×
26.06.2019
219.017.92c4

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Заявленное изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам получения диэлектрического слоя межслойной изоляции определенной толщины в изделиях микроэлектроники на основе полимерного покрытия. Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники включает следующие этапы. Подготовку поверхности нанесения. Нанесение толстого покрытия. Термообработку для удаления растворителя и летучих продуктов реакции. Нанесение покрытия из раствора полимера проводят последовательно в два этапа. На первом этапе раствор полимера наносят центрифугированием. На втором этапе – постадийным ультразвуковым спреевым нанесением. Причем на первом этапе применяют раствор полимера большей концентрации и вязкости, чем на втором. Техническим результатом заявленного изобретения является формирование толстого полимерного слоя заданной толщины из раствора с одновременным улучшением качества поверхности формируемого толстого полимерного слоя и равномерности толстого полимерного слоя по площади поверхности. 5 з.п. ф-лы, 9 ил.

Заявленное изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам получения диэлектрического слоя межслойной изоляции определенной толщины на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники.

Из уровня техники известен способ формирования толстых полимерных слоев методом нанесения раствора на горизонтально расположенную поверхность, покрытую тонким слоем того же материала (см. SU1556521 опубл. 20.08.1988)(1). В данных методе на дозу раствора действуют силы поверхностного натяжения и тяжести, под действием которых происходит постепенное сглаживание неровностей рельефа и растекание раствора по поверхности. Для нанесения раствора необходимо использовать внешнюю нагрузку, например, использовать центрифугирование.

Недостатком данного метода является невозможность получения при однократном нанесении равномерных по толщине толстых слоев полимера. Недостатком метода (1) также является возможность неполного растекания раствора по поверхности в результате медленного центрифугирования, или, в обратном случае, при быстром центрифугировании – образование излишка раствора на краю пластины.

Наиболее близким по технической сущности является способ формирования толстых полимерных слоев методом нанесения нескольких тонких слоев раствора на горизонтально расположенную поверхность (см. RU2144472, опубл. 20.01.2000) (2). В данном методе для получения толстопленочного слоя желаемой толщины центрифугированием за один раз наносят слой, имеющий заданную толщину, и затем подвергают его сушке и термообработке. Затем на основном тонкопленочном слое, неоднократно выполняя вышеописанную операцию формируют толстопленочный слой, состоящий из нескольких тонкопленочных слоев.

Недостатком метода (2) является образующаяся граница раздела с соответствующими граничными поверхностями двух тонкопленочных слоев. Также, недостатком данного метода является необходимость проведения сушки и термообработки после нанесения каждого тонкопленочного слоя.

Техническим результатом заявленного способа является формирование толстого полимерного слоя заданной толщины из раствора с одновременным улучшением качества поверхности формируемого толстого полимерного слоя и равномерности толстого полимерного слоя по площади поверхности.

Заявленный технический результат достигается за счет создания способа получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники, включающего подготовку поверхности нанесения, нанесение толстого покрытия, термообработку для удаления растворителя и летучих продуктов реакции, причём нанесение покрытия из раствора полимера проводят последовательно в два этапа: на первом этапе раствор полимера наносят центрифугированием, а на втором – постадийным ультразвуковым (УЗ) спеевым нанесением, причем на первом этапе применяют раствор полимера большей концентрации и вязкости, чем на втором.

