×
06.07.2020
220.018.2f81

Результат интеллектуальной деятельности: Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технике измерения динамических характеристик светодиодов и полупроводниковых светоизлучающих структур и может быть использовано для диагностики однородности светоизлучающих гетероструктур (СГС) и их характеристики по динамическим свойствам. Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры, при котором через светоизлучающую гетероструктуру пропускают последовательность импульсов электрического тока скважностью 2 и начальной частотой следования несколько килогерц, частоту следования импульсов тока постепенно увеличивают и при каждом заданном значении F частоты следования импульсов тока регистрируют цифровой камерой излучение с поверхности светоизлучающей гетероструктуры, полученные оцифрованные изображения сохраняют в памяти компьютера, увеличение частоты следования импульсов тока прекращают, когда средний уровень яркости изображения, регистрируемого цифровой камерой, снизится в 1,5 раза относительно значения, измеренного на начальной частоте, на изображении светоизлучающей гетероструктуры выделяют локальную область и находят k-e изображение, на котором средняя яркость выделенной области светоизлучающей гетероструктуры в раз меньше исходной средней яркости, и определяют для k-го изображения граничную частоту ƒ=F электролюминесценции выбранной локальной области светоизлучающей гетероструктуры, а при отсутствии точного значения в отношении последующих изображений граничную частоту электролюминесценции локальной области светоизлучающей гетероструктуры определяется путем интерполяции по формуле. Технический результат- повышение информативности диагностики однородности светоизлучающих гетероструктур по локальным динамическим параметрам. 1 ил.

Изобретение относится к технике измерения динамических характеристик светодиодов и полупроводниковых светоизлучающих структур и может быть использовано для диагностики однородности светоизлучающих гетероструктур (СГС) и их характеризации по динамическим свойствам.

Критически важным параметром светодиодов, определяющими их динамические свойства, являются граничные частоты переключения, значения которых определяются временами жизни носителей заряда в процессе излучательной и безызлучательной рекомбинации в СГС светодиода [см., например, Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. - М.: Физматлит, 2008. - 496 с.]. Измерения динамических параметров электролюминесценции светодиодов позволяют получать информацию о временах жизни носителей заряда при излучательной и безызлучательной рекомбинации и дают дополнительные сведения о генерационно-рекомбинационных процессах в СГС, то есть позволяют судить о их качестве.

Известен способ измерения граничной частоты ƒ3дБ электролюминесценции светоизлучающих диодов по уровню 3 дБ (Изменение характеристик зеленых InGaN светодиодов при испытаниях. Фролов И.В., Радаев О.А., Сергеев В.А., Широков А.А. Радиоэлектронная техника. 2016. №1 (9). С. 20-25), состоящий в том, что через светодиод пропускают электрический ток, содержащий постоянную составляющую заданного уровня и переменную составляющую, изменяющуюся по гармоническому закону с заданной амплитудой и начальной частотой несколько килогерц, измеряют мощность излучения светодиода быстродействующим фотоприемником, последовательно увеличивают частоту переменной составляющей тока при поддержании постоянной ее амплитуды, регистрируют значение частоты переменного тока, при котором сигнал фотоприемника становится равным 0,5 начального уровня. Это значение и является граничной частотой электролюминесценции светодиода по уровню 3 дБ.

Недостатком известного способа является его низкая информативность для целей диагностики однородности СГС, поскольку известным способом определяется некоторая усредненная по площади СГС граничная частота электролюминесценции. Вместе с тем известно, что различного рода дефекты, включая неоднородность легирования различных областей СГС, приводят к неравномерной электролюминесценции и разбросу локальных динамических параметров СГС. Таким образом, локальные динамические параметры СГС, в том числе и локальная граничная частота электролюминесценции, являются информативными диагностическими параметрами, и их определение позволяет оценивать качество изготовления СГС и степень ее дефектности.

Техническая задача состоит в обеспечении возможности измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающих гетероструктур, и, как следствие, повышение информативности диагностики однородности светоизлучающих гетероструктур по локальным динамическим параметрам.

Технический результат достигается заявленным способом измерения.

Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры, при котором через светоизлучающую гетероструктуру пропускают переменный электрический ток с начальной частотой следования несколько килогерц, частоту изменения которого постепенно увеличивают, регистрируют излучение светоизлучающей гетероструктуры фотоприемником и определяют граничную частоту электролюминесценции при заданном уровне снижения сигнала фотоприемника, отличающийся тем, что через светоизлучающую гетероструктуру пропускают последовательность импульсов электрического тока скважностью 2 и начальной частотой следования несколько килогерц и цифровой камерой регистрируют излучение с поверхности светоизлучающей гетероструктуры, частоту следования импульсов тока постепенно увеличивают и при каждом заданном значении Fi частоты следования импульсов тока также регистрируют цифровой камерой излучение с поверхности светоизлучающей гетероструктуры, полученные оцифрованные изображения сохраняют в памяти компьютера, увеличение частоты следования импульсов тока прекращают, когда средний уровень яркости изображения, регистрируемого цифровой камерой, снизится в 1,5 раза относительно значения, измеренного на начальной частоте, на изображении светоизлучающей гетероструктуры выделяют локальную область и находят k-e изображение, на котором средняя яркость выделенной области светоизлучающей гетероструктуры в раз меньше исходной средней яркости, и определяют для k-го изображения граничную частоту ƒ3дБ=Fk электролюминесценции выбранной локальной области светоизлучающей гетероструктуры, а при отсутствии точного значения в отношении последующих изображений граничную частоту электролюминесценции локальной области светоизлучающей гетероструктуры определяется путем интерполяции по формуле

где qk-1 и qk - отношение средних яркостей таких двух последовательных изображений k-1 и k при условии Fk-1 и Fk - частоты следования импульсов тока, соответствующие этим изображениям, ƒ3дБ - граничная частота электролюминесценции светодиода по уровню 3 дБ.

Технический результат достигается тем, что регистрируется не интегральное излучение светодиода фотодиодом, а изображение светящейся поверхности СГС с помощью цифровой камеры и граничная частота определяется по снижению яркости в выбранной локальной области СГС. С увеличением частоты следования импульсов тока интенсивность излучения СГС будет уменьшаться. Крутизна этого снижения определяется характерными временами жизни носителей заряда и будет различной в различных локальных областях СГС, поскольку эти времена заметно различаются. В результате яркость разных локальных областей СГС будет уменьшаться с ростом частоты импульсов по-разному.

Для определения коэффициента снижения яркости соответствующего граничной частоте электролюминесценции СГС при пропускании через СГС импульсного тока рассмотрим спектр импульсного оптического сигнала, создаваемого этим импульсным током.

Выражение для спектра импульсного тока со скважностью 2, протекающего через СГС, имеет вид

где I0 - амплитуда импульсов тока, ω=2πF - частота следования импульсов тока.

Сигнал, регистрируемый цифровой камерой, пропорционален действующему значению силы тока IД (ω) на заданной частоте ω

где К(jω) - передаточная функция СГС при преобразовании электрического тока в излучение, j - комплексная единица.

В общем случае

где τ - время жизни неосновных носителей заряда в гетеропереходе, R - дифференциальное сопротивление прямосмещенной СГС, С - ее емкость; в большинстве случаев при токах, составляющих не более 0,2 от предельно допустимого значения, RC<<τ и

Выражение для спектра импульсного тока, протекающего через светодиод, имеет вид (см. Гоноровский И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. Учебник для вузов. Изд. 3-е, перераб. и доп. - М.: «Советское радио», 1977. - 608 с.)

где I0 - амплитуда импульсов тока, ω - частота следования импульсов тока.

Спектр переменного оптического сигнала согласно (2) и (4) будет определяться выражением

Действующее значение оптического сигнала, которое регистрируется цифровой камерой, определяется средним квадратическим значением постоянной и всех гармонических составляющих:

где Р0=I0K0 - амплитудное значение оптического сигнала СГС.

На низкой частоте следования импульсов тока (ωτ→0) уровень оптического сигнала равен На частоте следования импульсов тока, равной граничной частоте модуляции электролюминесценции ƒ3dВ, выполняется условие 2πƒ3dВτ =1. Учитывая в этом случае быстрое уменьшение членов an суммы в подкоренном выражении с увеличением номера гармоники при n>3: an~1/4n4 и ограничиваясь тремя членами суммы, для мощности оптического сигнала на граничной частоте получим

Таким образом, при использовании в качестве тестового сигнала импульсного сигнала со скважностью 2 частота ƒ3дБ будет определяться как частота, на которой действующее значение сигнала цифровой камеры спадает в 1,19 раз относительно значения, измеренного на низкой частоте следования импульсов тока. Заметим, что неоднородность распределения тока по площади структуры не зависит от частоты следования импульсов и не влияет на результат измерения, поскольку граничная частота электролюминесценции определяется по отношению яркости свечения на низкой и высокой частоте при одной и той же плотности тока в выбранной локальной области.

