Правообладатель РИД: Киреев Валерий Юрьевич

Способ может использоваться при межоперационном контроле механических напряжений и дефектов в функциональных слоях. Способ включает эллипсометрические измерения показателя преломления на локальных участках пленки, однократное определение на каждом участке пленки толщины d и показателей...

Использование: для изготовления многослойных диэлектрических или полупроводниковых покрытых диэлектрическим слоем подложек. Сущность изобретения заключается в том, что способ сращивания диэлектрических пластин под действием сильного электрического поля включает нанесение промежуточного...

Изобретение относится к производству интегральных микросхем и микроэлектромеханических приборов и может быть использовано для формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок. Способ...

Изобретение относится к рентгеновской технике. Технический результат - повышение интенсивности рентгеновского излучения, увеличение продолжительности срока эксплуатации прибора, расширение перечня излучаемых длин волн, обеспечение возможности выбора количества длин волн и формы рентгеновского...

Суть настоящего изобретения состоит в процессе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек. Способ основан на применении перспективной «аддитивной технологии», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных...

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, и может быть использовано в технологии изготовления интегральных чувствительных элементов газовых датчиков с...

Изобретение относится к твердотельному суперконденсатору и может быть использовано в устройствах хранения энергии разнообразных интегральных микросхем. Суперконденсатор содержит два электрода, размещенный между ними диэлектрический слой, конформно расположенный на нижнем электроде, при этом...

Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам атомов металла преимущественно для осаждения тонких металлических пленок на диэлектрические подложки в вакуумной камере, и к источникам быстрых атомов и молекул газа. Установка содержит вакуумную камеру 1, эмиссионную...