×
03.06.2023
223.018.763c

Способ неразрушающей диагностики дефектов сквозного металлизированного отверстия печатной платы

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к средствам неразрушающего контроля качества сквозных металлизированных отверстий (СМО) печатных плат (ПП). Технический результат - повышение достоверности выявления дефектов и в обеспечение возможности их идентификации. Технический результат достигается тем, что в способе неразрушающей диагностики дефектов СМО ПП верхнюю кромку металлизации в течение времени t нагревают лучом лазерного излучения заданной мощности, сфокусированным по ее границам, где t ≈ 3(8r)/, r - радиус отверстия, - температуропроводность материала ПП. По окончании нагрева бесконтактным способом с помощью ИК-камеры измеряют температуру верхней Т и нижней Т кромок металлизации отверстия, а о дефектах СМО судят по разности этих температур δT = Т - T и по отношению их приращений: ΔТ/ΔТ, где ΔТ = Т - Т, ΔТ = Т - Т, Т - начальная температура. При этом при превышении δT порогового значения δT делается заключение о дефектности металлизации отверстия, а при превышении q = [(ΔT/ΔT)-1] порогового значения q делается заключение о дефектности адгезии металлизации с диэлектриком ПП, где значения δT и q определяются по результатам выборочных измерений на представительной выборке СМО данного типоразмера. 2 ил.

Изобретение относится к средствам неразрушающих испытаний и контроля качества изделий электронной техники, в частности, к способам неразрушающих испытаний сквозных металлизированных отверстий (СМО) печатных плат (ПП).

Качество ПП во многом определяет качество и надежность современной радиоэлектронной аппаратуры, поскольку ПП в настоящее время являются наиболее распространенной конструкционной основой электронных устройств. Одними из наиболее ответственных и трудно контролируемых элементов ПП являются СМО, предназначенные для обеспечения электрического соединения между слоями ПП. Некоторая часть дефектов СМО, такие как, обрывы в СМО или уменьшение толщины СМО меньше допустимой величины, могут быть выявлены при электрических испытаниях, путем измерения электрического сопротивления СМО (см., например, ГОСТ Р 55744-2013 Платы печатные. Методы испытаний физических параметров - М.: Стандартинформ, 2014. - 43 с). При этом известные электрические способы контроля являются контактными и зависят от контактного усилия, материала и формы контактного электрода. Они не позволяют выявлять такие скрытые дефекты как несплошные разрывы металлизации СМО, отслоение части металлизации СМО от стенок отверстия или просто плохая адгезия металлизации СМО с материалом ПП.

Для выявления скрытых (латентных) дефектов СМО используют рентгеновские и ультразвуковые способы диагностики (см., например, Данилова, Е. А. Обзор методов обнаружения опасных технологических дефектов в электронных платах / Е. А. Данилова // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». - 2013. - Т. 1. - С. 331-335.). Однако, стоимость и сложность диагностического оборудования, реализующего эти способы, и большая трудоемкость и себестоимость контрольных операций на этом оборудовании не позволяют использовать указанные способы повсеместно и для сплошного контроля ПП.

Известно, что скрытые дефекты СМО проявляются в изменении тепловых режимов и характеристик при тепловом воздействии на СМО. Изменения тепловых характеристик СМО с дефектами можно регистрировать различными способами.

Известен способ контроля качества СМО по второй производной по времени падения напряжения на СМО при пропускании через него импульса тока большой силы (см. А. с. №1647467 СССР Способ контроля качества металлизации отверстий печатных плат / Е.П. Куликов, Э.А. Сахно, Б.Т. Нестеренко. - Опубл. 1991. Бюл. №17). Способ основан на известном физическом эффекте, состоящем в том, что аномальный перегрев дефектного СМО приводит к нелинейной зависимости падения напряжения на контролируемом СМО от времени в процессе воздействия импульса тока, которая и проявляется на второй производной. Этому способу присущи все недостатки контактных электрических методов контроля, указанные выше и, кроме того, еще одним недостатком способа является значительный перегрев металлизации в процессе контроля, что может привести к ее деформации или разрушению.

Наиболее близким к заявляемому и принятым за прототип является способ контроля качества металлизации СМО по патенту 2159522 РФ (см. Способ контроля качества металлизации отверстий печатных плат / Ю.А. Плотников, М.Ю. Поляхов, Л.А. Чернов. - Опубл. 20.11.2000 Бюл. №32), заключающийся в пропускании по цилиндру металлизации СМО импульса теплового возбуждения, создаваемого с помощью электрода, контактирующего с верхней кромкой металлизации, и в регистрации температуры нижней кромки металлизации тепловым приемником, закрепленным на нижней кромке. При этом качество металлизации определяют по калибровочным кривым, полученным на заведомо качественных СМО.

Недостатком указанного способа является его контактный характер, поскольку наличие контактов приведет к искажению тепловых характеристик СМО, а от качества контакта температурного приемника с нижней кромкой СМО зависит точность измерения температуры нижней кромки СМО. Кроме того, сами авторы этого способа ограничивают его применение для СМО диаметром не более 0,3-0,5 мм и на промежуточной стадии производства ПП до травления рисунка.

Техническая задача состоит в повышении достоверности выявления и в обеспечении возможности идентификации скрытых дефектов СМО ПП.

Технический результат достигается заявляемым способом.

Способ неразрушающей диагностики дефектов сквозного металлизированного отверстия печатной платы, состоящий в создании на верхней кромке металлизации сквозного отверстия импульса теплового возбуждения определенной длительности и в регистрации температуры нижней кромки металлизации, по значению которой судят о качестве сквозного металлизированного отверстия, отличающийся тем, что при известной начальной температуре Т0 верхнюю кромку металлизации отверстия в течение времени tнагр ≈ 3(8r)2/aT, где r - радиус отверстия, аT - температуропроводность материала печатной платы, нагревают лучом лазерного излучения заданной мощности, сфокусированным по границам верхней кромки металлизации, по окончании нагрева бесконтактным способом, например, с помощью ИК-камеры, измеряют температуру верхней ТB и нижней ТН кромок металлизации отверстия, а о дефектах сквозного металлизированного отверстия судят по разности этих температур: δT = ТВ - ТН и по отношению их приращений: ΔТВ/ΔТН, где ΔТВ = ТВ - Т0, а ΔТН = ТН - Т0: при превышении величиной δT порогового значения δTпор делается заключение о дефектности металлизации отверстия, а при превышении величиной q = [(ΔТВ/ΔТН)-1]-1 порогового значения qпор - о дефектности адгезии металлизации с диэлектриком печатной платы, где значения δTпор и qпор определяются по результатам выборочных измерений на представительной выборке сквозных металлизированных отверстий данного типоразмера.

Изобретение поясняется фигурами. На фиг. 1 показана тепловая эквивалентная схема СМО, на фиг. 2 показан вариант расположения контролируемого СМО и контрольно-измерительного оборудования.

Анализ тепловых процессов в СМО показывает (см., например, Винокуров А. Расчет печатных плат для светодиодов Cree серии ХР и MX / А. Винокуров // Полупроводниковая светотехника - 2010. №3 - С. 16-20.), что тепловой режим СМО при его одностороннем нагреве в стационарном состоянии можно определить по тепловой эквивалентной схеме, показанной на фиг. 1.

На фиг. 1 величина RTS - это тепловое сопротивление торец СМО-окружающая среда, обусловленное конвекционной теплоотдачей с торца СМО и с прилегающей к торцу нагретой поверхности ПП. Нагрев прилегающих к СМО областей материала ПП определяется его коэффициентом теплопроводности λ. Как показывает тепловое, в том числе компьютерное, моделирование, для типичных материалов печатной платы (стеклотекстолит, текстолит и др.) λ ~ 0,2 - 0,3 Вт/м⋅К, эффективный диаметр прилегающей к СМО нагретой поверхности составляет 8-10 диаметров СМО и при коэффициенте от конвекционной теплоотдачи в воздух, равном 6-8 Вт/(м2⋅К), величина RTS имеет значение порядка 2,0-3,0×104 Вт/К.

Величина 2R - продольное тепловое сопротивление тонкой медной цилиндрической трубки металлизации СМО, которое рассчитывается по известным формулам и примерно на два порядка меньше значения RTS.

Величина RTP - тепловое сопротивление, определяемое отводом тепла от металлизации СМО в прилегающий диэлектрик ПП. Значение RTP является диагностическим параметром, поскольку зависит от адгезии металлизации СМО к стенкам отверстия, и при ее ухудшении должно повышаться. При небольшом нагреве СМО и линейном изменении температуры вдоль медной цилиндрической трубки металлизации СМО это тепловое сопротивление на эквивалентной схеме может быть подключено в средине цилиндрической трубки металлизации СМО. Результаты теплового моделирования показывают, что в стационарном тепловом режиме температура в материале ПП спадает до начального значения на расстоянии примерно 8-10 радиусов r СМО. Значение RТР можно оценить по формуле теплового сопротивления цилиндрической стенки (см., например, Цилиндрическая стенка. Температурное поле // https:// portal.tpu.ni/SHARED/р/ PNB/ learning/Thermodynamics/ Tab3/Lecture11.pdf) и при теплопроводности материала ПП λ ~ 0,2 - 0,3 Вт/м⋅К значение RTP составляет 2,0-3,0×103 Вт/К, то есть примерно на порядок меньше значения RTS. Время, необходимое для прогрева прилегающего к СМО диэлектрика ПП и достижения стационарного теплового состояния можно оценить по приближенной формуле tнаг ≈ 3(8r)2/ат как три тепловых постоянных времени нагрева слоя материала ПП толщиной 8r, либо по формуле tнаг ≈ 3RТРСТР, где СТР - теплоемкость объема нагреваемого материала ПП. По нашим оценкам, для типовых материалов ПП и СМО диаметром, например, 0,3 мм время tнаг нагрева СМО и прилегающего к нему материала ПП до стационарного состояния составляет 12-15 с.

Суть изобретения состоит в том, что температура верхней и нижней кромки металлизации СМО при его одностороннем нагреве определяется отводом тепла от СМО, который зависит как от качества металлизации СМО, так и от ее адгезии с диэлектриком ПП. Из тепловой эквивалентной схемы, учитывая, что RTS >> RТК, RТР, значения приращений температуры верхней ΔТВ и нижней ΔТН кромки металлизации СМО при заданной мощности нагрева РТ можно получить по приближенным формулам:

Из формул (1) видно, что разность температур δT при заданной греющей мощности определяется только тепловым сопротивлением RТК, то есть качеством самой металлизации СМО, а значение q ≈ RTP/RTK - только отношением двух тепловых сопротивлений, то есть зависит также и от качества адгезии. Это позволяет идентифицировать вид дефекта по результатам сравнения измеренных значений величин δТ и q с пороговыми значениями, определяемыми на основе выборочных измерений на представительной выборке СМО данного типоразмера по правилу «трех сигм» или иному правилу (см, например, Мойзес Б.Б. Статистические методы контроля качества и обработка экспериментальных данных: учебное пособие / Б.Б. Мойзес, И.В. Плотникова, Л.А. Редько - Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2016.-119 с). При нагреве СМО и измерение температуры верхней и нижней кромок его металлизации бесконтактным способом исключается искажение температурных полей СМО и прилегающих областей ПП из-за влияния нагревателя и контактного датчика температуры и, таким образом, повышается достоверность диагностики.

Один из вариантов расположения контролируемого объекта и контрольно-измерительного оборудования показан на фиг. 2.

Заявленный способ реализуется следующим образом. Луч излучения лазера 1 механической или оптической системой позиционирования (при малой мощности излучения, не вызывающей заметного нагрева СМО) направляется на верхнюю кромку металлизации контролируемого СМО 2 и фокусируется по ее границам, затем мощность излучения лазера увеличивается до заданного уровня, достаточного для заметного (на несколько десятков кельвин) нагрева СМО, и в течение времени tнаг 12-15 с луч лазера нагревает контролируемое СМО. По окончании нагрева ИК-камеры 3 и 4 осуществляют бесконтактное измерение значения верхней ТВ и нижней ТН кромок металлизации СМО.

Качество металлизации СМО оценивают по отношению приращений температуры верхней и нижней кромки металлизации отверстия ΔТВ/ΔТН и их разности δT = ΔТВ - ΔТН. Предварительно определяют значения δТкр и qкр по результатам выборочных измерений на представительной выборке СМО данного типоразмера. При превышении измеренной величиной δТ критического значения δTкр делается заключение о дефектности металлизации СМО, а при превышении измеренной и вычисленной величины q = [(ΔТВ/ΔТН)-1]-1 критического значения qкр делается заключение о дефектности адгезии металлизации СМО с диэлектриком печатной платы.

Следует отметить, что дефекты адгезии металлизации СМО будут проявляться и при существенно (в 30-50 раз) меньших tнаг временах нагрева, достаточных для прогрева слоя материала ПП, прилегающего к СМО, толщиной порядка (1,5-2)r; при этом следует иметь ввиду, что для диагностики дефектов СМО при импульсном нагреве необходимо определять пороговые значения δТпор и qпор при том же времени нагрева.

Способ неразрушающей диагностики дефектов сквозного металлизированного отверстия печатной платы, состоящий в создании на верхней кромке металлизации сквозного отверстия импульса теплового возбуждения определенной длительности и в регистрации температуры нижней кромки металлизации, по значению которой судят о качестве сквозного металлизированного отверстия, отличающийся тем, что верхнюю кромку металлизации в течение времени t нагревают лучом лазерного излучения заданной мощности, сфокусированным по границам верхней кромки металлизации, где t ≈ 3(8r)/, r - радиус отверстия, - температуропроводность материала печатной платы; по окончании нагрева бесконтактным способом с помощью ИК-камеры измеряют температуру верхней Т и нижней Т кромок металлизации отверстия, а о дефектах сквозного металлизированного отверстия судят по разности этих температур δТ = Т - Т и по отношению их приращений: ΔТ/ΔТ, где ΔТ = Т - Т, ΔТ = Т - Т, Т - начальная температура, при этом при превышении величиной δT порогового значения δT делается заключение о дефектности металлизации отверстия, а при превышении величиной q = [(ΔT/ΔT)-1] порогового значения q делается заключение о дефектности адгезии металлизации с диэлектриком печатной платы, где значения δТ и q определяются по результатам выборочных измерений на представительной выборке сквозных металлизированных отверстий данного типоразмера.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 91.
10.06.2013
№216.012.46b2

Устройство для люминесцентной диагностики новообразований

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к аппаратуре медицинского и фотобиологического назначения, предназначено для осуществления процесса люминесцентной диагностики рака на основе использования ряда редкоземельных металлокомплексов порфиринов и направлено на повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483678
Дата охранного документа: 10.06.2013
20.06.2013
№216.012.4af0

Способ ранней электроэнцефалографической диагностики болезни паркинсона

Изобретение относится к медицине. Регистрируют электроэнцефалограмму (ЭЭГ) в фоновом режиме, вычисляют спектрограммы посредством вейвлет преобразования с материнской функцией Морле. Определяют частотные диапазоны ведущих ритмов ЭЭГ путем нахождения значений координат минимумов по частоте...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002484766
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.08.2013
№216.012.5e53

Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке

Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике. Предложен способ получения пористых слоев оксида алюминия на изолирующих подложках. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489768
Дата охранного документа: 10.08.2013
27.10.2013
№216.012.7b03

Устройство для измерения турбулентных пульсаций скорости потока жидкости

Устройство относится к электроизмерениям и может быть использовано для исследования турбулентности в потоке слабо электропроводящей жидкости, например морской или пресной воды. Устройство содержит диэлектрический корпус обтекаемой формы с установленными на нем измерительными электродами,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497153
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.11.2013
№216.012.837f

Мультибарьерная гетероструктура для генерации мощного электромагнитного излучения суб- и терагерцового диапазонов

Изобретение относится к приборным структурам для генерации мощного электромагнитного излучения суб- и терагерцового диапазонов, которые применяются в компактных и мощных импульсных генераторах, детекторах и смесителях субтерагерцового и терагерцового диапазона частот. Изобретение обеспечивает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002499339
Дата охранного документа: 20.11.2013
10.01.2014
№216.012.95ae

Автоматизированная система реконструкции 3d распределения нейронов по серии изображений срезов головного мозга

Изобретение направлено на построение 3D модели при использовании минимального количества изображений гистологических срезов (слоев) с использованием средств приведения изображений к виду, удобному для распознавания специфических нейронов и последующей реконструкции их трехмерных распределений....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504012
Дата охранного документа: 10.01.2014
20.01.2014
№216.012.9892

Способ исследования теплофизических свойств жидкостей и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области тепловых исследований свойств жидкостей и может быть использовано для исследования динамических процессов термостимулированной структурной перестройки жидкостей. Заявлен способ исследования теплофизических свойств жидкостей, при котором в металлической кювете с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504757
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.98bd

Способ формирования радиопортрета объекта методом параллельной обработки с частотным разделением

