×
01.05.2019
219.017.47ea

СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Использование: для создания СВЧ фильтров. Сущность изобретения заключается в том, что СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода, образованный цепочкой связанных резонаторов, конструкция которого состоит из следующих составных частей: металлического основания, подложки на основе высокоомного монокристаллического кремния с двусторонней металлизацией плоскостей, в которой выполнены сквозные металлизированные отверстия, электрически объединяющие металлизацию и задающие зоны объемных резонаторов фильтра, интегрированного в подложку волновода, сформированного подложкой высокоомного кремния, двусторонней металлизации, входной и выходной линий передачи, характеризуется тем, что сквозные металлизированные отверстия по внешним сторонам фильтра образуют двумерную структуру, параметры которой выбираются из определенных условий. Технический результат: обеспечение возможности повышения точности изготовления. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 9 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Предлагаемое изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технике сверхвысоких частот.

Известны СВЧ фильтры на основе интегрированного в подложку волновода, образованные цепочкой связанных резонаторов [N. Keltouma, F. Mohammed, A. Saghir. Design and characterization of tapered transition and inductive window filter based on Substrate Integrated Waveguide technology (SIW). International Journal of Computer Science Issues, Vol. 8, Issue 6, No 3, Nov. 2011. P. 135-138]. Согласно известному техническому решению СВЧ фильтры включают интегрированный в подложку волновод, образованный подложкой диэлектрика (стеклотекстолита FR4), двустороннюю металлизацию и сквозные металлизированные отверстия, соединяющие слои металлизации, ограничивающие резонансные объемы фильтра, входную и выходную линии передачи, сформированные с использованием стандартной технологии печатных плат.

К недостаткам известного технического решения относятся применение в качестве диэлектрика стеклотекстолита и стандартной технологии печатных плат, что приводит к пониженной точности изготовления, тогда как резонаторы фильтра требуют повышенной точности изготовления, возрастающей при повышении рабочей частоты. Кроме того, известное техническое решение не предусматривает мер для подавления паразитных полос пропускания фильтров.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является конструкция интегрированного в подложку волновода и фильтра на его основе, изложенная в [G.Pathak. Substrate Integrated Waveguide based RF MEMS Cavity Filter. International Journal of Recent Technology and Engineering (IJRTE).Vol.2.Iss.5. Nov. 2013. P. 46-49]. Согласно данному техническому решению резонаторы фильтра выполнены на основе интегрированного в подложку волновода, сформированного подложкой высокоомного кремния, двусторонней металлизацией и сквозными металлизированными отверстиями, соединяющими слои металлизации, ограничивающие резонансные объемы фильтра, входную и выходную линии передачи. Изготовление фильтра предусматривает формирование сквозных отверстий методом сухого травления по Бошу.

К недостаткам данного технического решения относится наличие паразитных высокодобротных резонансов, приводящих к появлению паразитных полос пропускания в полосовых фильтрах (см., например, патент на изобретение US 6 943 650, Freescale Semiconductor Inc., публикация 2005 г., Hong, Jia-Sheng. Microstrip filters for RF/microwave applications / Jia-Sheng Hong. – 2nd ed. p. 404).

В свою очередь предлагаемая группа изобретений представляет собой дальнейшее совершенствование объектов техники данного класса: предложены конструкция СВЧ фильтра, характеризующегося меньшими массогабаритными характеристиками и обеспечивающего подавление паразитных полос пропускания, а также способ изготовления СВЧ фильтра, характеризующийся повышенной технологичностью и возможностью использования методов микрообработки.

СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода образован цепочкой связанных резонаторов. Конструкция СВЧ фильтра состоит из следующих составных частей: металлического основания, подложки на основе высокоомного монокристаллического кремния, интегрированного в подложку волновода, двусторонней металлизации, входной и выходной линий передачи. В подложке на основе высокоомного монокристаллического кремния с двусторонней металлизацией плоскостей выполнены сквозные металлизированные отверстия, электрически объединяющие металлизацию и задающие (определяющие) зоны объёмных резонаторов фильтра. Интегрированный в подложку волновод сформирован подложкой высокоомного кремния. Сквозные металлизированные отверстия по внешним сторонам фильтра образуют двумерную структуру, параметры которой выбираются из условия , в котором fп – частота [Гц] в полосе пропускания фильтра, fпар – частота [Гц] в паразитных полосах пропускания, а fкр – частота [Гц] из соотношения , где a – шаг структуры [м], D – диаметр металлизированных отверстий [м], ε – относительная диэлектрическая проницаемость подложки, μ – относительная магнитная проницаемость подложки, c – скорость света в вакууме [м/с]. Размеры сквозного отверстия выбраны из соотношения где D – диаметр отверстия [м], Н – толщина подложки [м]. С внешней стороны двумерной структуры расположены слои поглощающего материала, выполненные, например, в виде подложек на основе легированного кремния толщиной Н с двусторонней металлизацией плоскостей, причем слои металлизации электрически соединены с соответствующими слоями металлизации собственно фильтра.

Способ изготовления СВЧ фильтра предусматривает формирование сквозных отверстий в подложке высокоомного кремния методом сухого травления, двустороннюю металлизацию, формирование микрополосковых входной и выходной линии передачи методами фотолитографии и монтаж полученного модуля после резки подложки на металлическое основание. Сухое травление проводят в три этапа. На первом этапе выполняют сухое травление изотропное с образованием фаски на границе «поверхность – отверстие» с размерами не более 0,3 диаметра отверстия. На втором этапе – сухое травление по Бошу с образованием отверстия ортогонального поверхностям подложки. На третьем этапе – сухое травление по Бошу с эффектом нотчинга с образованием фаски с противоположной стороны подложки с размерами не более 0,3 диаметра отверстия. Сухое травление по Бошу с эффектом нотчинга с образованием фаски с противоположной стороны подложки проводят последовательно с контролем под микроскопом либо дифракционным методом in situ.

Формирование сквозных отверстий выполняют через металлическую маску. После формирования сквозных отверстий металлическую маску удаляют методом селективного травления. На противоположной стороне относительно маски перед сухим травлением формируют по растворной технологии полимерное пленкообразующее покрытие толщиной не менее 3 мкм с модулем Юнга покрытия не менее 120 МПа. После формирования сквозных отверстий пленкообразующее покрытие также удаляют методом селективного травления. В качестве полимерного пленкообразующего покрытия используют полиимиды, кардовые полиимиды и/или полиэфиримиды, образующие после формирования сквозного отверстия свободную мембрану.

Двустороннюю металлизацию формируют на основе тонкой пленки золота и слоистой структуры из, по меньшей мере, двух переходных металлов IV периода периодической системы химических элементов. Толщина гальванически осажденного слоя золота составляет не менее 2 мкм. Толщина слоистой структуры составляет не менее 2,5-3,5 мкм. Слоистую структуру формируют методом двустороннего магнетронного распыления и конденсации металлов в вакууме на поверхностях подложки и внутри отверстий. Толщина металлизации стенок отверстий, полученной методом двустороннего магнетронного распыления выбирается из соотношения , где h – толщина металлизации стенок отверстий [м], hп – толщина металлизации поверхностей [м]. Двустороннюю металлизацию формируют на основе структуры титан – медь – золото, с возможным использованием подслоя никеля между слоями меди и золота. Также, возможно формирование двусторонней металлизации на основе структуры хром – медь – золото.

При формировании входной и выходной линии передачи методами фотолитографии фоторезист наносят способом распыления. Фильтр монтируют на металлическое, например, коваровое основание методом вакуумной бесфлюсовой пайки или посадкой на токопроводящий клей, например, контактол. Толщина токопроводящего клея или припоя выбирается из соотношения где hпр – толщина припоя или токопроводящего клея после монтажа [м], S – площадь фильтра [м2], hпр.исх. – толщина припоя или токопроводящего клея до монтажа [м], D – диаметр отверстий [м], HSi – толщина кремниевой подложки [м], n – количество отверстий.

Предложенный СВЧ фильтр и способ его изготовления поясняются следующими изображениями:

фиг. 1 – пример ранее известной конструкции фильтра на основе интегрированного в подложку волновода (вид сверху);

фиг. 1-1 – частотная характеристика фильтра по фиг.1;

фиг. 2 – зависимость критической частоты fкр периодической структуры от диаметра металлизированных отверстий D и шага структуры – a и аппроксимирующая ее прямая;

фиг. 3 – конструкция предлагаемого фильтра на основе интегрированного в подложку волновода с двумерной структурой (вид сверху);

фиг. 3-1 – частотная характеристика фильтра по фиг. 3;

фиг. 4 – вариант конструкции предлагаемого фильтра на основе интегрированного в подложку волновода с двумерной структурой (вид сверху);

фиг. 5 – вариант конструкции предлагаемого фильтра на основе интегрированного в подложку волновода с двумерной структурой (вид сверху);

фиг. 6 – вариант конструкции предлагаемого фильтра на основе интегрированного в подложку волновода со слоями поглощающего материала (вид сверху);

фиг. 7 – фотография заготовок СВЧ фильтров со сформированными сквозными отверстиями;

фиг. 8 – фотография подложки с заготовками СВЧ фильтров;

фиг. 9 – фотография СВЧ фильтра.

На фиг. 1 приведён пример конструкции трёхрезонаторного СВЧ фильтра на основе интегрированного в подложку волновода, сформированного подложкой высокоомного кремния. СВЧ фильтр включает двустороннюю металлизацию и сквозные металлизированные отверстия, соединяющие слои металлизации, ограничивающие резонансные объемы фильтра, входную и выходную линии передачи. Электрические характеристики данного фильтра подобны характеристикам фильтра на объемных резонаторах и содержат паразитные полосы пропускания. Частотная зависимость коэффициента передачи – K фильтра по фиг. 1 показана на фиг. 1-1, на частотах вблизи f=21 ГГц расположена рабочая полоса пропускания, на частотах выше 32 ГГц имеются паразитные полосы пропускания.

Для того чтобы обеспечить подавление паразитных полос пропускания выполняют металлизированные отверстия по внешним сторонам фильтра в виде двумерной структуры, обеспечивающей распространение электромагнитных волн на частотах паразитных полос пропускания с затуханием на частотах рабочей полосы пропускания фильтра. Анализ периодической двумерной структуры металлизированных отверстий привёл к зависимости критической частоты периодической структуры fкр [Гц] от диаметра металлизированных отверстий D [м] и шага структуры – a [м], приведённой на фиг.2, где ε – относительная диэлектрическая проницаемость подложки, μ – относительная магнитная проницаемость подложки, c – скорость света в вакууме [м/с]. На частотах f≤fкр происходит затухание электромагнитных волн в периодической структуре, а на частотах f≥fкр – распространение.

График прямой, аппроксимирующей зависимость критической частоты периодической структуры fкр [Гц] от диаметра металлизированных отверстий D [м] также приведён на фиг. 2. Приближённо данная зависимость выражается соотношением используя которую выбирают шаг металлизированных отверстий – a [м] и диаметр металлизированных отверстий – D [м] так, чтобы частоты в рабочей полосе пропускания фильтра fп были fп<fкр, а частоты паразитных полос пропускания fпар были fпар>fкр. В этом случае будет происходить затухание электромагнитных волн на частотах паразитных полос пропускания за счёт рассеяния в периодической структуре, в то время как на частотах рабочей полосы пропускания затухание из-за рассеяния на периодической структуре будет отсутствовать. На фиг. 3 приведён пример конструкции трёхрезонаторного фильтра при выборе . На фиг. 3-1 приведена частотная зависимость коэффициента передачи – К фильтра, рабочая полоса пропускания расположена на частотах вблизи f=20 ГГц. Сравнение зависимостей на фиг. 1-1 и фиг. 3-1 показывает, что у фильтра по фиг. 3 паразитные полосы пропускания подавлены.

Уменьшение соотношения D/a приведёт к расширению частотной области распространения, то есть к расширению области подавления паразитных полос пропускания. Следовательно, целесообразно уменьшать D/a и, соответственно, при заданном значении величины – a [м] уменьшать величину – D [м]. С другой стороны, увеличение толщины подложки – H [м] приводит к увеличению собственной добротности резонаторов СВЧ фильтра за счёт уменьшения вклада потерь в металле, поэтому целесообразно увеличивать значение толщины – H [м]. Одновременно, для улучшения электрических параметров выгодно уменьшать соотношение D/H, однако уменьшение соотношения D/H усложнит способ изготовления СВЧ фильтра. Основываясь на перечисленных выше выводах, принято, что размеры сквозного отверстия должны быть предпочтительно выбраны из соотношения , где D – диаметр [м], Н – толщина подложки [м].