Вышеуказанные цели и преимущества настоящего способа станут более очевидными при описании со ссылками на сопроводительные изображения и схемы, на которых:

фигура 1 – полимерный слой, сформированный комбинированным 2-х стадийным методом в разрезе;

фигура 2 – схематичное изображение движения сопла со спреевым конусом относительно подложки (вид сбоку), где 1 – спреевый конус, 2 – сопло, 3 – направление движения сопла со спреевым конусом;

фигура 3 – схематичное изображение траектории движения сопла со спреевым конусом относительно подложки (вид сверху), где 1 – вращающаяся с заданной скоростью подложка, 2 – конус спрея, 3- сопло установки УЗ-спреевого нанесения, 4 – направление движения сопла относительно подложки, 5 – направление вращения подложки;

фигура 4 – схематично изображенная последовательность технологических операций, отражающая сущность изобретения;

фигура 5 – слой полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84) без различимой границы раздела, сформированный комбинированным методом, описанным ранее;

фигура 6 – слой полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84) с различимой границей раздела, сформированный послойным нанесением;

фигура 7 – изображение эффекта расслоения по границы раздела слоев полимера;

фигура 8 – Изображение поверхности слоя полимера, сформированного комбинированным методом, описанным ранее без промежуточной термообработки, расчетная толщина слоя составляет 100 мкм;

фигура 9 – Изображение спреевого конуса в процессе работы установки УЗ-спреевого нанесения.

Способ получения диэлектрического слоя (межслойной изоляции) определенной толщины в изделиях микроэлектроники на основе полимерного покрытия осуществляется следующим образом. Комбинированный метод получения толстого полимерного слоя представляется собой 2-х стадийную последовательность операций нанесения полимерных покрытий из растворов различной концентрации и вязкости методами центрифугирования и УЗ-спреевого нанесения. На примере лака АД-9103 ИС, для метода центрифугирования содержание сухого остатка в растворе составляет 12,5-14 %, а для метода УЗ-спреевого нанесения производят разбавление изначального раствора (12,5-14% сух. остатка) в пропорции 1:3 или 1:4 для получения приемлемой (для установки нанесения) вязкости раствора.

Общая толщина слоя полимерного покрытия Hсл рассчитывается по формуле:

, где

Толщина слоя H1, полученного центрифугированием:

где v – вязкость раствора, b – коэффициент, величина которого приблизительно равна 2, w – частота вращения, t* – время растекания (составляет приблизительно несколько секунд);

Толщина слоя H2, полученного методом УЗ-спреевого нанесения:

где K – коэффициент (от 0 до 1), характеризует количественную характеристику общего объема раствора попадающего на подложку, c – концентрация раствора в %, V – объем раствора в мм3, S – площадь подложки в мм2.

На подготовленную неподвижную подложку, установленную на держатель в центрифуге, в центр из дозатора наносится исходный раствор, вязкостью не более 52000 сПз и методом центрифугирования при скорости вращения необходимой для полного и равномерного распределения по поверхности (для полиимидов с содержанием сухого остатка 12,5-14% скорость вращения 500-1000 об/мин) с получается покрытие толщиной H1, затем методом УЗ-спреевого нанесения на вращающуюся со скоростью 1-5 об/мин подложку наносится выравнивающий слой полимера, вязкостью не более 50 сП и толщиной 5-10 мкм и предварительно проходит мягкую сушку в свете ИК-лампы при температуре, не превышающей 40°C. Дальнейшее наращивание слоя H2, проходит циклами нанесения по 8-12 мкм УЗ-спреевым методом нанесения и мягкой сушки в свете ИК-лампы. При формировании полимерного слоя из всех материалов, кроме светочувствительных, проводят подогрев подложки и мягкую сушку в свете инфракрасной лампы. Коэффициент К, характеризующий количественную характеристику общего объема раствора, попадающего на подложку, обусловлен образованием спреевого конуса, который движется в процессе нанесения вместе с соплом от начальной точки к конечной, находящихся в области краев подложки.

Регулирование площади основания спреевого конуса возможно путем изменения скорости потока газа, проходящего через сопло. Коэффициент К зависит от начальной и конечной точки нанесения материала, а также от площади основания конуса спрея. Варьирование размера капли, попадающей на подложку из сопла, и стабильность спреевого конуса достигается изменением мощности ультразвука. Для формирования диэлектрических слоев, толщиной более 50 мкм используется циклы нанесения 25-35 мкм с последующей конвективной сушкой. Полная полимеризация покрытия проводится после всех циклов нанесения и является последним звеном в цикле термообработки.