Изобретение относится к области радиовидения и может быть применено: для обнаружения предметов в миллиметровом диапазоне волн под одеждой человека, в таможенном контроле грузов, в радиоастрономии для картографирования области неба и протяженных небесных объектов, в дистанционном зондировании...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504800
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.02.2014
№216.012.9e44

Способ получения металл-полимерного композитного материала для радиотехнической аппаратуры

Изобретение относится к получению металл-полимерных композиционных материалов, предназначенных для применения в радиотехнической аппаратуре в качестве радиопоглощающих и экранирующих материалов. Способ включает высокоскоростное термическое разложение металлсодержащих соединений с образованием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506224
Дата охранного документа: 10.02.2014
20.02.2014
№216.012.a3ea

Частотно-избирательное устройство для обработки сигналов на поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к радиотехнике и акустоэлектронике и может быть использовано в устройствах измерительной техники и в радиосвязи. Достигаемый технический результат - повышение разрешающей способности частотно-избирательного устройства для обработки сигналов на ПАВ в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507677
Дата охранного документа: 20.02.2014
Показаны записи 1-10 из 39.
20.09.2013
№216.012.6a98

Ультрафиолетовый светодиодный облучатель

Изобретение предназначено для отверждения ультрафиолетовым излучением полимерных материалов и может быть использовано, в частности, при изготовлении изделий цилиндрической формы и при ремонте поврежденных участков трубопроводов. Изобретение обеспечивает отверждение цилиндрических изделий из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492939
Дата охранного документа: 20.09.2013
20.01.2014
№216.012.9892

Способ исследования теплофизических свойств жидкостей и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области тепловых исследований свойств жидкостей и может быть использовано для исследования динамических процессов термостимулированной структурной перестройки жидкостей. Заявлен способ исследования теплофизических свойств жидкостей, при котором в металлической кювете с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504757
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.07.2014
№216.012.dc8d

Способ и устройство для количественного определения содержания восков и воскоподобных веществ в рафинированных растительных маслах

Настоящее изобретение относится к способу количественного определения содержания восков и воскоподобных веществ в рафинированных растительных маслах, при котором в кювете размещают пробу горячего растительного масла, производят одновременно облучение пробы и изменение ее температуры, пробу...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522239
Дата охранного документа: 10.07.2014
27.11.2014
№216.013.0b11

Устройство для отверждения изделий из полимерных материалов ультрафиолетовым излучением

Устройство относится к установкам для отверждения полимерных материалов на основе полиэфирных смол ультрафиолетовым излучением и может быть использовано при изготовлении изделий со сложной поверхностью. Устройство для отверждения изделий из полимерных материалов ультрафиолетовым излучением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534241
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.01.2015
№216.013.17cb

Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ основан на использовании известного эффекта резкого изменения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537519
Дата охранного документа: 10.01.2015
27.03.2015
№216.013.3526

Способ измерения дифференциального сопротивления нелинейного двухполюсника с температурозависимой вольтамперной характеристикой

Изобретение относится к технике измерения электрических параметров нелинейных элементов цепей с температурозависимой вольт-амперной характеристикой, в частности полупроводниковых приборов, и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Подают на контролируемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545090
Дата охранного документа: 27.03.2015
27.03.2015
№216.013.3636

Рециркуляционный способ измерения времени задержки распространения сигнала цифровых интегральных микросхем

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения времени задержки распространения сигнала цифровых интегральных микросхем. Формируют стартовый и стоповый импульсы заданной длительности и с заданной длительностью интервала между ними, превышающей длительность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545362
Дата охранного документа: 27.03.2015
20.04.2015
№216.013.4413

Способ измерения последовательного сопротивления базы полупроводникового диода

Изобретение относится к технике измерения электрофизических параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Технический результат - повышение точности измерения последовательного сопротивления базы диода путем исключения саморазогрева...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548925
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.07.2015
№216.013.60c5

Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов. Способ состоит в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556315
Дата охранного документа: 10.07.2015
27.08.2015
№216.013.7441

Способ измерения параметров элементов многоэлементных нерезонансных линейных двухполюсников

Изобретение относится к технике измерения параметров элементов электрических цепей и может быть использовано для измерения параметров элементов многоэлементных двухполюсников, в том числе параметров элементов эквивалентных схем замещения полупроводниковых приборов. На контролируемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561336
Дата охранного документа: 27.08.2015
+ добавить свой РИД