Правообладатель РИД: Климов Евгений Александрович

Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение позволяет упростить способ генотипирования крупного рогатого скота по аллелям 878 C>Т гена scd1 (rs41255693), сократить время проведения анализа. Способ генотипирования крупного рогатого скота по аллелям 878 C>Т гена scd1 (rs41255693)...

Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение позволяет упростить способ генотипирования крупного рогатого скота по аллелям 878 C>Т гена scd1 (rs41255693), сократить время проведения анализа. Способ генотипирования крупного рогатого скота по аллелям 878 C>Т гена scd1 (rs41255693)...

Изобретение может быть использовано при производстве передающих и приемных антенн для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 5 ТГц). Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн эпитаксиально выращена на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А и состоит из...

Использование: для создания материала фотопроводящих антенн. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией...

Изобретение относится к области биохимии и молекулярно-генетической диагностики, в частности к способу выявления у субъекта предрасположенности к развитию панического расстройства. Настоящий способ включает совместное выявление комплексных генотипов в генах SLC6A4, HTR1A, CCKAR. Согласно...

Изобретение может быть использовано в приемных антеннах для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 4 ТГц). Cтруктура представляет собой полупроводниковую эпитаксиальную многослойную структуру, выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А, состоящую из...

Изобретение может быть использовано для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах-детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Материал для фотопроводящих антенн согласно изобретению представляет собой пленку GaAs, эпитаксиально выращенную на подложке...

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, оперирующих в сантиметровом и миллиметровом диапазоне длин волн. Согласно изобретению предложена полупроводниковая транзисторная гетероструктура на подложке GaAs с...

Использование: для контроля технологии при изготовлении полупроводниковых метаморфных гетероструктур. Сущность изобретения заключается в том, что регистрируют кривые дифракционного отражения в режиме θ/2θ-сканирования от различных кристаллографических плоскостей, измеряют угловое положения...

Изобретение относится к области ветеринарии и предназначено для выявления вируса лейкоза крупного рогатого скота (ВЛКРС) с использованием полимеразной цепной реакции. В реакции используют олигонуклеотиды, обладающие последовательностью не менее 15 последовательных оснований внутри любой из...