×
24.06.2020
220.018.2a43

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области получения микро- и наноструктур поверхности карбида кремния. Cпособ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния включает установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсным лазерным излучением поверхности карбида кремния. Согласно изобретению установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла удаляются рабочей жидкостью. Способ позволяет получить различную морфологию обрабатываемой поверхности карбида кремния с высоким показателем качества при применении одного и того же оборудования и технических средств для реализации способа, изменяется только состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения. 1 пр., 2 ил.

Изобретение относится к области получения микро и наноструктур поверхности карбида кремния.

Известны способы электроэрозионной модификации поверхности частично прозрачных кристаллов карбида кремния в жидкости, включая воду (см. Карачинов В.А. Рост отрицательных нитевидных кристаллов в процессе электроэрозии карбида кремния // ЖТФ, 1998, т. 68, №7, с. 133-135; патенты РФ№: 2189664; 2202135; 2182607; 2573622 и др.).

Недостатком известных способов является сильная зависимость производительности процесса от удельного электрического сопротивления кристаллов карбида кремния.

Известен способ сублимационного лазерного профилирования прозрачных подложек (Патент RU 2556177), в котором перед обработкой подложки предварительно наносят маски из поглощающего материала. Температуру в местах масок доводят до уровня сублимации материала подложек.

Недостатком данного способа обработки являются предварительная обработка поверхностей для образования ямок или канавок, а так же необходимость нанесения специальных масок в образованные углубления.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению и принятый за прототип является способ обработки ультрафиолетовым лазерным излучением поверхности карбида кремния в воде, прошедшей этап очистки в системе обратного осмоса. (Патент РФ 2563324).

Недостатками данного способа является его низкая универсальность, заключающаяся в получении морфологии поверхности только определенного диапазона, а так же сложности технологического процесса очистки рабочей жидкости, исключающего использования других жидких сред.

Техническим результатом заявленного решения является способ получения различных видов морфологии обрабатываемой поверхности карбида кремния высокого качества, а так же увеличение универсальности способа.

Для достижения технического результата предложен способ лазерной обработки поверхности карбида кремния, включающий установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсного лазерного излучения на поверхность карбида кремния, отличающийся тем, что установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла, удаляются рабочей жидкостью.

Способ осуществляется следующим образом:

На Фиг. 1 представлено устройство для реализации способа: 1 - пучок лазерного излучения; 2 - кювета; 3 - рабочая жидкость; 4 - карбид кремния; 5 - фокусирующая линза; 6 - координатный столик; 7 - источник теплового потока с тыльной стороны; 8 - источник теплового потока с фронтальной стороны.

Обработку образца поверхности карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2), содержащую рабочую жидкость (3), осуществляют при помощи лазерного излучения. Кювету с образцом карбида кремния устанавливают на координатный столик (6). Облучение производится лазерным пучком (1) на поверхность карбида кремния, сопряженную с рабочей жидкостью, посредством фокусирующей линзы (5), при этом на фронтальной и тыльной поверхности формируются парные источники теплового потока (7, 8). Обработка тыльной поверхности карбида кремния, сопряженной с рабочей жидкостью, ведется через слой карбида кремния лазерным излучением, оптически прозрачным для кристалла карбида кремния. При этом продукты эрозии тыльной поверхности кристалла карбида кремния попадают в рабочую жидкость и выпадают в осадок за счет гравитационных сил, что обеспечивает возможность получения более качественного показателя шероховатости поверхности, а изменяя параметры лазерного излучения можно получить различные виды морфологии поверхности, в том числе, с наноразмерными структурами. Универсальность способа заключается в возможности использования любой жидкости и любого режима лазерного излучения. Подвергать жидкость специальной очистке не требуется.

