×
20.05.2019
219.017.5c42

Результат интеллектуальной деятельности: Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002687875
Дата охранного документа
16.05.2019
Аннотация: Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно: к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей. Технический результат заключается в повышении выхода годных фотоэлементов на операциях сборки и монтажа, сокращении объема ремонтных работ за счет увеличения прочности края стеклянной пластины. В способе изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, включающем создание слоя поверхностного сжатия на стеклянной пластине, кислотное травление поверхности на глубину, равную или большую глубины сжатого стекла и защиту травленной поверхности стекла химической закалкой, стеклянные пластины вырезают из стеклянных заготовок, которые предварительно располагают вертикально и покрывают защитным слоем путем погружения в расплав воска, формируя при этом за пределами защитного покрытия участок поверхности с геометрической конфигурацией фотопреобразователя, причем с меньшими на 2+10мм габаритными размерами, далее покрывают сплошным защитным слоем воска одну из сторон стеклянных заготовок 30-60 мкм в водном растворе плавиковой и серной кислот, после чего удаляют восковое покрытие и вырезают стеклянные пластины с утолщенным краем. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей.

Известен способ изготовления защитного стекла фотопреобразователя космического назначения (см. статью «Технология получения тонких защитных покрытий солнечных батарей для космической техники», жур. «Успехи в химии и химической технологии», том XXV, 201, вып.5(121), стр. 93-96), принятый в качестве аналога. В данном аналоге для изготовления защитных стеклянных пластин, предназначенных для фотопреобразователей космического назначения, используют радиационно-стойкое стекло марки К-208. Разработанная технология лентопротяжки из расплава позволяет получить стеклянные пластины необходимой толщины в диапазоне 8СН-500мкм. Метод управляемого лазерного термораскалывания дает возможность разрезать вытянутое стекло на формы с минимальным повреждением края, что необходимо для обеспечения механической прочности тонкой пластины. Методом низкотемпературного ионного обмена механическая прочность вырезанной стеклянной пластины увеличивается на 20-40%.

Недостаток данного способа заключается в том, что лазерное термоскалывание не эффективно для резки стеклянных пластин толщиной менее 170мкм, так как при этом возникает большой процент отхода из-за невоспроизводимости процесса развития трещины от начального дефекта.

Признаки аналога, общие с предлагаемым способом изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, следующие: применение радиационно-стойкого стекла К-208, упрочнение стеклянных пластин методом низкотемпературного ионного обмена.

Известен способ упрочнения стекла (см. авторское свидетельство РФ № 542740, опубл. 15.0.1977г.),принятый в качестве аналога, в котором с целью повышения нижнего предела прочности осуществляют: 1)-травление стекла в 5-20% растворе плавиковой кислоты до удаления слоя толщиной 30-80мкм; 2)-упрочнение стекла ионным обменом путем обработки в расплавах солей щелочных металлов; 3)-удаление слоя, в котором произошла релаксация напряжений; 4)-упрочнение стекла путем ионного обмена.

Для достижения предельных величин сжимающих напряжений третью и четвертую операции повторяют от двух до десяти раз. В конкретном примере способа -аналога стекло подвергают травлению в 10% растворе плавиковой кислоты до удаления слоя толщиной 55-60мкм, после чего упрочняют ионным обменом в нитрате калия KNO3 при 450°С в течение 2ч. Затем стекло вновь травят в растворе плавиковой кислоты до удаления слоя толщиной 0,8-4 мкм и упрочняют ионным обменом в течение 0,5ч.

Недостаток данного способа-аналога заключается в том, что применительно к тонким 90-120мкм защитным стеклам фотопреобразователей космического назначения необходимая прочность края стеклянной пластины не обеспечивается из-за механических воздействий на операциях сборки фотоэлемента.

Признаки аналога, общие с предлагаемым способом изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, заключаются в упрочнении стекла путем травления с последующим ионным обменом.

Известен способ упрочнения стекла и закаленное изделие, полученное этим способом (см. патент РФ № 2127711, опубл. 20.03.1999г.), принятый за прототип, в котором выполняется упрочнение стеклянного изделия путем предварительного сжатия поверхностного слоя изделия термической или химической закалкой, кислотного травления поверхности на глубину, равную или большую глубины сжатого слоя стекла, защита травленной поверхности стекла химической закалкой.

