×
10.11.2019
219.017.e06d

СПОСОБ СРАЩИВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН ПОД ДЕЙСТВИЕМ СИЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Использование: для изготовления многослойных диэлектрических или полупроводниковых покрытых диэлектрическим слоем подложек. Сущность изобретения заключается в том, что способ сращивания диэлектрических пластин под действием сильного электрического поля включает нанесение промежуточного металлического слоя на лицевую сторону одной из диэлектрических пластин, формирование рисунка в этом слое, совмещение пластин, обращенных лицевыми сторонами друг к другу и размещенных в вакуумной камере между двумя электродами, откачку камеры до уровня вакуума от 10 Па до 10 Па, нагрев пластин до температуры от 200°С до 300°С, сжатие электродов с давлением от 3⋅10 Па до 8⋅10 Па и подключение электродов к источнику высокого напряжения, обеспечивающего напряженность электрического поля от 5⋅10 В/см до 8⋅10 В/см в течение от 150 минут до 200 минут со сменой полярности напряжения через каждые 20-30 минут. Технический результат: обеспечение возможности получения проводящих соединительных слоев между диэлектрическими подложками с возможностью их нанесения по шаблону или по всей площади подложки одновременно, где прочность соединения обеспечивается диффузией соединительного слоя в подложки, групповым методом. 1 ил., 1 табл.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления многослойных интегральных схем и МЭМС.

Существуют различные способы сращивания структур элементной базы функциональной микроэлектроники для последующего их корпусирования в конечном изделии. Наиболее широкое применение эти способы нашли при герметизации различных изделий, изготавливаемых по МЭМС технологии. Сущность этих способов состоит в герметичном соединении двух плоских подложек. Все эти способы требуют тщательной подготовки поверхностей соединяемых подложек, обеспечивающей их плотное прилегание и отсутствие загрязнений.

Первый из этих способов - сварка кремния со стеклом в электрическом поле. Этот способ часто называют электростатическая сварка [1]. При нагреве и воздействии сильного электрического поля постоянного напряжения в стекле происходит миграция щелочных ионов. Миграция ионов в стекле от анода к катоду под воздействием внешнего электрического поля приводит к образованию отрицательно заряженного слоя стекла. Под действием электростатических сил стекло прижимается к кремниевой подложке, образуя вакуумно-плотное соединение. Наиболее широко для этих целей используется стекло марки «Пирекс», содержащее высокую концентрацию окисла натрия. Сварка происходит при температуре 400-500°С и напряженности электрического поля 1,8-1,2 кВ/мм в течение от нескольких минут до нескольких десятков минут.

Второй известный способ - использование метода эвтектической пайки [2]. Для проведения процесса эвтектической пайки требуется создание на поверхностях подложек дополнительного слоя металлизации технологического назначения. В качестве эвтектического сплава чаще всего используется сплав Si-Au. В этом случае пайка проводится в вакууме при температурах 370-420°С с приложенным давлением. Могут использоваться и другие эвтектические сплавы, например Au-Bi, Au-Sn.

Третий известный способ - диффузионная сварка [3]. Соединение методом диффузионной сварки практически исключает изменения свойств металлов в местах соединения, происходящих при расплавлении, и отрицательное воздействие внешней среды на физическое состояние соединяемых поверхностей. Кроме того, он позволяет соединять большинство материалов, в том числе ранее несоединяемых металлов и сплавов; обеспечивает высокую надежность соединения, статическую и динамическую прочность, термостойкость, вакуумную плотность (без следов окисления и загрязнения в местах соединения деталей), а также высокие упругие свойства. Процесс проводится при давлении, обеспечивающем микропластическую деформацию поверхности соединяемых подложек. Температура, обеспечивающая процесс диффузии зависит от свариваемых материалов. Так для алюминия и его сплавов составляет 450-500°С, для меди 850-900°С. Существенным недостатком диффузионной сварки является необходимость проведения процесса в сверхвысоком вакууме.

Еще одним аналогом является способ беспустотного сращивания подложек [4], используемый для изготовления подложек, используемых в КНИ (кремний на изоляторе) технологии. Подложки, каждая из которых имеет, по меньшей мере, одну зеркально полированную поверхность и один базовый срез, размещаются партиями в раздельные кассеты с промежутком между подложками, обеспечивающим свободный доступ химических растворов и воды к подложкам. Очищаются в химических растворах, в том числе гидрофилизирующих поверхность, и промываются в деионизованной воде. После чего подложки перегружают в одну кассету в ванне с деионизованной водой без соприкосновения с окружающей атмосферой помещения. Затем пары из первых и вторых подложек поочередно подают на установку прижима, накладывают подложки друг на друга, а прижим осуществляют с помощью внешнего давления по всей поверхности подложки для плотного беспустотного сращивания. Полученные таким образом пары из первых и вторых подложек помещают в кассету для термообработок. Недостаток данного способа заключается в необходимости использования высокой температуры, что ограничивает его использование для сращивания подложек с готовыми приборами.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является возможность получения проводящих соединительных слоев между диэлектрическими подложками с возможностью их нанесения по шаблону или по всей площади подложки одновременно, где прочность соединения обеспечивается диффузией соединительного слоя в подложки, групповым методом. Кроме того, из-за отсутствия в процессе высокой температуры способ позволяет повысить выход годных изделий.

Технический результат сращивания диэлектрических пластин под действием сильного электрического поля достигается тем, что в предложенном способе проводится нанесение промежуточного металлического слоя на лицевую сторону одной из диэлектрических пластин, формирование рисунка в этом слое, совмещение пластин, обращенных лицевыми сторонами друг к другу и размещенных в вакуумной камере между двумя электродами, откачка камеры до уровня вакуума от 10-3 Па до 10-5 Па, нагрев пластин до температуры от 200°С до 300°С, сжатие электродов с давлением от 3⋅103 Па до 8⋅103 Па и подключение электродов к источнику высокого напряжения, обеспечивающего напряженность электрического поля от 5⋅104 В/см до 8⋅104 В/см в течение от 150 минут до 200 минут со сменой полярности напряжения через каждые 20-30 минут.

Сращивание диэлектрических пластин по предложенному способу достигается за счет того, что при воздействии электрического поля и температуры на промежуточный металлический слой, происходит дрейф и диффузия его молекул в приповерхностные слои одного из диэлектриков, после чего при смене полярности электрического поля происходит дрейф и диффузия молекул в обратном направлении, чем обеспечивается сплошной соединительный слой между двумя диэлектрическими пластинами.

Диапазоны изменения технологических параметров, представленные в формуле изобретения, обусловлены следующими факторами. При давлении в вакуумной камере выше 10-3 Па содержащиеся в вакуумной камере неконтролируемые примеси могут попадать в зазор между сращиваемыми пластинами, тем самым нарушая их чистоту и приводя к снижению прочности соединения. Снижение давления в камере уменьшает концентрацию неконтролируемых примесей, тем самым способствуя повышению качества соединения. Однако снижение давления менее 10-5 Па значительно усложняет практическую реализацию способа, а на качество соединения оказывает незначительное влияние. Этими факторами обусловлен диапазон давления в вакуумной камере.

Нагрев пластин до температуры менее 200°С не обеспечивает достаточной подвижности молекул промежуточного металлического слоя за счет дрейфа и диффузии и качество соединения оказывается низким. Повышение температуры выше 300°С практически не влияет на качество соединения, но в тоже время может привести к разрушению или ухудшению характеристик изготовленных на пластинах приборов. Этими факторами обусловлен температурный диапазон, указанный в формуле изобретения.

Сжатие электродов с давлением менее 3⋅103 Па оказывается недостаточным для плотного контакта между пластинами, приводящему к процессам перемещения молекул промежуточного металлического слоя за счет дрейфа и диффузии в поверхности соединяемых диэлектрических пластин. Увеличение давления сжатия электродов выше 8⋅103 Па усложняет конструкцию приспособления для проведения процесса сращивания пластин и в то же время не сказывается на качестве соединения. Эти причины обусловили выбор указанного диапазона давления сжатия пластин.

Фактором, влияющим на скорость дрейфа молекул, является напряженность электрического поля, а не величина приложенного напряжения. Поэтому в качестве существенного признака в формулу включена именно напряженность электрического поля, которая зависит от приложенного напряжения и толщины диэлектрических пластин. При напряженности поля менее 5⋅104 В/см скорость дрейфа оказывается недостаточной и надежного соединения не происходит. Увеличение напряженности электрического поля выше 8⋅104 В/см нецелесообразно, т.к. требует более сложного оборудования, практически не сказываясь на прочности соединения.

При проведении процесса сращивания пластин в течение времени менее 150 минут глубина проникновения молекул промежуточного металлического слоя за счет дрейфа и диффузии недостаточна для образования прочного соединения пластин. Увеличение времени более 200 минут нецелесообразно, так как снижает производительность процесса, не сказываясь существенно на качестве соединения.

Смена полярности напряжения необходима для того, чтобы движение молекул промежуточного металлического слоя за счет дрейфа и диффузии происходило поочередно в сторону обеих сращиваемых пластин. Смена полярности с интервалом менее 20 минут нецелесообразно, так как усложняет проведение процесса, не влияя существенно на качество соединения. Увеличение интервала смены полярности более 30 минут приводит к снижению качества соединения. Эти факторы обусловили выбор диапазонов интервала смены полярности напряжения.

Таким образом, вся совокупность признаков способа соединения подложек обеспечивает конструктивно надежное соединение промежуточных слоев, при необходимости обеспечивая теплоотвод, без воздействия на образцы высокой температурой или давления, что способствует обеспечению высокого уровеня выхода годных структур в процессе изготовления.

Описанное выше обоснование границ диапазонов изменения параметров, основанное на понимании происходящих физических процессов, подтверждается данными из приведенных ниже примеров.

Пример реализации способа

Сущность способа поясняется схемой, представленнной на фиг. 1. В качестве образцов использованы ситалловые пластинки полированные с одной стороны с напылением алюминия на полированную сторону одной из пластин.

На выбранные образцы, после предварительной химической очистки, методом магнетронного напыления наносится металлический слой, в данном случае алюминий, толщиной около 5 мкм.

Затем образцы размещаются в вакуумной камере полированными поверхностями друг к другу. Один из образцов с напыленным слоем алюминия. Проводится совмещение внешних границ образцов, а между их поверхностями остается небольшой зазор. После чего проводится откачка вакуумной камеры, что необходимо для того, чтобы избежать возможного появления воздушных пузырей в структуре готового изделия, эффекта пробоя и образования электрической дуги. После достижения нужного давления в вакуумной камере образцы нагреваются.

После этого образцы прижимаются друг к другу рабочим механизмом, к контактным площадкам на образцах подводится высокое напряжение. Под воздействием электрического поля и температуры начинается дрейф и диффузия атомов алюминия из промежуточного слоя в приповерхностные слои диэлектрика. Через заданное время, полярность напряжения изменяется, что обеспечивает перемещение атомов алюминия в приповерхностный слой второй подложки. Эффект соединения подложек оценивался по удельному усилию отрыва пластин друг от друга после завершения операций по сращиванию пластин. За положительный результат реализации предложенного способа принято удельное усилие отрыва пластин, составляющее не менее 106 Па, Полученные результаты представлены в таблице 1.

Как видно из таблицы, один из параметров экспериментов №№2-5, 8 выходит за пределы нижнего ограничения, указанного в формуле, что сказывается на прочности соединения (усилие отрыва менее 106 Па). В эксперименте №6 интервал времени смены полярности напряжения ниже границ приведенных в формуле, однако это не сказывается на прочности соединения. В данном случае нижняя граница интервала в формуле указана исходя из того, что слишком частая смена полярности усложняет проведение процесса, но не сказывается на его качестве. Выход же за пределы верхней границы диапазона интервала смены полярности (эксперимент №8) приводит к снижению прочности соединения. Проведение экспериментов, в которых один или несколько параметров соответствовали верхнему диапазону параметров, указанных в формуле (№№10, 11), приводит к усложнению технической реализации способа, практически не сказываясь на его результатах.

При режимах, выходящих за нижние границы диапазонов указанных в формуле параметров, надежное соединение подложек не достигается. Нагрев до более высоких температур, чем указано в формуле может привести к выходу из строя изготовленных на подложках изделий. Достижение вакуума, а также усилия сжатия подложек и приложенного напряжения выше указанных в формуле верхних значений требует использования более сложного оборудования. Выдержка более 200 минут приводит к неоправданному снижению производительности.

Предложенный способ позволяет проводить все технологические операции создания многоуровневых микросхем групповым методом, что существенно упрощает процесс их изготовления, снижает себестоимость продукции, повышает ее надежность и воспроизводимость характеристик.

Список литературы.

