×
05.02.2020
220.017.fdef

Результат интеллектуальной деятельности: ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МАГНИТНАЯ АНТЕННА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения величины и направления слабых магнитных полей в широком диапазоне частот и может использоваться в первую очередь в магнитометрии. Тонкопленочная магнитная антенна содержит СВЧ-генератор, тонкую магнитную пленку, амплитудный детектор, магнитную систему, формирующую постоянное поле смещения, направленное под углом α к оси трудного намагничивания тонкой магнитной пленки, при этом тонкая магнитная пленка размещается под отрезком полоскового проводника, который является индуктивной частью резонатора СВЧ-генератора. Технический результат – уменьшение массы и габаритов устройства при одновременном обеспечении широкой рабочей полосы частот. 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, а более конкретно -предназначено для измерения величины и направления слабых магнитных полей в широком диапазоне частот и может использоваться в первую очередь в магнитометрии.

Известен магнитометр [Патент СССР №855561, МПК G01R 33/02, опубл. 15.08.1981], содержащий кварцевый генератор тока возбуждения, который через конденсатор подключен к контуру измерительного преобразователя, состоящего из катушки с тонкопленочным магниточувствительным сердечником и конденсатора. Поле катушки направлено вдоль оси трудного намагничивания пленки. Один вывод контура подключен к базе дополнительного транзистора, а другой к конденсатору блокировки и опорному диоду, который через резистор подключен к источнику питания. Эмиттер дополнительного транзистора подключен к фильтру низкой частоты, состоящему из резистора и конденсатора. В цепи питания коллектора этого транзистора последовательно включена высокочастотная катушка с положительной обратной связью с катушкой контура измерительного преобразователя. К фильтру низкой частоты подключен регистрирующий прибор. Кварцевый генератор тока возбуждения через конденсатор подает ток высокой частоты на параллельный колебательный контур измерительного преобразователя. Собственная резонансная частота контура выбрана таким образом, чтобы при нулевом внешнем магнитном поле, частота тока возбуждения попадала бы на склон резонансной кривой (на уровне 0.7 от резонансного значения) контура измерительного преобразователя. При воздействии внешнего магнитного поля, направленного вдоль оси легкого намагничивания тонкопленочного сердечника, изменяется индуктивность катушки, что приводит к изменению резонансной частоты контура. В результате меняется комплексное сопротивление контура измерительного преобразователя на частоте тока возбуждения. Это приводит к изменению величины снимаемого с контура высокочастотного напряжения. Напряжение с контура подается на базу дополнительного транзистора, в коллекторной цепи которого подключена высокочастотная катушка, и, за счет положительной индуктивной обратной связи с катушкой контура, уменьшает собственные потери контура измерительного преобразователя, увеличивая его добротность. В эмиттерной цепи транзистора с помощью низкочастотного фильтра из резистора и конденсатора выделяется огибающая высокочастотного напряжения на контуре. Эта огибающая соответствует измеряемому магнитному полю и фиксируется с помощью регистрирующего прибора.

Известен также магнитометр [Патент СССР №945835, МГЖ G01R 33/02, опубл. 23.07.1982], содержащий анизотропный ферромагнитный тонкопленочный сердечник с направлением измеряемого поля и поля смещения вдоль оси легкого намагничивания, а поля высокочастотного возбуждения и направления съема информации - вдоль оси трудного намагничивания, кварцевый генератор тока возбуждения с колебательным измерительным контуром, ключ, делитель напряжения, низкочастотный генератор импульсов, а также преобразователь высокочастотного напряжения в постоянное напряжение, подключенный к выходу кварцевого генератора тока возбуждения. В устройстве введена намотанная на сердечник под углом π/4 к оси легкого намагничивания катушка ориентации вектора намагниченности, зашунтированная диодом и подключенная через ключ к низкочастотному генератору импульсов. Высокочастотный сигнал с выхода транзистора генератора тока возбуждения подается на делитель напряжения, составленный из последовательно соединенных конденсатора связи и измерительного контура. Собственная резонансная частота измерительного контура выбрана ниже частоты генератора тока возбуждения, поэтому сопротивление контура носит емкостной характер. При воздействии измеряемого магнитного поля на пленочную среду сердечника вдоль оси легкого намагничивания изменяется индуктивность контурной обмотки катушки, что приводит к изменению резонансной частоты измерительного контура. Это вызывает изменение емкостного сопротивления контура, а соответственно возникает амплитудная модуляция высокочастотного напряжения на контуре, соответствующая величине измеряемого магнитного поля. С помощью преобразователя высокочастотного напряжения на контуре в постоянное напряжение выделяется низкочастотная огибающая напряжения на контуре, которая соответствует измеряемому магнитному полю.

