Правообладатель РИД: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН)

Изобретение относится к скоростному росту кристаллов из раствора. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора содержит герметичный кристаллизатор 3, установленную внутри него ростовую камеру 1 прямоугольного сечения с затравочным кристаллом 2 и систему подачи раствора к...

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров с субкиловаттной средней мощностью излучения. Изолятор Фарадея для лазеров большой мощности с изготовленным из кристалла некубической сингонии магнитооптическим...

Изобретение относится к лазерной технике. Твердотельный усилитель лазерного излучения с диодной накачкой содержит активный элемент в форме шестигранника с двумя параллельными торцевыми гранями, служащими для ввода и вывода излучения накачки и сигнала, изготовленными в форме тонких...

Способ может быть использован в машиностроении, гидроэнергетике и других отраслях промышленности, требующих применения в производстве ультразвукового контроля. Для определения температурного коэффициента скорости ультразвука используются данные об изменении акустических характеристик материала....

Изобретение относится к метрологии. Синхронно принимают сигнал на две антенны, оцифровывают и запоминают массивы информации. Разбивают сигнал на интервалы, осуществляют идентификацию по максимумам в амплитудном спектре. Затем осуществляют сканирование характеристики направленности приемной...

Изобретение относится к области радиолокации и может быть использовано для выявления и определения характера присутствующих на водной поверхности аномалий (областей с пониженной интенсивностью волнения). Сущность: излучают и принимают рассеянные водной поверхностью сигналы в СВЧ-диапазоне...

Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD методом, а именно к способу получения легированного дельта-слоя в CVD алмазе. Алмазную подложку помещают в CVD реактор. Сначала на подложку осаждают слой нелегированного CVD алмаза в потоке газовой смеси,...

Изобретение относится к оптической технике. Сущность изобретения заключается в охлаждении электрооптического элемента ячейки Поккельса, выполненного из кристалла DKDP, до криогенных температур в оптическом криостате. Для этого электрооптический элемент присоединен посредством теплопроводящей...

Оптический вентиль с компенсацией термонаведенной деполяризации в магнитном поле включает в себя последовательно расположенные поляризатор, два магнитооптических элемента, установленных внутри магнитной системы и невзаимно вращающих плоскость поляризации проходящего излучения на суммарный угол,...

Способ определения скорости ветра над водной поверхностью, в котором получают при помощи двух оптических систем на основе линеек ПЗС-фотодиодов с разными направлениями визирования два пространственно-временных изображения водной поверхности. Стыкуют полученные изображения. Определяют...