Примером использования предлагаемого способа может служить формирование толстого полимерного слоя на основе полиимида на подложке из кремния или нитрида алюминия.

В центр специально подготовленной подложки (методика подготовки поверхности подложки не уточняется ввиду того, что полимерные слои могут быть нанесены на разные поверхности, например, как промежуточные диэлектрические слои или как слой диэлектрика непосредственно на подложке), установленную в держатель центрифуги из дозатора подается 5 мл материала (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84, содержание сухого остатка в растворе составляет 12,5-14%) и вращается в течении 1 минуты при скорости 1000 об/мин. После остановки центрифуги сразу делается 1 проход спреевого нанесения и сушка в свете ИК-лампы 30 минут. Далее делается необходимое количество проходов (повторений) спреевого нанесения для достижения необходимой толщины слоя полимера. В данном случае, для полиимида толщиной более 50 мкм, необходимо использовать промежуточную термообработку в термошкафу со ступенчатым нагревом.

Далее процесс формирования слоя полнее описан со ссылкой на сопроводительные изображения (фигуры).

На фиг. 1 изображен нанесенный 2-х стадийным методом полимерный слой толщиной Hсл. Формирование слоя происходит последовательно, а именно на подготовленную неподвижную подложку (функциональное или технологическое жесткое основание) со сформированной структурой или без нее, в центр, дозируется раствор, вязкость которого не превышает 52000 сП, далее методом центрифугирования создается слой 1 стадии толщиной H1. Толщина слоя H1 рассчитывается по формуле, описанной ранее. Затем на вращающуюся подложку с сформированным слоем ультразвуковым (УЗ)-спреевым методом из раствора вязкостью не более 50 сП наносится слой стадии 2, толщиной H2. Суммарная толщина диэлектрического слоя составляет

.

На фиг. 2 схематично изображено движение сопла установки УЗ-спреевого нанесения (2) с образовавшимся спреевым конусом (1) относительно подложки, с уже сформированным методом центрифугирования слоем 1 стадии, в указанном направлении (3) при виде сбоку. Сопло начинает и заканчивает движение и нанесение вне зоны подложки, что имеет влияние на значения коэффициента К в формуле расчета толщины слоя 2 стадии. Ширина конуса спрея зависит от скорости потока газа, проходящего через сопло. При увеличении скорости потока газа, проходящего через сопло, площадь основания конуса спрея увеличивается, тем самым так же влияя на общее количество материала, попадающее на поверхность подложки и, как следствие, влияя на коэффициент К. На стабильность конуса спрея основное влияние производит мощность источника ультразвука. В зависимости от вязкости наносимого материала при неправильной мощности источника ультразвука в процессе могут возникать такие явления, как образование крупных капель или образование «вспененых» включений, приводящих к дефектам на поверхности и структуре слоя 2 стадии. Для получения качественного слоя необходим оптимальных подбор характеристик системы давление подачи-скорость потока газа-мощность ультразвука для наносимого материала определенной вязкости.

На фиг. 3 схематично изображено движение сопла установки УЗ-спреевого нанесения (3) с образовавшимся спреевым конусом (2) относительно подложки (1), вращающейся в определенном направлении (5) со скоростью 1-10 об/мин с уже сформированным методом центрифугирования слоем 1 стадии, в указанном направлении (4) при виде сверху. Скорость вращения подложки выбирается такой, чтобы распределения материала по поверхности было равномерным и при этом не образовывалось скопления материала на краю пластины. Далее вращение подложки сохраняется при сушке в свете инфракрасной (ИК)-лампы необходимое время. Необходимо учитывать то, что при нанесении материала на подложку не круглой формы значение коэффициента К будет тем ниже, чем меньше площадь фигуры относительно площади описываемой окружности для этой фигуры.

