×
26.02.2019
219.016.c80e

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002680606
Дата охранного документа
25.02.2019
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. Способ изготовления полупроводниковой структуры предусматривает проведение на обратной стороне пластины диффузии фосфора при 1100°С в течение часа с последующим нанесением на обратную сторону пластины пленок нитрида кремния толщиной 200 нм со скоростью 10 нм/мин с помощью ВЧ-катодного распыления при температуре 300°С и последующей термообработкой при температуре 1000-1200°С в течение часа в атмосфере азота с добавкой 1% кислорода. Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью.

Известен способ изготовления полупроводниковых структур [Патент №4988640 США, МКИ Н01L 21/20] осаждением металлов на поверхность полупроводниковых подложек с использованием сложного металлоорганического соединения на основе As, Р или Sb, отличающихся летучестью, малой токсичностью и стабильностью продуктов разложения, для легирования металлами слои SiO2, боросиликатного стекла, эпитаксиального и поликристаллического кремния, в процессах эпитаксии полупроводниковых материалов или GaAs, InSb, AlGaAs, InP. Из-за различия кристаллографических решеток применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий

Известен способ изготовления полупроводниковых структур [Патент №4980300 США, МКИ H01L 21/463] для геттерирования. Подложки загружают в ванну с особо чистой водой, там их вращают в горизонтальной либо вертикальной плоскости и одновременно подвергают воздействию ультразвуковых УЗ колебаний. На поверхности подложки создают механические нарушения, которые и обеспечивают геттерирование с перераспределением дефектов и нежелательных примесей.

Недостатками этого способа являются:

- высокая дефектность;

- высокие значения токов утечки;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Задача решается проведением на обратной стороне пластины кремния диффузии фосфора, с применением источника РОСl3 при 1100°С в течение часа и нанесением слоя нитрида кремния толщиной 200 нм, со скоростью 10 нм/мин на обратную сторону пластины при температуре 300°С и последующей термообработки при температуре 1000-1200°С в течение часа в атмосфере азота с добавкой 1% кислорода.

Технология способа состоит в следующем: на пластину кремния р - типа проводимости с ориентацией (100) проводили диффузию фосфора при температуре 1100°С в течение часа с обратной стороны пластины, применением источника РОСl3, затем наносили, так же, с обратной стороны пленку нитрида кремния толщиной 200 нм со скоростью 10 нм/мин ВЧ - катодным распылением при температуре 300°С с последующей термообработкой при температуре 1000-1200°С в течение часа в атмосфере азота с добавкой 1% кислорода. Нанесение пленки нитрида кремния с последующей термообработкой эффективно подавляет образование поверхностных дефектов упаковки, а диффузия фосфора с обратной стороны подложки предотвращает образование объемных дефектов упаковки.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры.

Результат обработки представлен в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,2%.

Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышения надежности и увеличения процента выхода годных приборов.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводниковой структуры нанесением пленок нитрида кремния толщиной 200 нм, со скоростью 10 нм/мин на обратную сторону пластины, с помощью ВЧ - катодного распыления при температуре 300°С и последующей термообработки при температуре 1000-1200°С в течение часа в атмосфере азота с добавкой 1% кислорода позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшить их надежность.

Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий подложку, процессы формирования механических нарушений, отличающийся тем, что на обратной стороне пластины кремния проводят диффузию фосфора с применением источника РОСl при 1100°С в течение часа с последующим нанесением слоя нитрида кремния толщиной 200 нм со скоростью 10 нм/мин, ВЧ-катодным распылением при температуре 300°С и термообработкой при температуре 1000-1200°С в течение часа в атмосфере азота с добавкой 1% кислорода.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 87.
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.20a1

Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью. Изобретение обеспечивает повышение диэлектрической прочности диоксида кремния,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539801
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.05.2015
№216.013.4a87

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора. Изобретение обеспечивает снижение значений плотности дефектов, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550586
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
+ добавить свой РИД