Правообладатель РИД: Черемисинов Андрей Андреевич

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к осаждению пленок тройного сплава CoNiFe для элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает осаждение пленок в гальванической ванне с вертикальным расположением электродов при...

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает осаждение пленки в гальванической ванне при плотности тока 20±1,0 мА/см,...

Использование: для создания полупроводниковых приборов, обладающих чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения заключается в том, что пленочная система формирования магнитного поля содержит подложку, диэлектрический слой, магниточувствительный элемент, пленочные...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор с ортогональными потоками носителей заряда содержит кремниевую...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман,...

Изобретение относится к области приборостроения. Оно может быть использовано в датчиках перемещений в системах навигации, автоматического управления и стабилизации подвижных объектов. Технический результат заключается в уменьшении массогабаритных характеристик, а также увеличении разрешающей...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно...