×
17.03.2019
219.016.e27d

Способ электрохимического осаждения пленок пермаллоя NiFe с повышенной точностью воспроизведения состава

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает осаждение пленки в гальванической ванне при плотности тока 20±1,0 мА/см, температуре 60-70°С при перемешивании электролита, содержащего хлорид никеля NiCl⋅6HO и хлорид железа FeCl⋅4HO, обеспечивающие отношение концентраций атомов никеля и железа N/N = 4,26, борной кислоты НВО - 30 г/л, разрыхлителя сахарина CHNOS - 5 г/л, соляной кислоты HCl (30%) для получения рН 1,7±10%, осаждение проводят в локальных областях, ограниченных фоторезистивной маской на окисленной кремниевой пластине, металлизированной никелем с подслоем нихрома, при этом металлизированный слой контактирует с никелевым электродом катода на краю пластины, при этом электролит при приготовлении очищают от трехвалентного железа за счет фильтрации оксида трехвалентного железа, а для компенсации удаленного хлорида железа и повышенной скорости осаждения никеля в электролит вносят добавку очищенного хлорида двухвалентного железа для получения состава пленки NiFe, а при осаждении пленок анодом служит углеродная пластина. Технический результат: повышение воспроизводимости точного состава пленок пермаллоя и улучшение их магнитных свойств. 4 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области электрохимического осаждения сплавов, в частности к осаждению сплава пермаллоя Ni81Fe19 для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле.

Известны способы электрохимического осаждения пермаллоя.

В патенте /1/ предлагается аппаратура осаждения пермаллоя Ni80Fe20 в виде тонких пленок 0,5-1,0 мкм для устройств памяти с перемешиванием электролита и с коррекцией состава в процессе осаждения без указания состава электролита.

В патенте /2/ осаждение сплава никель-железо ведут с использованием периодического тока промышленной частоты. Применение патента ограничено из-за использования компонентов с щелочными металлами.

Известны способы очистки электролитов от вредных примесей.

Способ очистки электролита хромирования на основе соединений шестивалентного хрома от примеси катионов трехвалентного железа /3/, включает удаление катионов трехвалентного железа путем добавления твердой йодноватой кислоты или твердого ангидрида йодноватой кислоты.

Способ /4/ очистки электролита хромирования при гидроксидообразовании трехвалентного железа и выпадении осадка хроматов и гидроксохроматов трехвалентного железа и двухвалентной меди в интервале рН=1,5-4,0 за счет введения водных растворов гидразина, гидроксиамина, пероксида водорода или гидролиза.

Экспериментально исследованы /5/ процессы переноса ионов железа, трех- и шестивалентного хрома через ионообменные мембраны из разбавленного в 2-5 раз электролита хромирования. Очистка электролита от ионов железа происходит с помощью двух процессов: переноса железа из очищаемого электролита (анолита) в католит через катионообменную мембрану и переноса чистой хромовой кислоты из трехкамерного электролизера в анодную камеру через анионообменную мембрану.

В работе /6/ показана возможность образования гидрооксида железа в сульфидном электролите для получения сплава NiFe.

В качестве прототипа выбран патент РФ /7/, в котором описан способ электрохимического локального осаждения пленок пермаллоя Ni81Fe19 для интегральных микросистем в гальванической ванне с вертикальным расположением электродов при плотности постоянного тока 20±1,0 мА/см2, при температуре 60-70°С, с перемешиванием хлоридного электролита с содержанием хлорида никеля NiCl2⋅6H2O и хлорида железа FeCl2⋅4H2O, обеспечивающих отношение концентраций атомов никеля и железа NNi/NFe=4,26; комплексообразователя борной кислоты Н3ВО3 - 30 г/л; разрыхлителя сахарина C7H5NO3S - 5 г/л; соляной кислоты НС1 (30%) для получения рН=1,7±10%, осаждение проводится в локальных областях, ограниченных фоторезистивной маской на окисленной кремниевой пластине, металлизированной

никелем с подслоем нихрома, металлизация контактирует с никелевым электродом катода на краю пластины, анодом служит никелевая фольга.