1. Хоменко Н.Н. Использование свойств стекла при присоединении его с кремнием в сильных электрических полях. В сб.: Электронная техника, серия 6, 1982, вып. 2, с. 61-64.

2. Патент РФ №2662061, Кл. В81С 1/00, 2018 г.

3. Бачин В.А. Диффузионная сварка стекла и керамики с металлами. М.: Машиностроение. 1986.

4. Патент РФ №2244362, Кл. H01L 21/30, 2002 г.

Способ сращивания диэлектрических пластин под действием сильного электрического поля, включающий нанесение промежуточного металлического слоя на лицевую сторону одной из диэлектрических пластин, формирование рисунка в этом слое, совмещение пластин, обращенных лицевыми сторонами друг к другу и размещенных в вакуумной камере между двумя электродами, откачку камеры до уровня вакуума от 10 Па до 10 Па, нагрев пластин до температуры от 200°С до 300°С, сжатие электродов с давлением от 3⋅10 Па до 8⋅10 Па и подключение электродов к источнику высокого напряжения, обеспечивающего напряженность электрического поля от 5⋅10 В/см до 8⋅10 В/см в течение от 150 минут до 200 минут со сменой полярности напряжения через каждые 20-30 минут.
СПОСОБ СРАЩИВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН ПОД ДЕЙСТВИЕМ СИЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
СПОСОБ СРАЩИВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН ПОД ДЕЙСТВИЕМ СИЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 38.
26.08.2017
№217.015.d5fd

Устройство для сжатия данных

Изобретение относится к области сжатия и распаковки данных без потерь. Технический результат - простота реализации с одновременным уменьшением времени передачи данных, повышение информационной вместимости без потерь информации за счет сокращения необходимого объема памяти для хранения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622878
Дата охранного документа: 20.06.2017
29.12.2017
№217.015.f6c8

Способ биологической визуализации

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для визуализации биологических объектов. Для этого осуществляют мечение анализируемых клеточных компонент, клеток, тканей или органов флуоресцентными зондами. Зонды состоят из биологических распознающих молекул и флуоресцентных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639125
Дата охранного документа: 19.12.2017
29.12.2017
№217.015.fd4b

Способ направленного разрушения раковых клеток

Изобретение относится к медицине, а именно к онкологии, и может быть использовано для направленного разрушения раковых клеток. Для этого осуществляют их предварительную визуализацию путём введения в исследуемый объект комплекса, состоящего из объединенных молекул фотосенсибилизатора,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638446
Дата охранного документа: 13.12.2017
29.12.2017
№217.015.fe4d

Способ получения аналитической тест-системы на основе суспензионных микрочипов для детекции маркеров заболеваний

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для получения аналитической тест-системы на основе суспензионных микрочипов для детекции маркеров заболеваний. Для этого создают суспензионные микрочипы путем оптического кодирования микросфер различного диаметра флуоресцентными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638787
Дата охранного документа: 15.12.2017
19.01.2018
№218.016.0775

Способ повышения нефтеотдачи пласта с высоковязкой нефтью

Изобретение относится к области промысловой геофизики и может быть использовано для интенсификации добычи тяжелой высоковязкой нефти. Заявлен способ повышения нефтеотдачи пласта с высоковязкой нефтью, при котором погружают в скважину снаряд, содержащий спиральную линию, с помощью которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631451
Дата охранного документа: 22.09.2017
20.01.2018
№218.016.0ee3

Способ синтеза нанопроволок нитрида алюминия

Изобретение относится к технологии получения нанопроволок AlN для микроэлектроники и может быть использовано для улучшения рассеивания тепла гетероструктурами, для создания светильников, индикаторов и плоских экранов, работающих на матрице из нанопроволок и т.д. Проводят импульсное лазерное...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633160
Дата охранного документа: 11.10.2017
04.04.2018
№218.016.327c

Сканирующий зондовый нанотомограф с модулем оптического анализа

Изобретение относится к области зондовых измерений объектов после их микро- и нанотомирования. Сущность изобретения заключается в том, что в сканирующий зондовый нанотомограф с модулем оптического анализа, содержащий основание 1, на котором установлен блок пьезосканера 2, блок зонда 10 и блок...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645437
Дата охранного документа: 21.02.2018
04.04.2018
№218.016.355b

Способ коллоидного синтеза фотолюминесцентных наночастиц сверхмалого размера структуры ядро/оболочка