Недостаток способа-прототипа заключается в том, что на тонких ~90мкм стеклянных пластинах создание глубоких слоев 40-60мкм с высоким уровнем сжатия для последующего стравливания поверхностных дефектов невозможно из-за ограничения по толщине. В результате не обеспечивается необходимая прочность стеклянной пластины на операциях сборки фотоэлемента.

Признаки прототипа, общие с предлагаемым способом изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, следующие: создание на стеклянных пластинах слоя поверхностного сжатия, кислотное травление поверхности на глубину, равную или большую глубины сжатого слоя стекла; защита травленной поверхности стекла химической закалкой.

Технический результат, достигаемый в предложенном способе изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, заключается в повышении выхода годных фотоэлементов на операциях сборки и монтажа, сокращении объема ремонтных работ за счет увеличения прочности края стеклянной пластины.

Достигается вышеуказанный технический результат тем, что в способе изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, включающем создание слоя поверхностного сжатия на стеклянной пластине, кислотное травление поверхности на глубину, равную или большую глубины сжатого стекла и защиту травленной поверхности стекла химической закалкой, стеклянные пластины вырезают из стеклянных заготовок, которые предварительно располагают вертикально и покрывают защитным слоем путем погружения в расплав воска, формируя при этом за пределами защитного покрытия участок поверхности с геометрической конфигурацией фотопреобразователя с меньшими на 2-10мм габаритными размерами. Кроме того, покрывают сплошным защитным слоем воска одну из сторон стеклянных заготовок. Затем выполняют травление стеклянной заготовки на 30-60мкм в водном растворе плавиковой и серной кислот, а далее удаляют восковое защитное покрытие и вырезают стеклянные пластины с утолщенным краем.

Отличительные признаки предлагаемого способа изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, обуславливающие его соответствие критерию «новизна», следующие: стеклянные пластины вырезают из стеклянных заготовок, которые предварительно располагают вертикально и покрывают защитным слоем путем погружения в расплав воска, формируя при этом за пределами защитного покрытия участок поверхности с геометрической конфигурацией фотопреобразователя, причем с меньшими на 2-10мм габаритными размерами; покрывают сплошным защитным слоем воска одну из сторон стеклянных заготовок; выполняют травление стеклянных заготовок на 30-60мкм в водном растворе плавиковой и серной кислот; удаляют восковое покрытие; вырезают стеклянные пластины с утолщенным краем.

Конкретный пример изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем иллюстрирован на фиг. 1,2,3 и таблицей 1. На фиг.1 представлен вид стеклянной заготовки, покрытой воском и фотопреобразователя; на фиг.2 представлены спектры пропускания стеклянной заготовки а)-до и б)- после стравливания слоя толщиной 50мкм; на фиг.3 представлен профиль клина травления стеклянной заготовки с утолщенным краем. В таблице 1 представлены результаты испытаний на механическую прочность стеклянных пластин методом центрально-симметричного изгиба.

Для конкретного примера изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения применяют радиационно-стойкое стекло марки К-208. Формируют вытяжкой из расплава стеклянную ленту, разделяют стеклянную ленту на заготовки, выравнивают заготовки термическим отжигом. Толщина стеклянных заготовок составляет 170-180мкм. Располагают стеклянные заготовки вертикально в кассете. Наносят защитное покрытие посредством погружения в расплав воска определенной части поверхности стеклянных заготовок с последующим извлечением из расплава, поворотом кассеты вдоль плоскости заготовок на угол 90° или 45° и вновь выполнением погружения.

Для контроля уровня погружения используют эталонный образец в виде плоской фигуры с контуром фотопреобразователя, вырезанной из листа ковара и закрепленной на внешней стенке кассеты со стеклянными заготовками. Погружение стеклянных заготовок в расплав воска выполняют до касания поверхности расплава одной из сторон эталонного образца. При этом после 6-ти погружений по контуру эталонного образца за пределами защитного покрытия стеклянных заготовок остается участок поверхности с геометрической конфигурацией фотопреобразователя, но с меньшими на ~6мм габаритными размерами (см. фиг.1). Далее защищают сплошным слоем воска одну из сторон стеклянных заготовок. Выполняют травление открытого участка стеклянных заготовок в растворе плавиковой и серной кислот НF+Н2SO42O= 1-0,05-5 на глубину ~50мкм в течение 1ч30мин, при этом пропускная способность травленного стекла не ухудшается (см. фиг.2). В процессе травления кассету с заготовками периодически переворачивают в растворе для получения однородного клина травления с пологим углом наклона (см.фиг.3).