При реализации этого патента выяснилось, что точность задания состава электролита зависит от примеси трехвалентного окисного железа в поставляемых химикатах гидрата железа хлорного двухвалентного FeCl2*4H2O, который согласно ТУ 6-02-609-86 содержит до 0,1% окисного железа. Постепенное окисление двухвалентного железа является причиной ограничения срока хранения хлорного двухвалентного железа. Кроме того, в работе /7/ показана возможность образования гидрооксида железа в электролите.

Нестабильность двухвалентного железа и переход в трехвалентное определяет сложности получения заданного состава пленок пермаллоя, т.к. трехвалентное железо осаждается с большой скоростью за счет большего заряда иона и увеличивает содержание железа в пленке. В ряду стандартных электродных потенциалов металлов Fe2+ имеет значение -0,44В, Ni2+ имеет значение -0,25В, а электродный потенциал Fe3+ имеет значение -0,036В, согласно реакции Fe3++3е-→ Fe(тв)-0,036В. В соответствии с электродным потенциалом двухвалентное железо должно осаждаться хуже никеля. Но трехвалентное железо осаждается значительно быстрее никеля и возникает неопределенность в получении нужного состава пленки при задании содержании двухвалентного железа в электролите без контроля содержания трехвалентного.

Задачей изобретения является повышение воспроизводимости точного состава пленок пермаллоя Ni81Fe19 для концентраторов и экранов магнитного поля в полупроводниковых магниточувствительных микросистемах и улучшение их магнитных свойств за счет задания состава электролита.

Поставленная задача решается благодаря тому, что в способе электрохимического осаждения пленок пермаллоя Ni81Fe19 с повышенной точностью воспроизведения состава предусмотрены следующие отличия: электролит при приготовлении очищается от трехвалентного железа и для компенсации удаленного хлорида железа и повышенной скорости осаждения никеля вносится добавка очищенного хлорида двухвалентного железа для получения состава пленки Ni81Fe19, анодом служит углеродная пластина.

Между совокупностью существенных признаков заявляемого объекта и достигаемым техническим результатом существует причинно-следственная связь.

Очистка хлоридного электролита от ионов трехвалентного железа проводится на стадии приготовления электролита при растворении в воде гидрата железа хлорного двухвалентного FeCl2*4H2O и борной кислоты Н3ВО3. Проводится пробный процесс осаждения пленок пермаллоя из приготовленного хлоридного электролита. По результатам анализа полученных пленок проводится корректирующая добавка очищенного хлорида железа двухвалентного в электролит. Хлоридный электролит с соотношением концентраций атомов никеля и железа NNi/NFe=4,26 позволяет задавать точно состав сплава Ni81Fe19, который обладает наилучшими магнитными свойствами -линейностью намагничивания.

Углеродный анод не растворяется в хлоридном электролите. Не возникает шлам и осадки, загрязняющие электролит. Не возникают в электролите дополнительные ионы никеля, образующиеся при растворении никелевого анода.

На фиг. 1 показана зависимость оптического пропускания T на длинах волн 315-1050 нм водного раствора с концентрацией FeCl2*4H2O 90 г/л, с добавкой борной кислоты 80 г/л и фильтрацией раствора.

На фиг. 2 приведены зависимости оптического пропускания T на длинах волн 315-1050 нм растворов с концентрациями борной кислотой 40 г/л и 1. С концентрацией FeCl2*4H2O 22 г/л; 2. С концентрацией NiCb2*6H2O 112 г/л; 3. Хлорного электролита FeCl2+NiCl2+H3BO3.

На фиг. 3 представлена зависимость от тока в диапазоне 260-420 мА состава пленок пермаллоя при электрохимическом осаждении из хлоридного электролита при температуре 70°С и содержании атомов никеля и железа в отношении 4,26 соответствующему сплаву Ni81Fe19 с добавками гидрата хлорида железа.

На фиг. 4 показано намагничивание пленок пермаллоя при разном составе NiFe.

