Результат интеллектуальной деятельности: Способ увеличения адгезии

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии увеличения адгезии к полупроводниковой структуре.

Известен способ увеличения адгезии [Патент на изобретение №5391397 США, МКИ В05 Д 5/10] к полиимидной поверхности путем формирования ковалентных связей за счет использования герметизирующегося слоя между полиимидом и подложкой. Полиимид нанесенный на поверхность кристалла, обрабатывают при повышенной температуре в растворе гидроксиламина, эталона, растворенного в нормальном метилпирралидоне при 65°С. Присоединение кристалла с полиимидным слоем к подложке осуществляется стандартным способом, а в оставляемый зазор затем вводят герметик, после чего проводят отверждение для образования прочной адгезионной связи.

В таких приборах из-за низкой технологичности процесса создания герметизирующегося слоя между полиимидом и подложкой, повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры приборов.

Известен способ увеличения адгезии [Патент на изобретение № 5391519 США, МКИ H01L 21/44] контактной площадки к кристаллу ИС. С этой целью удаляется часть промежуточного барьерного слоя Тi или 2-слойной структуры Тi/ТiN, применяя ту же маску, что применяется для травления верхнего слоя нитрида кремния, осаждаемого на пластину кремния после формирования проводников и контактов. После нанесения барьерного слоя на слой SiО₂ проводится быстрый отжиг пластины в среде азота и его травления для удаления соединений ТiN.

Недостатками этого способа являются: низкие значения адгезии;высокая дефектность, низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: увеличения адгезии, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем обработки полупроводниковой структуры после формирования металлизации лазером с плотностью энергии в импульсе 2-5Дж/см², с последующим отжигом при температуре 1000°С в атмосфере азота в течение 7мин.

Технология способа состоит в следующем: в процессе производства полупроводниковых приборов после формирования активных областей, диоксида кремния и нанесения металлизации полупроводниковую структуру обрабатывают лазером с плотностью энергии в импульсе 2-5Дж/см² , с последующим отжигом при температуре 1000°С в атмосфере азота в течение 7 мин.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Таблица

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 18,3%.

Предложенный способ увеличения адгезии путем обработки полупроводниковой структуры после нанесения металлизации лазером с плотностью энергии в импульсе 2-5Дж/см², с последующим отжигом при температуре 1000°С в атмосфере азота в течение 7мин., позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Технический результат: увеличения адгезии, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.