Частотная характеристика фильтра в части увеличения подавления паразитных полос пропускания на требуемых частотах может быть скорректирована изменением геометрии двумерной структуры, а также введением слоев поглощающего материала с её внешних сторон. На фиг. 4 приведён вариант конструкции фильтра, в котором периодическая структура образована двумя рядами металлизированных отверстий. На фиг. 5 приведён вариант конструкции фильтра, в котором внешний ряд металлизированных отверстий имеет переменный шаг. На фиг. 6 приведён вариант конструкции СВЧ фильтра, в котором с внешних сторон структуры расположены слои поглощающего материала, выполненные в виде подложек на основе легированного кремния толщиной H [м] с двусторонней металлизацией плоскостей. Слои металлизации электрически соединены с соответствующими слоями металлизации собственно фильтра, обеспечивают поглощение электромагнитного поля, рассеянного на металлизированных отверстиях, и препятствуют появлению нежелательных отражений от внешних границ фильтра.

Изготовление СВЧ фильтра предложенной конструкции предусматривает формирование сквозных отверстий в подложке высокоомного кремния последовательным сухим травлением в три этапа. На первом этапе выполняют изотропное сухое травление с образованием фаски на границе «поверхность – отверстие» с размерами не более 0,3 диаметра отверстия. На втором этапе – сухое травление по Бошу с образованием отверстия, ортогонального поверхностям подложки. На третьем этапе – сухое травление по Бошу с эффектом нотчинга с образованием фаски с противоположной стороны подложки с размерами не более 0,3 диаметра отверстия. Сухое травление по Бошу с эффектом нотчинга с образованием фаски с противоположной стороны подложки проводят последовательно с контролем под микроскопом либо дифракционным методом in situ.

Сквозные отверстия формируют через контактную маску, например, маску алюминия. На противоположной стороне относительно маски перед сухим травлением формируют по растворной технологии полимерное плёнкообразующее покрытие толщиной не менее 3 мкм с модулем Юнга покрытия не менее 120 МПа. В качестве полимерного пленкообразующего покрытия используют полиимиды, кардовые полиимиды и/или полиэфиримиды, образующие после формирования сквозного отверстия свободную мембрану. Предложенная последовательность операций выбрана исходя из обеспечения наилучшей технологичности изготовления изделия.

После формирования сквозных отверстий описанным выше образом выполняют двустороннюю металлизацию. Двустороннюю металлизацию формируют на основе тонкой пленки золота и слоистой структуры из, по меньшей мере, двух переходных металлов IV периода периодической системы химических элементов. Предложено формировать двустороннюю металлизацию на основе структуры титан – медь – золото. При этом, возможно использовать между слоями меди и золота подслой никеля. Возможно формирование двусторонней металлизации на основе структуры хром – медь – золото. Толщина слоистой структуры составит не менее 2,5-3,5 мкм при толщине гальванически осажденного слоя золота не менее 2 мкм. Слоистую структуру из двух и более металлов формируют методом двустороннего магнетронного распыления и конденсации металлов в вакууме на поверхностях подложки и внутри отверстий. Итоговую толщину металлизации стенок отверстий, полученную методом двустороннего магнетронного распыления выбирают из соотношения , где h – толщина металлизации стенок отверстий [м], hп – толщина металлизации поверхностей [м]. Предложенная последовательность операций, также, выбрана исходя из обеспечения наилучшей технологичности изготовления изделия.

Далее методами фотолитографии – нанесением фоторезиста распылением (спреевое нанесение) формируют микрополосковые входную и выходную линии передачи. Излишки фоторезиста удаляют с обратной стороны подложки химико-механической обработкой. После формирования микрополосковых линий передачи методом селективного травления (например, в травителе алюминия) удаляют контактную металлическую маску и плёнкообразующее покрытие.

После резки подложки выполняют монтаж СВЧ фильтра на металлическое основание. Фильтр монтируют, по преимуществу, на коваровое основание методом вакуумной бесфлюсовой пайки или посадкой на токопроводящий клей (контактол). При этом, толщину контактола или припоя выбирают из оптимального соотношения , где hпр – толщина припоя или токопроводящего клея после монтажа [м], S – площадь кремниевого фильтра [м2], hпр.исх. – hпр.исх. – толщина припоя или токопроводящего клея до монтажа [м], D – диаметр отверстий [м], HSi – толщина кремниевой подложки [м], n – количество отверстий.


СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
СВЧ фильтр на основе интегрированного в подложку волновода и способ его изготовления
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 99.
13.01.2017
№217.015.6d15

Способ дистанционного зондирования земли

Способ дистанционного зондирования Земли включает в себя получение потока светового излучения Солнца, отраженного от зондируемого участка земной поверхности. Далее поток разделяют на два пучка равной интенсивности, по одному из которых осуществляют преддетекторную адаптивную компенсацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597144
Дата охранного документа: 10.09.2016
13.01.2017
№217.015.721d

Способ радиоподавления несанкционированных каналов космической радиолинии "космический аппарат - земля" и система для его реализации

Группа изобретений относится к области радиотехники и может быть использована для избирательного радиоподавления N несанкционированных каналов космических радиолиний «космический аппарат (КА) - Земля», в частности для радиоподавления несанкционированных каналов радиолиний «КА - Земля»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597999
Дата охранного документа: 20.09.2016
13.01.2017
№217.015.901a

Наземный комплекс управления спутниковой навигационной системой

Изобретение относится к спутниковым навигационным системам, а именно к оборудованию наземного комплекса управления данных систем. Достигаемый технический результат - повышение надежности взаимодействия средств, обеспечивающих управление и измерение на пунктах эксплуатации и в центре управления....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604053
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.9639

Делитель мощности для бортовой аппаратуры космического аппарата

Изобретение относится к СВЧ радиотехнике. Делитель мощности содержит четыре направленных ответвителя на связанных линиях. Смежные направленные ответвители расположены перпендикулярно один к другому, так что проводники связанных линий данных направленных ответвителей образуют стороны двух...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002608978
Дата охранного документа: 30.01.2017
25.08.2017
№217.015.aef4

Устройство для измерения электрических параметров операционных усилителей и компараторов напряжения

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться при входном контроле аналоговых микросхем при производстве радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: устройство содержит испытываемый операционный усилитель или компаратор напряжения, неинвертирующий вход которого через...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002612872
Дата охранного документа: 13.03.2017
25.08.2017
№217.015.bdae

Наземная система контроля и управления бортовой аппаратурой межспутниковых измерений навигационной системы, например для системы глонасс

Изобретение относится к спутниковым навигационным системам, а именно к оборудованию наземного комплекса управления данных систем. Технический результат состоит в повышении качества контроля навигационных систем. Для этого наземная система контроля и управления бортовой аппаратурой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616278
Дата охранного документа: 14.04.2017
25.08.2017
№217.015.ca22

Способ получения заполненных переходных металлизированных сквозных отверстий печатной платы

Изобретение предназначено для конструирования и изготовления многослойных печатных плат (ПП) для высокоплотного монтажа поверхностно-монтируемых компонентов (ПМК) с матричным расположением выводов в корпусах типа BGA, CGA. Технический результат - обеспечение надежности ПП при увеличении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619913
Дата охранного документа: 19.05.2017
25.08.2017
№217.015.d1ac

Способ радиометрической коррекции изображения от многоэлементного фотоприёмника инфракрасного диапазона

Изобретение относится к области дистанционного зондирования Земли. Способ радиометрической коррекции изображения от многоэлементного фотоприемника инфракрасного диапазона предусматривает выбор на фотоприёмнике не чувствительных к излучению от объекта съёмки элементов, сравнение сигналов от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621877
Дата охранного документа: 07.06.2017
25.08.2017
№217.015.d24c

Двунаправленный тепловой микромеханический актюатор и способ его изготовления

Использование: для изготовления микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы. Сущность изобретения заключается в том, что микромеханический актюатор выполнен в виде сформированной в меза-структуре упруго-шарнирной консольной балки, состоящей из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621612
Дата охранного документа: 06.06.2017
25.08.2017
№217.015.d2bb

Способ дистанционного мониторинга рисовых оросительных систем

Изобретение относится к способам радиометрической съемки земной поверхности и может быть использовано при проведении мониторинга рисовых оросительных систем. Сущность: выполняют панорамную космическую ИК-радиометрическую съемку поверхности земли со средним разрешением 100-200 м и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621876
Дата охранного документа: 07.06.2017
Показаны записи 1-10 из 43.
20.01.2013
№216.012.1def

Малогабаритная свч-антенна на основе метаматериала

Изобретение относится к области антенной техники и может быть использовано при создании и изготовлении малогабаритных антенн, обеспечивающих сужение диаграммы направленности. Техническим результатом заявленного изобретения является уменьшение массогабаритных характеристик СВЧ-антенн при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473157
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.04.2013
№216.012.37ff

Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов

Изобретение относится к области изготовления дискретных полупроводниковых приборов. Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов включает формирование структуры планарного диода на кремниевой монокристаллической подложке, формирование металлизации рабочей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002479888
Дата охранного документа: 20.04.2013
10.06.2013
№216.012.4a26

Передающий антенный модуль

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к активным антенным модулям. Техническим результатом является повышение функциональных возможностей передающего антенного модуля и технологичность изготовления передающего антенного модуля. Передающий антенный модуль состоит из антенного элемента,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002484562
Дата охранного документа: 10.06.2013
27.07.2013
№216.012.5b09

Антенный излучатель с узкой диаграммой направленности на основе метаматериала

Изобретение относится к антенным устройствам и может быть использовано как отдельная антенна, а также в качестве элемента сложной антенны или антенной системы радиочастотного, терагерцового, инфракрасного или оптического диапазонов. Технический результат - уменьшение массогабаритных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002488926
Дата охранного документа: 27.07.2013
10.12.2013
№216.012.8a2a

Микросистема оптического излучения

Изобретение относится к области оптики и может быть использовано в устройствах и системах для отклонения пучка квазимонохроматического оптического излучения по двум пространственным направлениям, создания плоских изображений с помощью пучка квазимонохроматического оптического излучения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002501052
Дата охранного документа: 10.12.2013
27.12.2013
№216.012.9222

Способ изготовления поглощающего покрытия

Изобретение относится к способу изготовления поглощающего покрытия, обеспечивающего поглощение в инфракрасном диапазоне длин волн для создания эталонов абсолютно черного тела в имитаторах излучения для аппаратуры дистанционного зондирования земли со стабильными характеристиками. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002503103
Дата охранного документа: 27.12.2013
10.04.2014
№216.012.b1f4

Способ изготовления микроэлектромеханических реле

Изобретение относится к микросистемной технике и может быть использовано при изготовлении микроэлектромеханических реле. Способ изготовления микроэлектромеханических реле включает последовательное формирование на подложке контактной металлизации, состоящей из управляющего электрода, двух нижних...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511272
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.05.2014
№216.012.c311

Интерференционный переключатель резонансного свч компрессора

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в резонансных СВЧ компрессорах в качестве устройства вывода энергии для формирования мощных СВЧ импульсов наносекундной длительности. Технический результат - увеличение рабочей мощности переключателя при неизменной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515696
Дата охранного документа: 20.05.2014
10.06.2014
№216.012.cd07

Микросистемное устройство терморегуляции поверхности космических аппаратов

Изобретение относится к области микроэлектроники - устройствам микросистемной техники, выполненным по технологиям микрообработки кремния, и может быть использовано при создании систем терморегуляции нагреваемой поверхности космических аппаратов, либо иных систем, обеспечивающих микроперемещения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518258
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.cd20

Способ осаждения нитрида кремния на кремниевую подложку

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и/или устройств микросистемной техники на кремниевых подложках, содержащих в своей структуре пленки нитрида кремния различного функционального назначения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518283
Дата охранного документа: 10.06.2014
+ добавить свой РИД