На фиг. 4 изображена последовательность основных операций технологического процесса, отражающая сущность способа формирования толстого полимерного покрытия. В зависимости материала подложки, материала и состояния ее поверхности, проводят подготовку поверхности под нанесение полимера, как пример обработка кремниевой пластины с сформированной проводящей структурой в диметилформамиде и нанесение промоутера адгезии на поверхность перед формированием слоя полиимида. Время между операцией подготовки поверхности и формированием слоя не должно превышать 30 минут, в противном случае операцию подготовки поверхности необходимо повторить. Далее производится дозирование и центрифугирование из раствора, описанное для фиг. 1. Затем в течении 1 минуты, до начала активного выхода растворителя из сформированного слоя 1 стадии производится формирование слоя УЗ-спреевым нанесением, описанное для фиг. 2 и фиг. 3. Получение необходимой толщины слоя полимера достигается изменением количества проходов спрея. За один проход формируется слой до 15 мкм. Между проходами и после последнего используется мягкое подсушивание в свете ИК-лампы с температурой нагрева поверхности не более 40оС. Далее проводится термообработка подложки с нанесенным толстым слоем полимера. Необходимо учитывать то, что для полиимидов, для получения толстых слоев (толщина боле 50-60 мкм) с равномерной и гладкой поверхностью, нужно проводить промежуточную термообработку без имидизации.

На фиг. 5 показано изображение слоя полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84), полученное с помощью растрового электронного микроскопа, сформированного комбинированным методом, описанным ранее. На изображении видно, что слой полимера, находящийся на кремниевой подложке не имеет границы раздела. Слой полимера толщиной приблизительно 29 мкм сформирован комбинированным методом в две стадии, где первая стадия – нанесение центрифугированием при скорости вращения 1000 об/мин продолжительностью 90 секунд, а вторая стадия – УЗ-спреевое нанесение полимера при вращении 1 об/мин и свете ИК-лампы.

На фиг. 6 показано изображение слоя полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84), полученное с помощью растрового электронного микроскопа, сформированного послойным нанесением. В данном случае нанесение материала производилось послойным методом с помощью центрифугирования при скорости вращения 1000 об/мин в течение 1 минуты. Между нанесениями слой подвергается сушке и термообработке. На изображении видно, что есть четкая границы между первым и вторым слоем полимера.

На фиг. 7 показано изображение произошедшего расслоения, полученное с помощью растрового электронного микроскопа. Данный слой полимера получен методом послойного нанесения, описанным для фиг. 6. Общая толщина слоя полимера составляет приблизительно 72 мкм. На изображении видно, что расслоение происходит по границе между слоями.

На фиг. 8 представлено изображение поверхности слоя полимера, нанесенного на кремниевую подложку. Полимерный слой сформирован комбинированным методом, но без промежуточной термообработки, необходимость которой также указывалась ранее в случае, если расчетная толщина полимерного слоя превышает 60 мкм. В данном случае расчетная толщина слоя составляет 100 мкм. Слой полимера с расчетной толщиной 100 мкм сформирован комбинированным методом в две стадии, где первая стадия – нанесение центрифугированием при скорости вращения 1000 об/мин продолжительностью 90 секунд, а вторая стадия – многопроходное УЗ-спреевое нанесение полимера при вращении 1 об/мин и свете ИК-лампы. В процессе сушки, растворитель из раствора, нанесенного на поверхность, выходит слишком быстро, создавая поверхность полимерного слоя, показанную на изображении.

На фиг. 9 показано изображение спреевого конуса в процессе работы установки УЗ-спреевого нанесения. В данном случае через сопло подается раствор полимера на основе Лака АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84.


Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 99.
26.08.2017
№217.015.d429

Станция (система) приёма и обработки информации от среднеорбитального сегмента космической системы поиска и спасания и способ управления наведением антенн этой станции

Изобретение относится к технике связи и может использоваться в системах космической связи. Технический результат состоит в повышении надежности связи и точности определения координат радиобуев. Для этого станция приёма информации от аварийных радиобуев космической системы поиска и спасания...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622390
Дата охранного документа: 15.06.2017
26.08.2017
№217.015.d85b

Способ информационного обеспечения запусков космических аппаратов ракетами космического назначения и наземный автоматизированный комплекс управления космическими аппаратами научного и социально-экономического назначения и измерений, предусматривающий использование способа

Изобретение относится к области космонавтики, в частности к комплексам средств измерений, сбора и обработки информации (КСИСО) от ракет-носителей (РН) и наземным измерительным комплексам (НИК) разгонных блоков (РБ). Во время информационного обеспечения запусков космических аппаратов ракетами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622514
Дата охранного документа: 16.06.2017
26.08.2017
№217.015.d8a3

Мобильный измерительный пункт комплекса средств измерений, сбора и обработки информации от ракет-носителей и/или наземного измерительного комплекса разгонных блоков

Изобретение относится к космической технике. Мобильный измерительный пункт включает центральный пост управления, комплекс обработки информации, радиотелеметрический комплекс, периферийную земную станцию спутниковой связи, антенную систему, средства локальной вычислительной сети, средства...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622508
Дата охранного документа: 16.06.2017
26.08.2017
№217.015.d9f0

Датчик электростатического поля

Предлагаемое изобретение относится к области измерительной техники, а именно к средствам измерения напряженности электростатических полей, в том числе и в условиях космического пространства. Датчик электростатического поля содержит вибрационный модулятор, состоящий из катушки индуктивности,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623690
Дата охранного документа: 28.06.2017
26.08.2017
№217.015.daab

Цифровое устройство предыскажения радиосигналов четными гармониками

Изобретение относится к области радиопередающих устройств и может быть использовано в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов. Технический результат заключается в уменьшении величины интермодуляционных искажений третьего и пятого порядка сигналов радиопередающих устройств. Устройство...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623807
Дата охранного документа: 29.06.2017
26.08.2017
№217.015.de3a

Способ определения взаимного положения объектов по сигналам глобальных навигационных спутниковых систем

Изобретение относится к области дифференциальных навигационных систем и применимо для высокоточной навигации, геодезии, ориентации объектов в пространстве по сигналам глобальных навигационных спутниковых систем (ГНСС – ГЛОНАСС, GPS, Galileo, Bei Dou и другие), в которых осуществляется измерение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624268
Дата охранного документа: 03.07.2017
26.08.2017
№217.015.dfdc

Система и способ контроля удалённого оборудования

Изобретение относится к вычислительной техники. Система контроля удалённого оборудования состоит из удалённых объектов управления с контроллером, средств интерфейса объектов управления и средств контроля. В состав объектов управления входят удалённая база данных, сервер управления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625209
Дата охранного документа: 12.07.2017
19.01.2018
№218.016.01b8

Способ получения и обработки изображений дистанционного зондирования земли, искажённых турбулентной атмосферой

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа получения и обработки изображений дистанционного зондирования Земли (ДЗЗ), искажённых турбулентной атмосферой. Способ включает в себя получение в широком поле зрения одного спектрально фильтруемого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629925
Дата охранного документа: 04.09.2017
19.01.2018
№218.016.01e6

Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении 3D-устройств микросистемной техники и полупроводниковых приборов, содержащих в своей структуре металлизированные и/или неметаллизированные сквозные отверстия в кремнии различного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629926
Дата охранного документа: 04.09.2017
20.01.2018
№218.016.1005

Способ обработки термовидеоинформации и решающее устройство для определения температуры объекта при осуществлении способа

Изобретение относится к области тепловизионной техники и касается способа обработки термовидеоинформации. Способ включает в себя видеозапись теплового излучения исследуемого объекта, транспонирование полученного видеоизображения в видимый диапазон и генерацию видеосигнала, в котором разной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633645
Дата охранного документа: 16.10.2017
Показаны записи 11-20 из 41.
20.07.2014
№216.012.de4c

Способ изготовления метаматериала (варианты)

Группа изобретений относится к области микроэлектроники - технологии изготовления слоистых изделий - и может быть использована при создании электродинамических и/или антенных устройств, содержащих в своей структуре слоистый материал со специфическими электрическими свойствами и обеспечивающих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522694
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.df04

Микромеханическая система

Изобретение относится к микросистемной технике для создания электростатически управляемых микромеханических резонаторов для датчикопреобразующей аппаратуры и микрореле для коммутации СВЧ и НЧ аналоговых электрических цепей. Система содержит микромеханический исполнительный элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522878
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.08.2014
№216.012.e9b1

Солнечная батарея для малоразмерных космических аппаратов и способ ее изготовления

Изобретение относится к электротехнике, в частности к устройствам для генерирования электрической энергии путем преобразования светового излучения в электрическую энергию, и может быть использовано при создании и производстве малоразмерных космических аппаратов с солнечными батареями (СБ)....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525633
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.07.2015
№216.013.5f1e

Микроструктурная многослойная экранно-вакуумная изоляция космических аппаратов

Изобретение относится к многослойной экранно-вакуумной изоляции (ЭВИ) с микроструктурными элементами для космических аппаратов (КА). Каждый слой ЭВИ выполнен в виде подложки, на которой закреплены теплоотражающие элементы в виде массива прямоугольных микропластин. Каждая микропластина...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555891
Дата охранного документа: 10.07.2015
27.10.2015
№216.013.8823

Микросистемный космический робот-инспектор (варианты)

Изобретение относится к области микроробототехники, в которой основными подвижными элементами конструкции являются устройства микросистемной техники, выполненные по технологиям микрообработки кремния. Робот-инспектор может быть использован при создании систем, предназначенных для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002566454
Дата охранного документа: 27.10.2015
10.06.2016
№216.015.4566

Способ фотолитографии

Изобретение относится к электронной технике, в частности к процессам формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием электрохимического осаждения и взрывной литографии. Способ фотолитографии включает формирование первого слоя позитивного фоторезиста путем, по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586400
Дата охранного документа: 10.06.2016
13.01.2017
№217.015.7526

Микросистемный захват

Изобретение относится к микросистемной технике, в частности к микроробототехнике, и может быть использовано в исполнительных устройствах роботов при манипулировании микрообъектами сложных конфигураций и сыпучих материалов, например, в космической технике, для забора проб грунта планет, комет и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002598416
Дата охранного документа: 27.09.2016
25.08.2017
№217.015.d24c

Двунаправленный тепловой микромеханический актюатор и способ его изготовления

Использование: для изготовления микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы. Сущность изобретения заключается в том, что микромеханический актюатор выполнен в виде сформированной в меза-структуре упруго-шарнирной консольной балки, состоящей из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621612
Дата охранного документа: 06.06.2017
26.08.2017
№217.015.d38f

Кремниево-полиимидное гибкое сочленение для микросистем

Использование: для создания систем, обеспечивающих микроперемещения. Сущность изобретения заключается в том, что кремниево-полиимидное гибкое сочленение для микросистем содержит соединяемые полиимидной вставкой кремниевые элементы, при этом в кремниевых элементах выполнены отверстия,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621465
Дата охранного документа: 06.06.2017
26.08.2017
№217.015.e736

Способ измерения электрических параметров и характеристик без демонтажа объекта исследования, а также устройства для его реализации

Изобретения могут использоваться в электронной, космической, авиационной, военной и других отраслях промышленности. Способ измерения электрических параметров или характеристик объекта исследования, установленного в электронном устройстве или блоке без демонтажа объекта исследования с печатной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627281
Дата охранного документа: 04.08.2017
+ добавить свой РИД