света,...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в сканирующей зондовой микроскопии. Зонд для сканирующей зондовой микроскопии содержит кантилевер для атомно-силовой микроскопии с оптически активной областью, находящейся на острие иглы кантилевера. Активная область...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции и составу слоев фотоэлектрических преобразователей с несколькими переходами. Задачей заявляемого изобретения является создание фотоэлектрического преобразователя с несколькими р-n-переходами, отличающегося повышенным КПД за...

Изобретение относится к электронно-лучевой технологии и может быть использовано в оптике, фотонике, интегральной оптике, наноплазмонике и электронике. Способ получения металлических пленок заданной формы заключается в том, что на подложку с высоким электрическим сопротивлением предварительно...