Приготовление раствора хлорида железа исследовано с помощью спектрофотометра В-1100. Раствор имеет желто-коричневый цвет. В жидкости присутствует суспензия Fe(OH)2 и Fe(OH)3. Спектральные коэффициенты направленного пропускания на фиг. 1 характеризуются пиками поглощения света при длинах волн 345 нм и 945 нм. В раствор добавлялась борная кислота и проводилась фильтрация раствора. После добавки борной кислоты спектрограмма не изменяется, значит, пропускание света определяется раствором FeCl2*4H2O. После фильтрации поглощение света уменьшается в областях вдали от пиков поглощения, т.е. раствор очищается от суспензии Fe(OH)2 и Fe(OH)3 за счет комплексообразователя борной кислоты. Цвет раствора стал желто-зеленоватый и выпал красновато-коричневый осадок. Взаимодействие осадка гидроксида железа (III) с раствором соляной кислоты приводит к характерному для Fe(OH)3 растворению осадка и образованию желтого раствора хлорида железа (III).

Спектральные коэффициенты направленного пропускания при растворении гидрата хлорида никеля характеризуются на фиг. 2-2 пиками поглощения света на длинах волн 395, 725 и 985 нм. Раствор имеет желто-зеленый цвет. После добавки борной кислоты Н3ВО3 цвет не изменяется и осадок не выпадает.

Хлоридный электролит, составленный из растворов с железом, никелем и борной кислотой имеет спектрофотограмму, показанную на фиг. 2-3. Спектральные коэффициенты направленного пропускания при смешивании растворов хлорида железа и никеля характеризуются пиками поглощения света соответствующие никелю, имеющему в 4,26 раз большую концентрацию, чем железо (фиг. 2-1).

Добавка сахарина 1,6 г/л в этот электролит уменьшает пропускание на длинах волн 500 и 900 нм в областях хорошего пропускания света для раствора хлорида никеля. Кислотность повышается. Добавка соляной кислоты 2 г/л в этот электролит уменьшает поглощение света на длинах волн 540 и 860 нм. Эти области находятся вне пика поглощения света для растворов хлорида железа и никеля. Электролит становится заметно светлее. Взвесь растворяется. Кислотность повышается и электролит стабилизируется.

На фиг. 3 видно, что изменение тока процесса электрохимического осаждения не приводит к изменению состава пленки. При выбранном значении тока изменение содержания железа в электролите приводит к изменению содержания в пленке. Содержание никеля в пленке сплава никель железо выше, чем в электролите. Следовательно, никель осаждается лучше, чем железо. Увеличение концентрации очищенного гидрата хлорида железа при добавках в электролит позволяет компенсировать ускоренное осаждение никеля и очистку от трехвалентного железа и получить состав пленки пермаллоя соответствующий сплаву Ni81Fe19.

Для исключения повышенного содержания никеля в осаждаемой пленке применяется углеродный анод, который не растворяется в электролите в процессе электрохимического осаждения, в отличие от никелевого анода.

Геометрическое место точек вершин частных петель гистерезиса при выбранных значениях поля намагничивания составляет основную кривую намагничивания М(Н), характеризующую преобразование магнитного поля. Для образцов пленок пермаллоя с содержанием железа 17,5-20,7% на фиг. 4 приведены кривые намагничивания в магнитном поле 10, 25, 50, 100 Э. В слабых магнитных полях на кривых наблюдается участок обратимого намагничивания. При увеличении концентрации железа этот участок увеличивается. При средних значениях магнитного поля магнитные домены поворачиваются вдоль направления магнитного поля и создают основное намагничивание материала. Участки кривых имеют вид прямых линий. Наклон линий определяет магнитную проницаемость. Максимальное значение проницаемости наблюдается для пленок с составом 19% железа. При ориентации всех доменов по полю кривая намагничивания выходит в насыщение. Наиболее линейная характеристика преобразования, отмеченная пунктиром на фиг. 4 получается в пленках пермаллоя с 19% железа.

Применение способа электрохимического осаждения пленок пермаллоя Ni81Fe19 с повышенной точностью воспроизведения состава позволяет повысить точность воспроизведения состава и магнитных свойств пленок пермаллоя Ni81Fe19.

