Правообладатель РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН)

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для систем приема и обработки оптической информации. Ячейка устройства считывания фотоприемных матриц с аналого-цифровым преобразованием содержит входной узел, интегрирующую емкость с одной из обкладок, закороченной...

Светодиод содержит подложку, светоизлучающую структуру, первый электрод, второй электрод. На подложке выполнен электропроводящий, прозрачный для излучаемого света U-образный подвес для светоизлучающей структуры. Подвес лежит на подложке одной ветвью и жестко связан с ней. Между ветвями в...

Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения двухтактных сдвигающих регистров в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах. Технический результат заключается в обеспечении...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении паразитной емкости между плавающими затворами соседних флэш элементов памяти и предотвращении стирания информации соседних флэш элементов памяти. Флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку...

Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения сдвиговых регистров в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей за счет обеспечения реверсивности сдвига...

Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения сдвиговых регистров в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах. Техническим результатом является обеспечение реверсивности сдвига...

Предложенный способ относится к изготовлению инструмента измерительной техники для исследований профилей топографических особенностей гладкой поверхности - ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. Согласно заявленному способу,...

Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой....

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. В подложку из кремния проводят имплантацию ионов с формированием слоя, предназначенного для переноса. Осуществляют активирующую обработку поверхности, по которой проводят...

Изобретение относится к области исследования материалов с помощью оптических средств, а также к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для контроля водорода в материале при создании приборов и структур. В отношении образца с тестируемым материалом регистрируют спектр...