Правообладатель РИД: Самсоненко Борис Николаевич

Изобретение относится к устройствам контактной фотолитографии и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей. В предлагаемой согласно изобретению установке контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом, включающей источник освещения, расположенный в...

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам изготовления модулей высокоэффективных солнечных элементов на струнном каркасе в солнечных батареях космических аппаратов. Технический результат, достигаемый предлагаемым способом изготовления модуля солнечных элементов, заключается...

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам изготовления модулей высокоэффективных солнечных элементов на струнном каркасе в солнечных батареях космических аппаратов. Технический результат, достигаемый предлагаемым способом изготовления модуля солнечных элементов, заключается...

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей. Способ изготовления фотопреобразователя, согласно изобретению, включает формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к технологии изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge. Способ изготовления фотопреобразователей на утоняемой германиевой подложке, включает создание на германиевой подложке с...

Изобретение относится к области конструкции и технологии оптоэлектронных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке с выводом тыльного контакта на лицевой стороне полупроводниковой структуры, согласно изобретению включающем: создание на германиевой...

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для совмещения рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине в процессе ее фотолитографической обработки и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей. Заявленная установка контактной фотолитографии для полупроводниковых...

Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно: к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей....

Изобретение может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на утоняемой подложке включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной...

Изобретение относится к солнечной энергетитке, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя...