×
26.06.2019
219.017.92c4

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Заявленное изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам получения диэлектрического слоя межслойной изоляции определенной толщины в изделиях микроэлектроники на основе полимерного покрытия. Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники включает следующие этапы. Подготовку поверхности нанесения. Нанесение толстого покрытия. Термообработку для удаления растворителя и летучих продуктов реакции. Нанесение покрытия из раствора полимера проводят последовательно в два этапа. На первом этапе раствор полимера наносят центрифугированием. На втором этапе – постадийным ультразвуковым спреевым нанесением. Причем на первом этапе применяют раствор полимера большей концентрации и вязкости, чем на втором. Техническим результатом заявленного изобретения является формирование толстого полимерного слоя заданной толщины из раствора с одновременным улучшением качества поверхности формируемого толстого полимерного слоя и равномерности толстого полимерного слоя по площади поверхности. 5 з.п. ф-лы, 9 ил.

Заявленное изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам получения диэлектрического слоя межслойной изоляции определенной толщины на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники.

Из уровня техники известен способ формирования толстых полимерных слоев методом нанесения раствора на горизонтально расположенную поверхность, покрытую тонким слоем того же материала (см. SU1556521 опубл. 20.08.1988)(1). В данных методе на дозу раствора действуют силы поверхностного натяжения и тяжести, под действием которых происходит постепенное сглаживание неровностей рельефа и растекание раствора по поверхности. Для нанесения раствора необходимо использовать внешнюю нагрузку, например, использовать центрифугирование.

Недостатком данного метода является невозможность получения при однократном нанесении равномерных по толщине толстых слоев полимера. Недостатком метода (1) также является возможность неполного растекания раствора по поверхности в результате медленного центрифугирования, или, в обратном случае, при быстром центрифугировании – образование излишка раствора на краю пластины.

Наиболее близким по технической сущности является способ формирования толстых полимерных слоев методом нанесения нескольких тонких слоев раствора на горизонтально расположенную поверхность (см. RU2144472, опубл. 20.01.2000) (2). В данном методе для получения толстопленочного слоя желаемой толщины центрифугированием за один раз наносят слой, имеющий заданную толщину, и затем подвергают его сушке и термообработке. Затем на основном тонкопленочном слое, неоднократно выполняя вышеописанную операцию формируют толстопленочный слой, состоящий из нескольких тонкопленочных слоев.

Недостатком метода (2) является образующаяся граница раздела с соответствующими граничными поверхностями двух тонкопленочных слоев. Также, недостатком данного метода является необходимость проведения сушки и термообработки после нанесения каждого тонкопленочного слоя.

Техническим результатом заявленного способа является формирование толстого полимерного слоя заданной толщины из раствора с одновременным улучшением качества поверхности формируемого толстого полимерного слоя и равномерности толстого полимерного слоя по площади поверхности.

Заявленный технический результат достигается за счет создания способа получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники, включающего подготовку поверхности нанесения, нанесение толстого покрытия, термообработку для удаления растворителя и летучих продуктов реакции, причём нанесение покрытия из раствора полимера проводят последовательно в два этапа: на первом этапе раствор полимера наносят центрифугированием, а на втором – постадийным ультразвуковым (УЗ) спеевым нанесением, причем на первом этапе применяют раствор полимера большей концентрации и вязкости, чем на втором.

Вышеуказанные цели и преимущества настоящего способа станут более очевидными при описании со ссылками на сопроводительные изображения и схемы, на которых:

фигура 1 – полимерный слой, сформированный комбинированным 2-х стадийным методом в разрезе;

фигура 2 – схематичное изображение движения сопла со спреевым конусом относительно подложки (вид сбоку), где 1 – спреевый конус, 2 – сопло, 3 – направление движения сопла со спреевым конусом;

фигура 3 – схематичное изображение траектории движения сопла со спреевым конусом относительно подложки (вид сверху), где 1 – вращающаяся с заданной скоростью подложка, 2 – конус спрея, 3- сопло установки УЗ-спреевого нанесения, 4 – направление движения сопла относительно подложки, 5 – направление вращения подложки;

фигура 4 – схематично изображенная последовательность технологических операций, отражающая сущность изобретения;

фигура 5 – слой полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84) без различимой границы раздела, сформированный комбинированным методом, описанным ранее;

фигура 6 – слой полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84) с различимой границей раздела, сформированный послойным нанесением;

фигура 7 – изображение эффекта расслоения по границы раздела слоев полимера;

фигура 8 – Изображение поверхности слоя полимера, сформированного комбинированным методом, описанным ранее без промежуточной термообработки, расчетная толщина слоя составляет 100 мкм;

фигура 9 – Изображение спреевого конуса в процессе работы установки УЗ-спреевого нанесения.

Способ получения диэлектрического слоя (межслойной изоляции) определенной толщины в изделиях микроэлектроники на основе полимерного покрытия осуществляется следующим образом. Комбинированный метод получения толстого полимерного слоя представляется собой 2-х стадийную последовательность операций нанесения полимерных покрытий из растворов различной концентрации и вязкости методами центрифугирования и УЗ-спреевого нанесения. На примере лака АД-9103 ИС, для метода центрифугирования содержание сухого остатка в растворе составляет 12,5-14 %, а для метода УЗ-спреевого нанесения производят разбавление изначального раствора (12,5-14% сух. остатка) в пропорции 1:3 или 1:4 для получения приемлемой (для установки нанесения) вязкости раствора.

Общая толщина слоя полимерного покрытия Hсл рассчитывается по формуле:

, где

Толщина слоя H1, полученного центрифугированием:

где v – вязкость раствора, b – коэффициент, величина которого приблизительно равна 2, w – частота вращения, t* – время растекания (составляет приблизительно несколько секунд);

Толщина слоя H2, полученного методом УЗ-спреевого нанесения:

где K – коэффициент (от 0 до 1), характеризует количественную характеристику общего объема раствора попадающего на подложку, c – концентрация раствора в %, V – объем раствора в мм3, S – площадь подложки в мм2.

На подготовленную неподвижную подложку, установленную на держатель в центрифуге, в центр из дозатора наносится исходный раствор, вязкостью не более 52000 сПз и методом центрифугирования при скорости вращения необходимой для полного и равномерного распределения по поверхности (для полиимидов с содержанием сухого остатка 12,5-14% скорость вращения 500-1000 об/мин) с получается покрытие толщиной H1, затем методом УЗ-спреевого нанесения на вращающуюся со скоростью 1-5 об/мин подложку наносится выравнивающий слой полимера, вязкостью не более 50 сП и толщиной 5-10 мкм и предварительно проходит мягкую сушку в свете ИК-лампы при температуре, не превышающей 40°C. Дальнейшее наращивание слоя H2, проходит циклами нанесения по 8-12 мкм УЗ-спреевым методом нанесения и мягкой сушки в свете ИК-лампы. При формировании полимерного слоя из всех материалов, кроме светочувствительных, проводят подогрев подложки и мягкую сушку в свете инфракрасной лампы. Коэффициент К, характеризующий количественную характеристику общего объема раствора, попадающего на подложку, обусловлен образованием спреевого конуса, который движется в процессе нанесения вместе с соплом от начальной точки к конечной, находящихся в области краев подложки.

Регулирование площади основания спреевого конуса возможно путем изменения скорости потока газа, проходящего через сопло. Коэффициент К зависит от начальной и конечной точки нанесения материала, а также от площади основания конуса спрея. Варьирование размера капли, попадающей на подложку из сопла, и стабильность спреевого конуса достигается изменением мощности ультразвука. Для формирования диэлектрических слоев, толщиной более 50 мкм используется циклы нанесения 25-35 мкм с последующей конвективной сушкой. Полная полимеризация покрытия проводится после всех циклов нанесения и является последним звеном в цикле термообработки.

Примером использования предлагаемого способа может служить формирование толстого полимерного слоя на основе полиимида на подложке из кремния или нитрида алюминия.

В центр специально подготовленной подложки (методика подготовки поверхности подложки не уточняется ввиду того, что полимерные слои могут быть нанесены на разные поверхности, например, как промежуточные диэлектрические слои или как слой диэлектрика непосредственно на подложке), установленную в держатель центрифуги из дозатора подается 5 мл материала (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84, содержание сухого остатка в растворе составляет 12,5-14%) и вращается в течении 1 минуты при скорости 1000 об/мин. После остановки центрифуги сразу делается 1 проход спреевого нанесения и сушка в свете ИК-лампы 30 минут. Далее делается необходимое количество проходов (повторений) спреевого нанесения для достижения необходимой толщины слоя полимера. В данном случае, для полиимида толщиной более 50 мкм, необходимо использовать промежуточную термообработку в термошкафу со ступенчатым нагревом.

Далее процесс формирования слоя полнее описан со ссылкой на сопроводительные изображения (фигуры).

На фиг. 1 изображен нанесенный 2-х стадийным методом полимерный слой толщиной Hсл. Формирование слоя происходит последовательно, а именно на подготовленную неподвижную подложку (функциональное или технологическое жесткое основание) со сформированной структурой или без нее, в центр, дозируется раствор, вязкость которого не превышает 52000 сП, далее методом центрифугирования создается слой 1 стадии толщиной H1. Толщина слоя H1 рассчитывается по формуле, описанной ранее. Затем на вращающуюся подложку с сформированным слоем ультразвуковым (УЗ)-спреевым методом из раствора вязкостью не более 50 сП наносится слой стадии 2, толщиной H2. Суммарная толщина диэлектрического слоя составляет

.

На фиг. 2 схематично изображено движение сопла установки УЗ-спреевого нанесения (2) с образовавшимся спреевым конусом (1) относительно подложки, с уже сформированным методом центрифугирования слоем 1 стадии, в указанном направлении (3) при виде сбоку. Сопло начинает и заканчивает движение и нанесение вне зоны подложки, что имеет влияние на значения коэффициента К в формуле расчета толщины слоя 2 стадии. Ширина конуса спрея зависит от скорости потока газа, проходящего через сопло. При увеличении скорости потока газа, проходящего через сопло, площадь основания конуса спрея увеличивается, тем самым так же влияя на общее количество материала, попадающее на поверхность подложки и, как следствие, влияя на коэффициент К. На стабильность конуса спрея основное влияние производит мощность источника ультразвука. В зависимости от вязкости наносимого материала при неправильной мощности источника ультразвука в процессе могут возникать такие явления, как образование крупных капель или образование «вспененых» включений, приводящих к дефектам на поверхности и структуре слоя 2 стадии. Для получения качественного слоя необходим оптимальных подбор характеристик системы давление подачи-скорость потока газа-мощность ультразвука для наносимого материала определенной вязкости.

На фиг. 3 схематично изображено движение сопла установки УЗ-спреевого нанесения (3) с образовавшимся спреевым конусом (2) относительно подложки (1), вращающейся в определенном направлении (5) со скоростью 1-10 об/мин с уже сформированным методом центрифугирования слоем 1 стадии, в указанном направлении (4) при виде сверху. Скорость вращения подложки выбирается такой, чтобы распределения материала по поверхности было равномерным и при этом не образовывалось скопления материала на краю пластины. Далее вращение подложки сохраняется при сушке в свете инфракрасной (ИК)-лампы необходимое время. Необходимо учитывать то, что при нанесении материала на подложку не круглой формы значение коэффициента К будет тем ниже, чем меньше площадь фигуры относительно площади описываемой окружности для этой фигуры.

На фиг. 4 изображена последовательность основных операций технологического процесса, отражающая сущность способа формирования толстого полимерного покрытия. В зависимости материала подложки, материала и состояния ее поверхности, проводят подготовку поверхности под нанесение полимера, как пример обработка кремниевой пластины с сформированной проводящей структурой в диметилформамиде и нанесение промоутера адгезии на поверхность перед формированием слоя полиимида. Время между операцией подготовки поверхности и формированием слоя не должно превышать 30 минут, в противном случае операцию подготовки поверхности необходимо повторить. Далее производится дозирование и центрифугирование из раствора, описанное для фиг. 1. Затем в течении 1 минуты, до начала активного выхода растворителя из сформированного слоя 1 стадии производится формирование слоя УЗ-спреевым нанесением, описанное для фиг. 2 и фиг. 3. Получение необходимой толщины слоя полимера достигается изменением количества проходов спрея. За один проход формируется слой до 15 мкм. Между проходами и после последнего используется мягкое подсушивание в свете ИК-лампы с температурой нагрева поверхности не более 40оС. Далее проводится термообработка подложки с нанесенным толстым слоем полимера. Необходимо учитывать то, что для полиимидов, для получения толстых слоев (толщина боле 50-60 мкм) с равномерной и гладкой поверхностью, нужно проводить промежуточную термообработку без имидизации.

На фиг. 5 показано изображение слоя полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84), полученное с помощью растрового электронного микроскопа, сформированного комбинированным методом, описанным ранее. На изображении видно, что слой полимера, находящийся на кремниевой подложке не имеет границы раздела. Слой полимера толщиной приблизительно 29 мкм сформирован комбинированным методом в две стадии, где первая стадия – нанесение центрифугированием при скорости вращения 1000 об/мин продолжительностью 90 секунд, а вторая стадия – УЗ-спреевое нанесение полимера при вращении 1 об/мин и свете ИК-лампы.

На фиг. 6 показано изображение слоя полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84), полученное с помощью растрового электронного микроскопа, сформированного послойным нанесением. В данном случае нанесение материала производилось послойным методом с помощью центрифугирования при скорости вращения 1000 об/мин в течение 1 минуты. Между нанесениями слой подвергается сушке и термообработке. На изображении видно, что есть четкая границы между первым и вторым слоем полимера.

На фиг. 7 показано изображение произошедшего расслоения, полученное с помощью растрового электронного микроскопа. Данный слой полимера получен методом послойного нанесения, описанным для фиг. 6. Общая толщина слоя полимера составляет приблизительно 72 мкм. На изображении видно, что расслоение происходит по границе между слоями.

На фиг. 8 представлено изображение поверхности слоя полимера, нанесенного на кремниевую подложку. Полимерный слой сформирован комбинированным методом, но без промежуточной термообработки, необходимость которой также указывалась ранее в случае, если расчетная толщина полимерного слоя превышает 60 мкм. В данном случае расчетная толщина слоя составляет 100 мкм. Слой полимера с расчетной толщиной 100 мкм сформирован комбинированным методом в две стадии, где первая стадия – нанесение центрифугированием при скорости вращения 1000 об/мин продолжительностью 90 секунд, а вторая стадия – многопроходное УЗ-спреевое нанесение полимера при вращении 1 об/мин и свете ИК-лампы. В процессе сушки, растворитель из раствора, нанесенного на поверхность, выходит слишком быстро, создавая поверхность полимерного слоя, показанную на изображении.

На фиг. 9 показано изображение спреевого конуса в процессе работы установки УЗ-спреевого нанесения. В данном случае через сопло подается раствор полимера на основе Лака АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84.


Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 99.
29.05.2018
№218.016.55ba

Способ интеграции систем и/или средств обеспечения навигационной и мониторинговой информацией и аппаратно-программный комплекс - центр компетенций

Группа изобретений относится к системам получения и обработки информации космических аппаратов навигационного и мониторингового назначения. Способ интеграции систем и/или средств обеспечения навигационной и мониторинговой информацией предусматривает формирование облачной среды вычислений,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654237
Дата охранного документа: 17.05.2018
09.06.2018
№218.016.5c91

Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов

Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов. Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов согласно изобретению...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002656126
Дата охранного документа: 31.05.2018
09.06.2018
№218.016.5d06

Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра

Изобретение может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы методом химического травления с использованием масок. Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра основан на формировании...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002656109
Дата охранного документа: 31.05.2018
20.06.2018
№218.016.64f0

Установка для поглощения электромагнитного излучения

Изобретение относится к области вспомогательных средств радиоэлектронного оборудования и, дополнительно, может быть использовано в качестве низкопотенциального источника тепловой энергии. Заявлена установка для поглощения рассеиваемого электромагнитного излучения, которая содержит средства...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658145
Дата охранного документа: 19.06.2018
20.06.2018
№218.016.64f6

Способ контроля микрорельефа увлажнённого грунта

Изобретение относится к средствам дистанционного зондирования. Способ контроля рельефа увлажненной поверхности предусматривает съемку поверхности в первом и втором диапазонах электромагнитного излучения, одним из которых является инфракрасный диапазон, идентификацию диагностируемых особенностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658143
Дата охранного документа: 19.06.2018
28.06.2018
№218.016.6826

Способ зональной регистрации абонентского терминала сети персональной спутниковой связи

Изобретение относится к регистрации абонентского терминала сети персональной спутниковой связи. Технический результат - сокращение энергетических потерь при регистрации терминала сети персональной спутниковой связи и экономия ресурсов служебного канала бортового ретрансляционного комплекса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658879
Дата охранного документа: 25.06.2018
01.07.2018
№218.016.692b

Модернизированная спутниковая навигационная система глонасс

Предлагаемое изобретение относится к области спутниковых навигационных систем и направлено на совершенствование существующей спутниковой навигационной системы ГЛОНАСС. В модернизированной спутниковой навигационной системе ГЛОНАСС, состоящей из существующей группировки N1 базовых навигационных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659351
Дата охранного документа: 29.06.2018
06.07.2018
№218.016.6ccb

Способ выбора низкоорбитального спутника-ретранслятора для регистрации абонентским терминалом в системе персональной спутниковой связи

Изобретение относится к космической технике, конкретно к области создания и функционирования систем персональной спутниковой связи с применением низкоорбитальных спутников-ретрансляторов. Технический результат состоит в снижении количества жестких эстафетных передач и уменьшении количества...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660114
Дата охранного документа: 05.07.2018
06.07.2018
№218.016.6ccf

Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем

Изобретение относится к способам, предназначенным для позиционирования, размещения и монтажа частей интегральной схемы в корпусе, а именно прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, и может быть использовано в ракетно-космическом и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660121
Дата охранного документа: 05.07.2018
06.07.2018
№218.016.6ce1

Способ формирования группового навигационного сигнала глонасс

Изобретение относится к системам формирования сигнала спутниковой радионавигационной системы ГЛОНАСС, а именно к средствам управления передачей и её коррекцией. Техническим результатом является уменьшение погрешностей формирования сигнала посредством цифрового формирования групповых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660126
Дата охранного документа: 05.07.2018
Показаны записи 31-40 из 41.
01.05.2019
№219.017.47ea

Свч фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления

Использование: для создания СВЧ фильтров. Сущность изобретения заключается в том, что СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода, образованный цепочкой связанных резонаторов, конструкция которого состоит из следующих составных частей: металлического основания, подложки на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002686486
Дата охранного документа: 29.04.2019
18.05.2019
№219.017.59fa

Блокирующий диод для солнечных батарей космических аппаратов

Изобретение относится к области дискретных полупроводниковых приборов, в частности к блокирующим диодам для солнечных батарей космических аппаратов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание бескорпусного блокирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002457578
Дата охранного документа: 27.07.2012
15.06.2019
№219.017.8370

Способ формирования многофункциональных терморегулирующих покрытий на изделиях из алюминиевых сплавов

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для формирования на изделиях прочно сцепленных с основой многофункциональных терморегулирующих оптических покрытий, обладающих повышенными теплозащитными функциями и применяемых для блоков бортовой аппаратуры и узлов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691477
Дата охранного документа: 14.06.2019
22.06.2019
№219.017.8ec4

Способ изготовления сквозных микроотверстий в кремниевой подложке

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении 3D-устройств микросистемной техники, например микроинжекторов, микродвигателей, а именно при получении сквозных микроотверстий в кремниевой подложке. Способ изготовления сквозных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692112
Дата охранного документа: 21.06.2019
23.07.2019
№219.017.b6fa

Миниатюрный измеритель параметров электризации космических аппаратов с микросистемным вибрационным модулятором электрического поля

Использование: для детектирования напряженности электрического поля на поверхности конструкции космического аппарата. Сущность изобретения заключается в том, что миниатюрный измеритель параметров электризации космических аппаратов включает: микросистемный вибрационный модулятор, состоящий из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695111
Дата охранного документа: 19.07.2019
05.09.2019
№219.017.c6e6

Шагающий инсектоморфный мобильный микроробот

Изобретение относится к микроробототехнике, а именно к шагающим мобильным микророботам, и предназначено для осуществления работ в экстремальных ситуациях, преимущественно в условиях открытого космоса, невесомости, микрогравитации и выполнения задач напланетных миссий. Шагающий мобильный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002699209
Дата охранного документа: 03.09.2019
08.02.2020
№220.018.0022

Способ изготовления свч-гибридной интегральной микросхемы космического назначения с многоуровневой коммутацией

Использование: для изготовления СВЧ–гибридных интегральных микросхем космического назначения с многоуровневой коммутацией на основе органического диэлектрика. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления СВЧ–гибридной интегральной микросхемы с многоуровневой коммутацией на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713572
Дата охранного документа: 05.02.2020
02.03.2020
№220.018.0822

Многослойная коммутационная плата свч-гибридной интегральной микросхемы космического назначения и способ её получения (варианты)

Изобретение относится к электронной технике, а именно к области СВЧ микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение адгезионной прочности монтажных соединений в коммутационной плате и технологичности коммутационной СВЧ-платы. Технический результат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715412
Дата охранного документа: 28.02.2020
16.05.2023
№223.018.630e

Ползающий космический микроробот-инспектор

Изобретение относится к микроробототехнике, а именно к мобильным микророботам, и предназначено для осуществления инспекционных работ на солнечных батареях космических аппаратов и/или Международной космической станции, в экстремальных ситуациях, преимущественно для минимизации рисков человека в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002771501
Дата охранного документа: 06.05.2022
17.06.2023
№223.018.7e01

Микромодуль космического назначения

Изобретение относится к микроэлектронным приборам космического назначения и может быть использовано в составе бортовой и наземной аппаратуры космических аппаратов с высокоплотным монтажом. Предложен микромодуль, включающий в свой состав корпус с крышкой, основание, N чередующихся коммутационных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002778034
Дата охранного документа: 12.08.2022
+ добавить свой РИД