Правообладатель РИД: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники"

Показаны записи 1-5 из 5.
17.02.2018
№218.016.2e44

Способ изготовления высокотемпературных кмоп кни интегральных схем

Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С. Сущность изобретения:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643938
Дата охранного документа: 06.02.2018
25.08.2017
№217.015.ce30

Источник тока

Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных микросхемах на комплементарных транзисторах структуры металл-диэлектрик-полупроводник (КМДП). Технический результат, заключающийся в повышении стабильности вырабатываемого тока по напряжению питания,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620592
Дата охранного документа: 29.05.2017
25.08.2017
№217.015.af9c

Способ формирования системы многоуровневой металлизации на основе вольфрама для высокотемпературных интегральных микросхем

Изобретение относится к области технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем. В способе формирования системы многоуровневой металлизации для высокотемпературных интегральных микросхем, включающем операции нанесения диэлектрических и металлических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611098
Дата охранного документа: 21.02.2017
13.01.2017
№217.015.8918

Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции

Изобретение относится к области измерений температуры тонких поверхностных слоев, в частности пористого диэлектрического слоя в химической промышленности (катализ), при изготовлении оптических и химических сенсоров, а так же в процессе криогенного травления диэлектриков в технологии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602421
Дата охранного документа: 20.11.2016
10.04.2015
№216.013.39de

Логический вентиль

Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных логических устройствах на комплементарных униполярных полевых транзисторах структуры металл-окисел-полупроводник (МОП) с индуцированными каналами p и n типов проводимости и биполярных транзисторах n-p-n и p-n-p...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002546302
Дата охранного документа: 10.04.2015
+ добавить свой РИД