Применение воскового покрытия в качестве защиты поверхности стекла при травлении в растворе плавиковой кислоты обусловлено химической инертностью и адгезионными свойствами воска.

Формирование непокрытого защитным слоем участка поверхности стеклянных заготовок с габаритными размерами, отличающимися, чем у фотопреобразователя на величины менее 2мм и глубиной травления менее 30мкм, нецелесообразно, так как не обеспечивается существенное увеличение прочности утолщенного края изготавливаемых стеклянных пластин. Габаритные размеры непокрытого защитным слоем участка поверхности стеклянных заготовок, отличающиеся, чем у фотопреобразователя на величины более 10мм и глубиной травления более 60мкм, не оптимальны из-за избыточного веса стеклянных пластин.

Снимают восковое покрытие в горячей воде. При остывании воск застывает в виде пленки на поверхности воды и используется дальнейшем многократно.

Далее из стеклянных заготовок вырезают алмазным резцом пластины с утолщенным краем, имеющие геометрическую конфигурацию фотопреобразователя с превышением его габаритных размеров на ~0,2мм. Затем создают на стеклянных пластинах методом ионного обмена слой поверхностного сжатия в расплаве калийной селитры KNO3 при температуре 450°С в течение 30мин. При этом в результате замещения ионов № на ионы К, больших размеров и сжатия поверхностного слоя стекла происходит сдавливание микротрещин по резанному краю стеклянных пластин.

Затем выполняют двухстороннее травление стеклянных пластин в растворе НF+Н242О в течение 30мин, при этом происходит удаление сжатого слоя стекла и поверхностных микротрещин на глубину ~15мкм.

Осуществляют финишное упрочнение стеклянных пластин химической закалкой (ионным обменом) в KNO3 за время t=30мин.

Изготовленные стеклянные пластины номинальной толщиной 90мкм с необходимым уровнем радиационной защиты фотопреобразователя космического назначения имеют утолщенный периферийный участок шириной ~3мм, что обеспечивает их существенно более высокую механическую прочность на последующих операциях сборки фотоэлементов при незначительном увеличении веса на ~3%. Возрастание средней величины разрушающей нагрузки стеклянных пластин составило 1,9 раза (см. таблицу!).

Таблица 1. Результаты испытаний на механическую прочность стеклянных пластин методом центрально-симметричного изгиба (расстояние между опорами 22мм)

Образцы стеклянных Средняя толщина Вес пластины, г Разрушающая
пластин по базовому пластины, мкм нагрузка, г
варианту
1 93 0,73 372
2 98 0,78 332
3 97 0,78 378
4 98 0,77 441
5 94 0,75 370
6 95 0,76 375
7 94 0,75 368
Средние величины 96 0,76 377

Образцы стеклянных
пластин с утолщенным краем
Средняя толщина пластин, мкм Вес пластины, г Разрушающая нагрузка, г
в центральной части на периферийном участке
1 92 143 0,82 642
2 91 140 0,8 605
3 89 139 0,81 820
4 94 140 0,84 720
5 90 139 0,79 780
6 89 138 0,8 750
7 96 142 0,83 730
Средние величины 92 140 0,81 721

Предложенный способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем позволяет эффективно применять лазерное термораскалывание.

Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, включающий создание слоя поверхностного сжатия на стеклянной пластине, кислотное травление поверхности на глубину, равную или большую глубины сжатого стекла и защиту травленной поверхности стекла химической закалкой, отличающийся тем, что стеклянные пластины вырезают из стеклянных заготовок, которые предварительно располагают вертикально и покрывают защитным слоем путем погружения в расплав воска формируя при этом за пределами защитного покрытия участок поверхности с геометрической конфигурацией фотопреобразователя, причем с меньшими на 2÷10 мм габаритными размерами, далее покрывают сплошным защитным слоем воска одну из сторон стеклянных заготовок, а затем выполняют травление стеклянных заготовок на 30÷60 мкм в водном растворе плавиковой и серной кислот, после чего удаляют восковое покрытие и вырезают стеклянные пластины с утолщенным краем.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 14.
12.01.2017
№217.015.5b77

Устройство химико-динамического травления германиевых подложек

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к устройствам химико-динамического травления. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, заключается в упрощении конструкции и улучшении однородности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589517
Дата охранного документа: 10.07.2016
13.02.2018
№218.016.23d6