Использованные источники

1. Е.Е. Castellani, J. V. Powers, L.T. Romankiw Nickel-iron (80:20) alloy thin film electroplating method and electrochemical treatment and plating apparatus // Patent US 4102756 A, 1978.

2. Хамаев B.A., Кривцов A.K. Способ электролитического осаждения сплава никель-железо // Патент РФ 257257, 1969 - прототип.

3. Тураев Д.Ю. Способ очистки электролита хромирования на основе соединений шестивалентного хрома от примеси катионов трехвалентного железа// Патент РФ №2484186,2013.

4. Тураев Д.Ю. Способ очистки электролита хромирования от примесей катионов железа и меди, Патент РФ № 2433212, 2011.

5. Кругликов С.С., Колотовкина Н.С. Применение погружных электрохимических модулей для очистки электролитов хромирования от ионов железа и других катионных примесей электромембранным методом// Гальванотехника и обработка поверхности, т. 21, № 3, С. 63-67, 2013.

6. К. Smistrup, Р.Т. Tang, and P. Moller, Pulse Reversal Permalloy Plating Process for MEMS Applications// The Electrochemical Society ECS Transactions, 2007, 25 179-189.

7. Тихонов Р.Д. Способ электрохимического локального осаждения пленок пермаллоя Ni81Fe19 для интегральных микросистем // Патент РФ 2623536, 2017 - прототип.

Способ электрохимического осаждения пленок пермаллоя NiFe с повышенной точностью воспроизведения состава в гальванической ванне с вертикальным расположением электродов, включающий осаждение при плотности постоянного тока 20±1,0 мА/см, температуре 60-70°С при перемешивании хлоридного электролита с содержанием хлорида никеля NiCl⋅6HO и хлорида железа FeCl⋅4HO, обеспечивающих отношение концентраций атомов никеля и железа N/N = 4,26, комплексообразователя борной кислоты НВО - 30 г/л, разрыхлителя сахарина CHNOS - 5 г/л, соляной кислоты HCl (30%) для получения рН 1,7±10%, осаждение проводят в локальных областях, ограниченных фоторезистивной маской на окисленной кремниевой пластине, металлизированной никелем с подслоем нихрома, при этом металлизированный слой контактирует с никелевым электродом катода на краю пластины, отличающийся тем, что электролит при приготовлении очищают от трехвалентного железа за счет фильтрации оксида трехвалентного железа, а для компенсации удаленного хлорида железа и повышенной скорости осаждения никеля в электролит вносят добавку очищенного хлорида двухвалентного железа для получения состава пленки NiFe, а при осаждении пленок анодом служит углеродная пластина.
Способ электрохимического осаждения пленок пермаллоя NiFe с повышенной точностью воспроизведения состава
Способ электрохимического осаждения пленок пермаллоя NiFe с повышенной точностью воспроизведения состава
Способ электрохимического осаждения пленок пермаллоя NiFe с повышенной точностью воспроизведения состава
Способ электрохимического осаждения пленок пермаллоя NiFe с повышенной точностью воспроизведения состава
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-7 из 7.
29.08.2018
№218.016.8070

Многопортовая ячейка оперативного запоминающего устройства

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении диапазона выходного напряжения ячейки до уровня питающего напряжения при сохранении повышенной сбоеустойчивости, увеличении нагрузочной способности ячейки и напряжения выходного сигнала. Ячейка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665248
Дата охранного документа: 28.08.2018
29.05.2019
№219.017.632d

Ячейка оперативного запоминающего устройства

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении диапазона выходного напряжения ячейки до уровня питающего напряжения при сохранении повышенной сбоеустойчивости. Ячейка оперативного запоминающего устройства содержит три последовательно соединенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688242
Дата охранного документа: 21.05.2019
19.07.2019
№219.017.b66e

Чувствительный элемент преобразователя магнитного поля

Использование: для конструкции оптоволоконных датчиков магнитного поля. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент преобразователя магнитного поля для волоконно-оптического датчика содержит подложку из монокристаллического кремния, мембрану, расположенную над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694788
Дата охранного документа: 16.07.2019
22.01.2020
№220.017.f7ef