Недостатком известных конструкций магнитометров является низкая чувствительность, т.е. высокий уровень собственных шумов измерительного преобразователя, причиной чего является размещение тонкой магнитной пленки внутри многовитковой низкочастотной индуктивности и, как следствие, участие краевых участков пленки в работе устройства. Кроме того, известные конструкции не обеспечивают широкой полосы частот и не могут применяться для измерений параметров магнитных полей на частотах диапазона 106-108 Гц.

Известен датчик слабых высокочастотных магнитных полей [Патент РФ №2536083, МПК G01R 33/05, G01R 33/24, опубл. 20.12.2014]. Основой чувствительного элемента датчика являются микрополосковые резонаторы, образованные полосковыми проводниками, которые нанесены на верхней стороне диэлектрической подложки, а с нижней стороны которой осаждена тонкая магнитная пленка. На оба резонатора датчика одновременно подается мощность от СВЧ-генератора. Выходной сигнал датчика формируется двумя продетектированными сигналами, снятыми одновременно с двух резонаторов, которые затем подаются на дифференциальный усилитель. Измеряемое магнитное поле воздействует на тонкую магнитную пленку, находящуюся в области пучности СВЧ-магнитного поля резонаторов, что приводит к разнонаправленному изменению высокочастотной магнитной восприимчивости тонкой магнитной пленки в разных резонаторах и, как следствие, к разнонаправленному перераспределению амплитуд высокочастотного напряжения на полосковых проводниках резонаторов на частоте СВЧ-генератора. Поэтому в точках на полосковых проводниках резонаторов, с которых снимаются сигналы, при изменении измеряемого магнитного поля амплитуда одного сигнала возрастает, а другого убывает, и, наоборот, в зависимости от знака изменения поля. Сигналы с микрополосковых резонаторов после детектирования поступают на входы дифференциального усилителя, за счет чего коэффициент преобразования возрастает в два раза. Выходной сигнал снимается с дифференциального усилителя.

Недостатками известной конструкции являются большие масса и габариты, которые определяются массогабаритными характеристиками двух СВЧ-резонаторов, СВЧ-генератора, двух амплитудных детекторов, магнитной системы, дифференциального усилителя.

Наиболее близким аналогом по совокупности существенных признаков является малогабаритный высокочастотный магнитометр [Патент РФ №163174, G01R 33/05, опубл. 10.07.2016, (прототип)]. Измерительный преобразователь магнитометра состоит из активного элемента, генератора накачки, двух амплитудных детекторов, операционного усилителя, магнитной системы, создающей постоянное поле смещения, и компенсационной катушки низкочастотных магнитных полей. Активным элементом измерительного преобразователя является система из двух микрополосковых резонаторов, в качестве активной среды которой используется тонкая магнитная пленка, изготавливаемая методом вакуумного напыления пермаллоя. Высокочастотное поле создается СВЧ-резонаторами и направлено под небольшим углом к оси трудного намагничивания.

Оптимальная величина смещающего поля, которая обеспечивает максимальную чувствительность датчика, создается постоянными магнитами и направлена вдоль оси трудного намагничивания. Максимум чувствительности к измеряемому полю находится вблизи оси легкого намагничивания. Для реализации компенсационного метода измерений используется компенсационная катушка низкочастотных магнитных полей. Воздействие внешнего измеряемого поля приводит к отклонению равновесного положения магнитного момента в тонкой магнитной пленке и к изменению потерь, вносимых пленкой в СВЧ-резонаторы, что регистрируется амплитудными детекторами. Выходные сигналы амплитудных детекторов поступают на операционный усилитель, сигнал с которого является выходным сигналом устройства.

Недостатками конструкции-прототипа являются большие габариты и масса, которые определяются габаритами и массой входящих в состав датчика отдельного СВЧ-генератора, двух СВЧ-резонаторов, двух амплитудных детекторов, операционного усилителя, магнитной системы, компенсационной системы измерений.

Техническим результатом заявленного технического решения является уменьшение массы и габаритов устройства при одновременном обеспечении широкой рабочей полосы частот.

Заявляемый технический результат достигается тем, что в тонкопленочной магнитной антенне, содержащей СВЧ-генератор, тонкую магнитную пленку, амплитудный детектор, магнитную систему, формирующую постоянное поле смещения, направленное под углом а к оси трудного намагничивания тонкой магнитной пленки, новым является то, что тонкая магнитная пленка размещается под отрезком полоскового проводника, который является индуктивной частью резонатора СВЧ-генератора.

Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемое устройство отличается наличием отрезка полоскового проводника, под которым размещается тонкая магнитная пленка. Существенным отличием является то, что отрезок полоскового проводника является индуктивной частью резонатора СВЧ-генератора - это позволяет значительно сократить габариты и массу тонкопленочной магнитной антенны. Кроме того, дополнительный положительный эффект достигается за счет того, что конструкция не требует подстройки частоты генератора и резонансной частоты СВЧ-резонатора с пленкой.

Таким образом, перечисленные выше отличительные признаки от прототипа позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».

Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Данное изобретение поясняется чертежами. На фиг. 1 приведена электрическая принципиальная схема тонкопленочной магнитной антенны. На фиг. 2 показана ориентация магнитных полей в области размещения тонкой магнитной пленки. На фиг. 3 представлен пример реализации конструкции тонкопленочной магнитной антенны.

Тонкопленочная магнитная антенна (фиг. 1) содержит СВЧ-генератор (1) по схеме Клаппа с общей базой на основе СВЧ-транзистора (2), индуктивным элементом резонатора СВЧ-генератора (1) является отрезок полоскового проводника (3) с тонкой магнитной пленкой (4), осажденной на подложке. Оптимальная рабочая частота СВЧ-генератора (1) зависит от магнитных характеристик тонкой магнитной пленки (4) и, например, для пленок нестрикционного состава пермаллоя выбирается в диапазоне 0.4-0.8 ГГц. Амплитудный детектор (5), подключенный к резонатору СВЧ-генератора (1), реализован на основе полупроводниковых диодов (6). Ориентация магнитных полей в области размещения тонкой магнитной пленки (4) показана на фиг. 2. Высокочастотное магнитное поле возбуждения НВЧ, формируемое отрезком полоскового проводника (3), направлено вдоль оси трудного намагничивания тонкой магнитной пленки (4). Постоянное магнитное поле смещения (подмагничивающее поле) Нсм направлено под углом α к оси трудного намагничивания тонкой магнитной пленки (4), причем Нсм>Hk, где Hk - величина поля анизотропии. Постоянное магнитное поле смещения может быть сформировано системой из постоянных магнитов, кольцами Гельмгольца, катушками Фанселау, напылением магнитожесткого слоя на подложку с тонкой магнитной пленкой (4) и другими устройствами. Угол α зависит от параметров тонкой магнитной пленки (4) и выбирается таким, при котором обеспечивается наибольшая чувствительность магнитной антенны. Для пленок состава Ni80Fe20, например, оптимальное значение угла α находится в диапазоне 0.1°-30° и зависит от качества пленки [Беляев Б.А., Боев Н.М., Изотов А.В., Соловьев П.Н., Тюрнев В.В. Исследование датчика слабых магнитных полей на резонансной микрополосковой структуре с тонкой ферромагнитной пленкой // Известия высших учебных заведений: Физика. 2018. Т. 61, №8. С. 3-10]. Максимум чувствительности к измеряемому полю Низм направлен ортогонально положению магнитного момента, что примерно соответствует направлению оси легкого намагничивания тонкой магнитной пленки.

Пример реализации конструкции тонкопленочной магнитной антенны показан на фиг. 3. На печатной плате (7) размещаются элементы СВЧ-генератора (1), амплитудного детектора (5), тонкая магнитная пленка (4) и отрезок полоскового проводника (3). Печатная плата (7) закрепляется сверху на основании (8), а снизу основания в пазе закрепляется магнитная система (9) с возможностью вращения для настройки, состоящая из постоянных магнитов (10) в форме стержней.

Устройство работает следующим образом (фиг. 1). СВЧ-генератор (1), индуктивным элементом резонатора которого является отрезок полоскового проводника (3), возбуждает высокочастотные колебания магнитного поля НВЧ в тонкой магнитной пленке (4) в направлении оси трудного намагничивания. Под углом α к оси трудного намагничивания создается постоянное магнитное поле смещения Нсм. Воздействие внешнего измеряемого (пробного) поля Hизм приводит к отклонению вектора намагниченности тонкой магнитной пленки (4), что приводит к изменению частоты ферромагнитного резонанса и изменению величины потерь, вносимых в резонатор тонкой магнитной пленкой (4), на частоте работы СВЧ-генератора (1). Как следствие, происходит изменение добротности резонатора СВЧ-генератора (1), что отражается на его амплитуде колебаний. Выходной сигнал амплитудного детектора (5), соответствующий амплитуде колебаний в резонаторе СВЧ-генератора (1), пропорционален величине измеряемого (пробного) поля Hизм.

Экспериментальные исследования заявляемой тонкопленочной магнитной антенны показали, что, по сравнению с прототипом, заявляемое устройство обладает меньшими массой и габаритами. Например, реализована конструкция тонкопленочной магнитной антенны, работающей в диапазоне частот 100-108 Гц, с габаритами не превышающими 15×20×10 мм и массой не более 15 г. Такие массогабаритные характеристики не являются минимальными, заявляемая конструкция может быть изготовлена в интегральном исполнении со значительно меньшими габаритами и массой.

Тонкопленочная магнитная антенна, содержащая СВЧ-генератор, тонкую магнитную пленку, амплитудный детектор, магнитную систему, формирующую постоянное поле смещения, направленное под углом α к оси трудного намагничивания тонкой магнитной пленки, отличающаяся тем, что тонкая магнитная пленка размещается под отрезком полоскового проводника, который является индуктивной частью резонатора СВЧ-генератора.
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МАГНИТНАЯ АНТЕННА
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МАГНИТНАЯ АНТЕННА
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МАГНИТНАЯ АНТЕННА
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 55.
22.08.2018
№218.016.7e56

Держатель образца для сквид-магнитометра типа mpms для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений. Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов содержит цилиндрическую трубку из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664421
Дата охранного документа: 20.08.2018
13.09.2018
№218.016.873c

Способ синтеза эндоэдральных фуллеренов

Изобретение относится к нанотехнологии. Синтез эндоэдральных фуллеренов проводят в водоохлаждаемой металлической герметичной камере в плазме высокочастотной дуги с использованием переменного тока при атмосферном давлении. В нижней камере 4 установлен один вертикальный графитовый электрод 2 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666856
Дата охранного документа: 12.09.2018
28.10.2018
№218.016.97a3

Оксидный керамический магнитный материал на основе натрия, ванадия, железа и никеля

Изобретение относится к разработке новых материалов, которые могут быть полезны для химической промышленности, материаловедения, спинтроники. Оксидный керамический магнитный материал содержит кислород, железо и ванадий и дополнительно натрий и никель при следующем соотношении компонентов, ат....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670973
Дата охранного документа: 26.10.2018
19.12.2018
№218.016.a8a0

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую сторону нанесены нерегулярные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675206
Дата охранного документа: 17.12.2018
07.02.2019
№219.016.b7e4

Сверхширокополосное поглощающее покрытие

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для уменьшения радиолокационной заметности объектов военной техники, например летательных аппаратов. Сверхширокополосное поглощающее покрытие содержит диэлектрические слои, на поверхности которых нанесена двумерно-периодическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678937
Дата охранного документа: 04.02.2019
13.03.2019
№219.016.de94

Способ нанесения нанопленочного покрытия на подложку

Изобретение относится к способу нанесения нанопленочного покрытия на подложку и может быть использовано для получения нанопокрытий на поверхностях различных подложек при невысокой температуре. Осуществляют импульсно-плазменное напыление с лазерным поджигом. Используют импульсный режим работы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681587
Дата охранного документа: 11.03.2019
14.03.2019
№219.016.df47

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-fesi с изменяемой преимущественной ориентацией

Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681635
Дата охранного документа: 11.03.2019
14.03.2019
№219.016.df5e

Способ получения композиционного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена

Изобретение относится к полимерному материаловедению и может быть использовано в радиоэлектронике для изготовления морозостойких изделий, обладающих высокой диэлектрической проницаемостью и низкими диэлектрическими потерями. Описан способ получения композиционного материала на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681634
Дата охранного документа: 11.03.2019
16.03.2019
№219.016.e1a8

Датчик слабых магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, а именно предназначено для измерения слабых магнитных полей, и может использоваться, в первую очередь, в магнитометрии. Датчик слабых магнитных полей содержит СВЧ-генератор, чувствительный элемент на основе тонкой магнитной пленки, помещенной в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682076
Дата охранного документа: 14.03.2019
21.03.2019
№219.016.eaa9

Устройство для калибровки дихрографов кругового дихроизма

Изобретение относится к оптическим устройствам, имитирующим вещество, обладающее круговым дихроизмом (КД), с возможностью регулирования величины задаваемого эффекта в широком диапазоне значений на выбранной длине волны, сохраняющее ход светового луча строго по оптической оси в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682605
Дата охранного документа: 19.03.2019
Показаны записи 21-30 из 74.
26.08.2017
№217.015.e2db

Способ измерения напряженности электрического поля

Способ измерения напряженности электрического поля относится к измерительной технике и может использоваться для исследования электрических полей земной атмосферы и космического пространства. Способ измерения напряженности электрического поля, основанный на том, что в датчике напряженности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626065
Дата охранного документа: 21.07.2017
26.08.2017
№217.015.e408

Широкополосный полосковый фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Фильтр, содержащий диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесены короткозамкнутые с одного конца полосковые проводники, а на вторую сторону нанесены короткозамкнутые с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626224
Дата охранного документа: 24.07.2017
20.01.2018
№218.016.1d86

Полосковый резонатор

Изобретение относится к технике высоких и сверхвысоких частот и предназначено для создания частотно-селективных устройств. Полосковый резонатор содержит две диэлектрические подложки, подвешенные между экранами корпуса, на обе поверхности которых нанесены полосковые металлические проводники,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640968
Дата охранного документа: 12.01.2018
04.04.2018
№218.016.30bb

Микрополосковый широкополосный фильтр

Изобретение относится к СВЧ-радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую - полосковые проводники, электромагнитно связанные между собой. Узкие и широкие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644976
Дата охранного документа: 15.02.2018
14.06.2018
№218.016.61d3

Полосно-пропускающий свч фильтр

Полосно-пропускающий СВЧ фильтр относится к технике сверхвысоких частот и может быть использован в селективных трактах приемных и передающих систем. Фильтр содержит диэлектрическую подложку (1), на одну сторону которой нанесено заземляемое основание (2), а на вторую - нанесены полосковые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657311
Дата охранного документа: 13.06.2018
01.07.2018
№218.016.69a9

Миниатюрный полосковый фильтр

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к микрополосковым фильтрам. Фильтр содержит подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесены короткозамкнутые на экран с одного края подложки полосковые проводники резонаторов, а на вторую сторону подложки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659321
Дата охранного документа: 29.06.2018
23.10.2018
№218.016.9529

Микрополосковый фильтр верхних частот

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Микрополосковый фильтр верхних частот содержит диэлектрическую подложку, одна поверхность которой полностью металлизирована и служит заземляемым основанием, а на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670366
Дата охранного документа: 22.10.2018
21.11.2018
№218.016.9f8e

Полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое металлизированное основание, а на вторую нанесен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672821
Дата охранного документа: 19.11.2018
19.12.2018
№218.016.a8a0

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую сторону нанесены нерегулярные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675206
Дата охранного документа: 17.12.2018
16.01.2019
№219.016.aff0

Микрополосковый фильтр нижних частот

Изобретение относится к технике СВЧ. Фильтр содержит подложку с относительной диэлектрической проницаемостью и толщиной, с одной стороны которой выполнен металлический экран, на противоположной стороне подложки расположен свернутый в форме меандра нерегулярный полосковый проводник, широкие и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002677103
Дата охранного документа: 15.01.2019
+ добавить свой РИД