Пример 1

Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6). Карбид кремния подвергался эффекту флотации на рабочей жидкости, который может быть достигнут при помощи механических держателей, электромагнитного поля и другими способами. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением с длиной волны 635 нм, длительностью импульса 10 нс, с частотой 40 кГц и мощностью 3 Вт. В качестве рабочей жидкости был использован жидкий азот, температура которого - 195 градусов Цельсия. Процесс обработки включал в себя формирование парных источников теплового потока на фронтальной и тыльной поверхностях кристалла карбида кремния, вызывающие как локальный нагрев, так и эрозию кристалла. При взаимодействии кристалла карбида кремния с рабочей жидкостью кристалл сжимался, а в областях сформированных источников теплового потока происходил эффект хрупкого разрушения, при этом продукты эрозии удалялись от места обработки и выпадали в осадок под действием гравитационных сил. Описанный способ позволил получить морфологию поверхности с размерами от 0,1 до 100 мкм, изображенной на фиг. 2. Данный способ позволяет достичь высокого коэффициента поглощения материала.

Пример 2

Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6). Карбид кремния частично погружался в рабочую жидкость, в качестве которой использовался раствор КОН. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением 600 нм, длительностью импульса 100 нс, с частотой 50 кГц и мощностью 4 Вт. Локальный нагрев кристалла, одновременным действием парных источников теплового потока на фронтальной и тыльной поверхностях карбида кремния в условиях прямого контакта тыльной поверхности кристалла с химически активной по отношению к карбиду кремния рабочей жидкостью, порождает процесс химической эрозии поверхности кристалла и формирует новый тип морфологии с наноразмерными структурами. При этом, продукты эрозии удалялись при взаимодействии с химически активной рабочей жидкостью. Полученная морфология поверхности использовалась для получения светодиодов на карбиде кремния.

Пример 3

Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6 Карбид кремния подвергался эффекту флотации на рабочей жидкости, который может быть достигнут, например, при помощи механических держателей. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением с длиной волны 635 нм, длительностью импульса 50 нс, с частотой 40 кГц и мощностью 3 Вт. В качестве рабочей жидкости использовался раствор эмульсии содержащий абразивные алмазные частицы. Для получения заданной морфологии поверхности в кювете с рабочей жидкостью возбуждали акустические волны частотой 100 кГц, которые создавали кавитацию рабочей жидкости, при этом возникал эффект царапания кристалла с обеспечением процесса механической эрозии, что позволило получить высокое качество обрабатываемой поверхности подложек для формирования на ней полупроводниковых приборов. При этом продукты эрозии удалялись от места обработки и выпадали в осадок под действием гравитационных сил.

Приведенные примеры показывают, что используя одно и то же оборудование и технические средства для реализации способа, а изменяя только состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения можно получить различную морфологию обрабатываемой поверхности карбида кремния. Кроме того, улучшение качества обрабатываемой поверхности достигается удалением продуктов эрозии рабочей жидкостью за счет действия гравитационных сил или за счет химического взаимодействия с ней.

Технический результат достигнут полностью.

Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния, включающий установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсным лазерным излучением поверхности карбида кремния, отличающийся тем, что установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла удаляются рабочей жидкостью.
Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния
Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-6 из 6.
24.01.2019
№219.016.b2e4

Радиолокационная станция с квазинепрерывным шумовым сигналом

Изобретение относится к системам для обнаружения воздушных, морских и наземных объектов, а также для определения их дальности, скорости в условиях повышенной скрытности и помехозащищенности, основанных на излучении радиоволн и регистрации их отражений от объектов. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002677853
Дата охранного документа: 22.01.2019
02.10.2019
№219.017.d0c4

Тепловая микросистема с фотонным нагревом

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения свойств и характеристик газовых потоков в экстремальных условиях эксплуатации. Заявлена тепловая микросистема с фотонным нагревом, включающая источник нагрева микросистемы и площадку круглой формы, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002700886
Дата охранного документа: 23.09.2019
01.12.2019
№219.017.e914

Герметичный корпус модуля

Изобретение относится к герметичным корпусам электрических приборов и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности, теплоотводу и радиационной стойкости. Технический результат - повышение надежности слоя геттера и элементов модуля за счет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002707566
Дата охранного документа: 28.11.2019
25.12.2019
№219.017.f210

Способ монтажа полупроводниковых кристаллов в корпус

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем при креплении кристаллов в корпус. Предлагаемый способ монтажа полупроводниковых кристаллов в корпус позволит улучшить мощностные и частотные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710005
Дата охранного документа: 23.12.2019
20.02.2020
№220.018.0407

Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов, интегральных и гибридных микросхем. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность включает нанесение на обратную сторону...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714538
Дата охранного документа: 18.02.2020
25.06.2020
№220.018.2b2d