Использование: для получения фотолюминесцентных наночастиц, или квантовых точек (КТ), сверхмалого размера. Сущность изобретения заключается в том, что в способе коллоидного синтеза фотолюминесцентных наночастиц сверхмалого размера структуры ядро/оболочка, включающем синтез ядер...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645838
Дата охранного документа: 28.02.2018
04.04.2018
№218.016.35a2

Способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики

Изобретение относится к способу финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики. Обработку поверхности оптической стеклокерамики проводят в две стадии. На первой стадии осуществляется обработка поверхности оптической стеклокерамики пучками ускоренных кластерных ионов аргона. Далее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646262
Дата охранного документа: 02.03.2018
10.05.2018
№218.016.4464

Способ подачи газа в сверхзвуковое сопло ускорителя газовых кластерных ионов

Изобретение относится к области ускорительной техники, в частности к системам подачи газа в сверхзвуковое сопло при формировании пучков ускоренных газовых кластерных ионов. Технический результат - расширение класса рабочих газов, в том числе слабо кластеризуемых, используемых в системах для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649883
Дата охранного документа: 05.04.2018
Показаны записи 1-10 из 12.
10.04.2014
№216.012.b0d5

Устройство для осаждения металлических пленок

Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам атомов металла преимущественно для осаждения тонких металлических пленок на диэлектрические подложки в вакуумной камере, и к источникам быстрых атомов и молекул газа. Установка содержит вакуумную камеру 1, эмиссионную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510984
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.02.2015
№216.013.2331

Способ радиационно-стимулированного термического окисления кремния

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления оксидного слоя, являющегося основным структурным элементом интегральных схем на основе МОП-транзисторов. Изобретение обеспечивает возможность получения пленок диоксида кремния, обладающих повышенным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540462
Дата охранного документа: 10.02.2015
13.01.2017
№217.015.73a6

Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа

Изобретение относится к изготовлению средств выявления примесей газов и определения концентрации газов в воздушной среде. Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа согласно изобретению включает нанесение диэлектрической пленки на лицевую сторону кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597657
Дата охранного документа: 20.09.2016
25.08.2017
№217.015.c5dc

Способ получения радиопоглощающего покрытия

Изобретение относится к антенной технике. При получении радиопоглощающего покрытия на защищаемую поверхность наносят радиопоглощающий материал в несколько слоев, при этом по крайней мере в одном из слоев создаются разрезные кольца из электропроводного материала толщиной более толщины...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618493
Дата охранного документа: 03.05.2017
19.01.2018
№218.016.009e

Суперконденсатор на основе кмоп-технологии

Изобретение относится к твердотельному суперконденсатору и может быть использовано в устройствах хранения энергии разнообразных интегральных микросхем. Суперконденсатор содержит два электрода, размещенный между ними диэлектрический слой, конформно расположенный на нижнем электроде, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629364
Дата охранного документа: 29.08.2017
10.05.2018
№218.016.4773

Способ изготовления чувствительных элементов газовых датчиков

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, и может быть использовано в технологии изготовления интегральных чувствительных элементов газовых датчиков с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650793
Дата охранного документа: 17.04.2018
29.05.2018
№218.016.5539

Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Суть настоящего изобретения состоит в процессе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек. Способ основан на применении перспективной «аддитивной технологии», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654313
Дата охранного документа: 17.05.2018
29.04.2019
№219.017.45ce

Способ изготовления универсальных датчиков состава газа

Изобретение относится к изготовлению средств выявления примеси газов в воздушной среде и определения уровня концентрации газов в среде. Техническим результатом изобретения является возможность получения тонкопленочных (1-5 мкм) диэлектрических мембран по всей площади подложки одновременно и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002449412
Дата охранного документа: 27.04.2012
15.08.2019
№219.017.bfe9

Рентгеновский источник и способ генерации рентгеновского излучения

Изобретение относится к рентгеновской технике. Технический результат - повышение интенсивности рентгеновского излучения, увеличение продолжительности срока эксплуатации прибора, расширение перечня излучаемых длин волн, обеспечение возможности выбора количества длин волн и формы рентгеновского...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697258
Дата охранного документа: 13.08.2019
02.10.2019
№219.017.d016

Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Изобретение относится к производству интегральных микросхем и микроэлектромеханических приборов и может быть использовано для формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002700231
Дата охранного документа: 13.09.2019
+ добавить свой РИД