Вариант устройства, реализующего способ, показан на фиг. 1.

Устройство содержит контактную колодку 1 для размещения и подключения СГС, генератор 2 импульсов тока со скважностью 2 и с перестраиваемой частотой следования, цифровую камеру 3 с разрешением N×M пикселей, персональный компьютер 4, устройство управления 5.

Устройство работает следующим образом. После установки контролируемого светодиода в контактную колодку 1 и включения устройства импульсы тока заданной начальной частоты, амплитуды и скважностью 2 с выхода генератора 2 поступают в СГС. Начальная частота выбирается в диапазоне 1,0-10 кГц, то есть заведомо на несколько порядков величины меньше граничной частоты люминесценции СГС. Цифровая камера 3 регистрирует излучение СГС и передает в персональный компьютер 4. Компьютер рассчитывает среднюю арифметическую по площади структуры яркость изображения путем попиксельного суммирования яркости и деления на число пикселей изображения. По команде «Пуск», задаваемой с персонального компьютера 4, устройство управления 5 подает на генератор 1 импульсов тока управляющий сигнал, и частота следования импульсов тока начинает увеличиваться. В моменты времени ti при достижении заданных значений частоты Fi следования импульсов тока устройство управления 5 включает цифровую камеру 3, которая регистрирует изображение светящейся поверхности СГС и передает это изображение в цифровой форме в память персонального компьютера 4. Заданные значения частоты Fi рекомендуется выбирать в логарифмическом масштабе, исходя из требуемой относительной погрешности измерения граничной частоты электролюминесценции СГС, обычно из расчета 7-10 значений на декаду. Компьютер рассчитывает среднюю по площади структуры яркость изображения и сравнивает со средней яркостью исходного изображения. Когда средняя яркость некоторого К-го изображения будет меньше в 1,5 раза средней яркости исходного изображения, дальнейшее увеличение частоты следования импульсов тока прекращается, генератор импульсов тока выключается, и в памяти компьютера будет сохранено К изображений. Предельное значение отношений средней яркости изображений, равное 1,5 раза, выбрано, как заведомо превышающее возможный уровень неоднородности яркости изображений реальных СГС. Оператор задает на исходном изображении СГС локальную область определенного размера, компьютер рассчитывает среднюю яркость выделенной локальной области и затем определяет номер k изображения, средняя яркость выбранной локальной области на котором будет в раз меньше исходной средней яркости. Значение частоты Fk следования импульсов тока, соответствующей этому изображению, и принимается за значение граничной частоты ƒ3дБ=Fk электролюминесценции выбранной локальной области. Если отношение яркостей ни одного из изображений не равно точно значению то граничную частоту электролюминесценции локальной области СГС персональный компьютер рассчитывает по интерполяционной формуле (1). Затем оператор задает другую локальную область на изображении СГС и процедура определения граничной частоты электролюминесценции повторяется.

Поскольку кристаллы СГС имеют, как правило, форму квадрата, то для упрощения реализации способа для целей диагностики однородности СГС оцифрованное изображение СГС можно разбить на целое число квадратных (или прямоугольных) локальных областей и сравнительный анализ яркости этих областей проводить путем последовательного перебора.


Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 91.
27.03.2014
№216.012.af24

Малогабаритный фазовращатель свч-диапазона

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ-электронике для радиотехнической аппаратуры наземного, воздушного, космического базирования. Технический результат - снижение потерь мощности СВЧ-сигнала и увеличение верхнего диапазона частот....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510551
Дата охранного документа: 27.03.2014
10.04.2014
№216.012.b12e

Способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок включает фиксацию исходных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511073
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.04.2014
№216.012.b381

Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника

Изобретение относится к области разработки новых элементов и устройств сверхпроводниковой электроники и создания на их основе сверхчувствительных приемных устройств с высоким спектральным разрешением и может быть использовано при создании бортовых и наземных систем, предназначенных для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511669
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.07.2014
№216.012.dc8d

Способ и устройство для количественного определения содержания восков и воскоподобных веществ в рафинированных растительных маслах

Настоящее изобретение относится к способу количественного определения содержания восков и воскоподобных веществ в рафинированных растительных маслах, при котором в кювете размещают пробу горячего растительного масла, производят одновременно облучение пробы и изменение ее температуры, пробу...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522239
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.de5d

Перестраиваемый криогенный генератор гетеродина субтерагерцового диапазона на основе распределенного туннельного перехода для интегральных приемных систем

Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при создании терагерцовых спектрометров, предназначенных для радиоастрономии, исследования атмосферы Земли, медицинской диагностики, а также для систем контроля и обеспечения безопасности. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522711
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.defb

Способ распознавания и классификации формы объектов в лабиринтных доменных структурах

Изобретение относится к средствам анализа цифровых изображений. Техническим результатом является обеспечение классификации объектов по геометрическим признакам в лабиринтных структурах. В способе определяют количество объектов на изображении структуры, в качестве морфологических признаков...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522869
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.e259

Способ и устройство для измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для измерения температуры активной области светоизлучающих диодов. Заявлен cпособ измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов (СИД), при котором инжекционный ток подают в виде последовательности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523731
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.11.2014
№216.013.08f3

Мультисенсорная акустическая решетка для аналитических приборов "электронный нос" и "электронный язык"

Изобретение относится к аналитическому приборостроению и может быть использовано для физико-химического анализа жидких и газообразных сред. Достигаемый технический результат - повышение избирательности мод колебаний при увеличении числа датчиков возбуждаемых мод. Мультиплексорная акустическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533692
Дата охранного документа: 20.11.2014
20.04.2015
№216.013.453d

Способ измерения изменения температуры объекта относительно заданной температуры

Изобретение относится к области термометрии и может быть использовано для измерения и мониторинга малых изменений температуры. Заявлен способ измерения температуры объекта с помощью чувствительного элемента (ЧЭ), представляющего собой стандартный двухвходовой резонатор на поверхностных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002549223
Дата охранного документа: 20.04.2015
27.04.2015
№216.013.4706

Фотоэлектрический преобразователь с наноструктурными покрытиями

Использование: для преобразования солнечной энергии в электричество. Сущность изобретения заключается в том, что фотоэлектрический преобразователь содержит воронкообразные сквозные отверстия с просветляющим покрытием и толстопленочное покрытие (с обратной стороны), содержащее сферические...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002549686
Дата охранного документа: 27.04.2015
Показаны записи 11-20 из 28.
20.01.2016
№216.013.a0c0

Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных мдп-транзисторов

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572794
Дата охранного документа: 20.01.2016
25.08.2017
№217.015.992e

Способ измерения переходной тепловой характеристики светоизлучающего диода

Изобретение относится к оптоэлектронной измерительной технике и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых светоизлучающих диодов на различных этапах их разработки и производства, на входном контроле предприятий-производителей светотехнических изделий с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609815
Дата охранного документа: 06.02.2017
25.08.2017
№217.015.b09d

Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем

Использование: для контроля тепловых свойств цифровых интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в разогреве цифровой интегральной схемы ступенчатой электрической греющей мощностью известной величины и в измерении в определенные моменты времени в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613481
Дата охранного документа: 16.03.2017
25.08.2017
№217.015.be44

Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ согласно изобретению основан на использовании эффекта увеличения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616871
Дата охранного документа: 18.04.2017
26.08.2017
№217.015.dc7b

Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Изобретение относится метрологии, в частности к технике измерения тепловых параметров светодиодов. Через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока I, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону, с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции ; во время действия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624406
Дата охранного документа: 03.07.2017
29.12.2017
№217.015.fa06

Способ измерения переходной тепловой характеристики полупроводниковых изделий

Использование: для контроля тепловых характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что разогревают полупроводниковое изделие путем подачи на вход (на определенные выводы) полупроводникового изделия, подключенного к источнику питания,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639989
Дата охранного документа: 25.12.2017
10.05.2018
№218.016.4177

Способ измерения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем и определения их температурных запасов. Способ измерения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем состоит в том, что...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649083
Дата охранного документа: 29.03.2018
10.05.2018
№218.016.451a

Осветительное устройство

Изобретение относится к осветительной технике и может быть использовано для местного освещения рабочих мест мелкого сборочного производства, офисных рабочих мест. Техническим результатом является уменьшение затенения предмета за счет его объемного освещения. Осветительное устройство содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650102
Дата охранного документа: 09.04.2018
29.12.2018
№218.016.ac93

Способ измерения температуры активной области светодиода

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676246
Дата охранного документа: 26.12.2018
13.04.2019
№219.017.0c29

Способ разделения интегральных схем класса "система на кристалле" по надежности

Использование: для разбраковки ИС класса «система на кристалле» по критерию потенциальной надежности. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке ИС класса «система на кристалле» измеряют значения критических напряжений питания (КНП) отдельно для каждого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002684681
Дата охранного документа: 11.04.2019
+ добавить свой РИД