Правообладатель РИД: Сычев Сергей Александрович

Изобретение относится к металлургии стали. Вакуумированием обеспечивают содержание водорода в стали перед разливкой не более 3·10%. Непрерывно литую заготовку разрезают на мерные длины и укладывают слябы в термос в две стопы с расстоянием от верхних слябов до крышки термоса не более 250 мм и...

Изобретение относится к металлургии стали, в частности к непрерывному литью заготовок. Основная задача, решаемая изобретением, - повышение потребительских свойств проката за счет обеспечения требуемой поверхности слябов. Машина непрерывного литья содержит устройство для резки непрерывно-литой...

Изобретение относится к способам формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными требуемыми для изготовления ВТСП приборов значениями плотности критического тока. Сущность изобретения: в способе формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными...

Изобретение относится к области химической технологии, в частности к способу получения оксихлорида (основного хлорида) алюминия. Способ получения оксихлорида алюминия путем обработки гидроксида алюминия соляной кислотой при нагревании, отличающийся тем, что перед нагреванием добавляют...

Изобретение относится к приборам с использованием сверхпроводимости, в частности к приборам с переходом между различными материалами с использованием эффекта Джозефсона. Указанный результат достигается тем, что предложен способ формирования тонкопленочных микромостиков, в котором наносят...

Изобретение относится к способам формирования сверхпроводящих пленок с двух сторон диэлектрических подложек. Изобретение обеспечивает создание однородных по толщине сверхпроводящих пленок с двух сторон подложки в одном технологическом цикле. В способе формирования сверхпроводящих пленочных...

Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления сверхпроводящих ультратонких пленок сложного металлооксидного соединения состава YBaCuO путем оптимизации параметров лазерного излучения и условий постростового отжига в напылительной камере. Изобретение обеспечивает...

Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления сверхпроводящих пленок. Изобретение обеспечивает получение на золотом буферном подслое сверхпроводящих пленок с высокими токонесущими свойствами, обеспечивающими значения плотности сверхпроводящего критического тока не...

Изобретение относится к формированию на диэлектрических подложках золотых контактных площадок к пленкам YBaCuO. Изобретение обеспечивает получение качественных золотых контактных площадок к сверхпроводящим пленкам. В способе формирования на диэлектрической подложке контактных площадок к пленкам...

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники, активных элементов криоэлектронных схем, работающих в условиях космического вакуума и холода и использующих новые проводящие керамические материалы с очень малым температурным...