Способ контроля качества аммиачной тепловой трубы

Изобретение относится к теплотехнике. Способ контроля качества аммиачной тепловой трубы включает накладывание фильтровальной бумаги, смоченной индикаторным раствором, содержащим 3%-ный раствор CoCl⋅6HO, на контролируемый участок трубы, определение места течи по появлению пятен или точек,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724316
Дата охранного документа: 22.06.2020
Показаны записи 11-20 из 41.
20.06.2015
№216.013.55a5

Катушка индуктивности

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в катушках индуктивности или обмотках высоковольтных трансформаторов. Технический результат состоит в сокращении времени намотки, снижении массы и габаритов за счет повышения плотности укладки витков и повышении надежности при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553455
Дата охранного документа: 20.06.2015
27.06.2015
№216.013.5aef

Способ определения нейтрализующей активности антител к иммуноглобулину е

Изобретение относится к иммунологии и представляет собой способ определения нейтрализующей активности антител к иммуноглобулину Е, который заключается в связывании исследуемых антител с IgE человека в растворе с последующим инкубированием данного раствора с периферической кровью человека,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554820
Дата охранного документа: 27.06.2015
20.07.2015
№216.013.62b5

Штамм клеток яичников китайского хомячка - продуцент рекомбинантного антитела против фактора некроза опухоли альфа человека

Изобретение относится к области биотехнологии, конкретно к рекомбинантной продукции белков человека, и может быть использовано в производстве химерных антител к фактору некроза опухоли человека. Получен штамм клеток яичников китайского хомячка CHO-Inflix 20/5, трансфецированных векторами,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556816
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.09.2015
№216.013.7774

Штамм культивируемых клеток cho-il7/13 - продуцент интерлейкина-7 человека

Изобретение относится к биотехнологии и касается штамма клеток CHO-IL7/13. Охарактеризованный штамм получен трансфекцией клеток CHO плазмидой pIPvES-DHFR/IL7, содержащей ген интерлейкина-7 человека. Плазмида pIPvES-DHFR/IL7 была синтезирована амплифицированием кДНК интерлейкина-7 человека с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562169
Дата охранного документа: 10.09.2015
27.12.2015
№216.013.9d3e

Приемо-передающий модуль активной фазированной антенной решетки

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к средствам приема и передачи радиоволн. Приемо-передающий модуль активной фазированной антенной решетки содержит передающий и приемный каналы, первое, второе и третье направленное устройство разделения падающей и отраженной мощностей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571884
Дата охранного документа: 27.12.2015
20.01.2016
№216.013.a3fc

Способ эрозионного копирования карбидокремниевых структур

Использование: для получения структур (деталей) аксиальной конфигурации. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает использование нескольких полупроводниковых подложек, на всех поверхностях которых создают электропроводящий слой, собирают подложки в виде пакета, а...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573622
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.02.2016
№216.014.cf21

Способ определения характеристик топливного факела

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к оптическим методам, и может быть использовано для контроля угла распыла дисперсных сред. Способ измерения угла распыла топлива включает зондирование распыла световым сектором вдоль оси форсунки, регистрацию матричным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575138
Дата охранного документа: 10.02.2016
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582569
Дата охранного документа: 27.04.2016
20.05.2016
№216.015.408c

Моноклональное антитело сс3-4 к конформационному эпитопу с3 человека, штамм гибридной днк мыши рккк(п)764д - продуцент моноклонального антитела сс3-4

Изобретение относится к области иммунологии. Предложено моноклональное антитело, способное специфически связываться с молекулой С3 комплемента человека с экспонированной тиоэфирной связью, и штамм гибридомы мыши РККК(П)764Д. Антитело по настоящему изобретению блокирует альтернативный путь...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584582
Дата охранного документа: 20.05.2016
25.08.2017
№217.015.9977

Система локального позиционирования объектов

Изобретение относится к области обработки данных и может быть использовано для создания систем локального позиционирования объектов, в частности для определения местонахождения оборудования и людей в помещениях и на прилегающих площадках. Достигаемый технический результат - повышение точности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609582
Дата охранного документа: 02.02.2017
+ добавить свой РИД