Солнечная батарея

Изобретение относится к устройствам для генерирования электрической энергии путем преобразования энергии светового излучения в электрическую энергию. В солнечной батарее согласно изобретению несущая панель состоит из лицевой и тыльной обшивок, изготовленных из листов упругого материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642487
Дата охранного документа: 25.01.2018
17.02.2018
№218.016.2c75

Способ получения катодного материала для литий-ионных аккумуляторов

Изобретение относится к области химических технологий и может быть использовано для получения катодных материалов литий-ионных аккумуляторов. Способ получения катодного материала для литий-ионных аккумуляторов включает сжигание исходного реакционного раствора, содержащего смесь нитратов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643164
Дата охранного документа: 31.01.2018
04.04.2018
№218.016.334d

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом относится к солнечной энергетике, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Технический результат, получаемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645438
Дата охранного документа: 21.02.2018
10.05.2018
№218.016.476a

Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650785
Дата охранного документа: 17.04.2018
29.05.2018
№218.016.534a

Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя

Изобретение относится к устройству для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя и может найти применение в электронной технике. Маска в устройстве расположена с лицевой стороны подложки. В корпусе выполнены посадочные гнезда с возможностью фиксирования положения подложки. Маска и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653897
Дата охранного документа: 15.05.2018
21.11.2018
№218.016.9f00

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке заключается в создании на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672760
Дата охранного документа: 19.11.2018
12.12.2018
№218.016.a5a5

Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом

Использование: для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом содержит столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674405
Дата охранного документа: 07.12.2018
20.12.2018
№218.016.a9cc

Клапан герметичного литий-ионного аккумулятора

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано в герметичных аккумуляторах для осуществления сброса (стравливания) давления газообразной среды из литий-ионных аккумуляторов. Технический результат, достигаемый в предлагаемом клапане герметичного литий-ионного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675389
Дата охранного документа: 19.12.2018
14.03.2019
№219.016.df6e

Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя

Изобретение относится к солнечной энергетитке, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681660
Дата охранного документа: 12.03.2019
Показаны записи 1-10 из 19.
10.05.2014
№216.012.c207

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к фотопреобразователям. Техническим результатом изобретения является улучшение качества контактов и увеличение выхода годных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающем создание на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515420
Дата охранного документа: 10.05.2014
27.06.2014
№216.012.d789

Устройство химико-динамического травления германиевых подложек

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для химико-динамического утонения германиевых подложек. Технический результат заключается в повышении производительности и упрощении конструкции. В устройстве химико-динамического травления германиевых подложек,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520955
Дата охранного документа: 27.06.2014
10.08.2015
№216.013.6bd8

Способ изготовления фотопреобразователя

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к способам получения трехкаскадных преобразователей. Технический результат, достигаемый в предложенном способе, изготовления фотопреобразователя заключается в улучшении однородности и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559166
Дата охранного документа: 10.08.2015
20.03.2016
№216.014.ca56

Способ вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя

Изобретение относится к технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей со встроенным диодом. Согласно изобретению на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/GaAs/Ge, выращенной на германиевой подложке с p-AlGaInP слоем потенциального барьера, p-AlGaAs и n-GaInP слоями...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002577826
Дата охранного документа: 20.03.2016
12.01.2017
№217.015.5b77

Устройство химико-динамического травления германиевых подложек

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к устройствам химико-динамического травления. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, заключается в упрощении конструкции и улучшении однородности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589517
Дата охранного документа: 10.07.2016
04.04.2018
№218.016.334d

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом относится к солнечной энергетике, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Технический результат, получаемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645438
Дата охранного документа: 21.02.2018
10.05.2018
№218.016.476a

Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650785
Дата охранного документа: 17.04.2018
29.05.2018
№218.016.534a

Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя

Изобретение относится к устройству для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя и может найти применение в электронной технике. Маска в устройстве расположена с лицевой стороны подложки. В корпусе выполнены посадочные гнезда с возможностью фиксирования положения подложки. Маска и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653897
Дата охранного документа: 15.05.2018
21.11.2018
№218.016.9f00

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке заключается в создании на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672760
Дата охранного документа: 19.11.2018
12.12.2018
№218.016.a5a5

Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом

Использование: для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом содержит столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674405
Дата охранного документа: 07.12.2018
+ добавить свой РИД