×

Правообладатель РИД: Корнеев Сергей Викторович

Показаны записи 1-5 из 5.
09.06.2019
№219.017.7707

Интегральный повторитель напряжения

Изобретение относится к электронике, а именно к повторителям напряжения для усиления тока и преобразования импеданса в цепях электронных устройств, выполненным по интегральной технологии. Технический результат заключается в повышении быстродействия и точности. Устройство содержит первый-третий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002289199
Дата охранного документа: 10.12.2006
20.05.2019
№219.017.5cd1

Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов силовых полупроводниковых модулей. Техническим результатом изобретения является создание герметичного металлокерамического корпуса силового полупроводникового модуля, обладающего низкими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688035
Дата охранного документа: 17.05.2019
10.12.2014
№216.013.0f1a

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535283
Дата охранного документа: 10.12.2014
10.05.2014
№216.012.c0df

Способ изготовления транзисторной свч ldmos структуры

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS структур и транзисторов на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании, способных работать в диапазоне частот до 3,0-3,6 ГГц...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515124
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.11.2013
№216.012.8007

Способ изготовления свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и обеспечивает создание способа изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с уменьшенным шагом транзисторной ячейки, улучшенными частотными и энергетическими параметрами и повышенным процентом выхода годных структур. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498448
Дата охранного документа: 10.11.2013
+ добавить свой РИД