Правообладатель РИД: Черкесова Наталья Васильевна

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной дефектностью. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния p-типа проводимости с удельным сопротивлением 7,5 Ом*см...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение значений тока утечки, повышение технологичности, улучшение параметров приборов,...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. Целью изобретения является снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров работы...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. Способ изготовления полупроводниковой структуры предусматривает проведение на обратной стороне пластины диффузии...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования подзатворного диэлектрика с пониженной дефектностью и с повышенной радиационной стойкостью. Перед осаждением кремниевые пластины обрабатывались смесью NHOH и НО с рН=9, с...

Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р-слой формировали с помощью...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диэлектрической изоляции с низкими токами утечек. Технология способа состоит в следующем: на кремниевой подложке вытравливается канавка, затем на подложке формируется...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры подложку кремния с тыльной стороны подвергают обработке ионами Sb...

Изобретение относится к технологии изготовления фотопреобразователя с повышенным коэффициентом полезного действия (КПД). Предложен способ изготовления фотопреобразователя путем формирования в pin-структуре i-слоя на основе арсенида индия InGaAs между слоями GaAs и AlGaAs на подложках GaAs, при...