Резервированный модуль с функцией тестирования

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в вычислительных и управляющих системах различного назначения. Технический результат заключается в обеспечении возможности определения исправности всех трёх резервирующих элементов модуля во время тестирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711489
Дата охранного документа: 17.01.2020
29.02.2020
№220.018.077a

Структура для преобразователей механических деформаций

Изобретение относится к элементам магнитной стрейнтроники и может быть использовано в преобразователях механических деформаций (напряжений, давлений), акустических преобразователях на основе многослойных тонкоплёночных магнитострикционных наноструктур с анизотропным магниторезистивным эффектом....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715367
Дата охранного документа: 26.02.2020
21.05.2020
№220.018.1f00

Частотно-фазовый детектор

Изобретение относится к цифровой электронике и может использоваться в системах фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ). Технический результат заключается в исключении возможности «захвата» когерентных и кратных частот опорного сигнала, что позволит избежать рисков сбоя в режиме частотного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721416
Дата охранного документа: 19.05.2020
21.05.2023
№223.018.699d

Способ электрохимического осаждения пленок тройного сплава conife

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к осаждению пленок тройного сплава CoNiFe для элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает осаждение пленок в гальванической ванне с вертикальным расположением электродов при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002794924
Дата охранного документа: 25.04.2023
Показаны записи 1-10 из 42.
27.03.2013
№216.012.3189

Профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства

Изобретение относится к средствам контроля медицинской техники и может быть использовано в устройствах обнаружения магнитных микрогранул, прикрепившихся к биоматериалам в результате процессов биотинилирования и гибридизации. Сущность изобретения заключается в том, что профилированный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002478219
Дата охранного документа: 27.03.2013
27.05.2013
№216.012.4598

Магниторезистивный преобразователь

Изобретение относится к измерительной технике. Технический результат - уменьшение потребляемой мощности и нагрева. Сущность: преобразователь содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему четыре параллельно расположенные тонкопленочные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483393
Дата охранного документа: 27.05.2013
10.11.2013
№216.012.8010

Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498457
Дата охранного документа: 10.11.2013
10.02.2014
№216.012.9f86

Микроэлектромеханический датчик микроперемещений с магнитным полем

Изобретение относится к области приборостроения. Оно может быть использовано в датчиках перемещений в системах навигации, автоматического управления и стабилизации подвижных объектов. Технический результат заключается в уменьшении массогабаритных характеристик, а также увеличении разрешающей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506546
Дата охранного документа: 10.02.2014
10.02.2014
№216.012.9ffd

Магниторезистивная головка-градиометр

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов. В магниторезистивной головке-градиометре, содержащей подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда последовательно соединенных такими же...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506665
Дата охранного документа: 10.02.2014
10.02.2014
№216.012.9ffe

Способ изготовления высокочувствительного сенсора "магниторезистивная головка-градиометр"

Изобретение относится к области магнитных датчиков на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Способ согласно изобретению включает окисление кремниевой подложки 1, формирование диэлектрического слоя 2, формирование магниторезистивной структуры, содержащей верхний 3 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506666
Дата охранного документа: 10.02.2014
10.05.2014
№216.012.c1dc

Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515377
Дата охранного документа: 10.05.2014
27.05.2014
№216.012.cb35

Наноэлектромеханическая система для измерения параметров движения и способ ее изготовления

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в датчиках ускорения. Система для измерения параметров движения содержит первое твердотельное основание из немагнитного материала, на котором закреплен чувствительный элемент в виде консольной балки, состоящий из активной и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002517787
Дата охранного документа: 27.05.2014
10.09.2014
№216.012.f2a8

Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления электростатического силового микроэлектромеханического ключа, в котором формируется плоскопараллельное соединение поверхности кремниевого кристалла и печатной платы за счет сформированного микрорельефа на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527942
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.02.2015
№216.013.2702

Электростатический мэмс ключ

Изобретение относится к микроструктурным микроэлектромеханическим системам. Электростатический микроэлектромеханический ключ содержит кремниевый кристалл со сформированным подвижным электродом в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями, образующими гибкие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541439
Дата охранного документа: 10.02.2015
+ добавить свой РИД