×
24.05.2019
219.017.5dfe

Способ изготовления полупроводникового прибора

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002688866
Дата охранного документа
22.05.2019
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления п+ скрытых слоев. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентации (111) формировали п+ скрытый слой имплантацией ионов мышьяка с энергией 150 кэВ, дозой (2-4) 10 см при температуре подложки 500-600°С, с последующей разгонкой при температуре 1200°С в атмосфере смеси 50% кислорода О/50% азота N и термическим отжигом при температуре 1000°С в течение 20 мин в атмосфере водорода. В последующем формировали активные области транзистора и контакты по стандартной технологии. Техническим результатом изобретения является повышение значений коэффициента усиления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления п+ скрытых слоев.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 2148847 Япония, МКИ H01L 21/331] путем формирования на подложке р-типа скрытого п+ слоя и эпитаксиального слоя п- типа. В последнем создают полевой оксид и маску, защищающую область формирования активной базы. Через нее эпитаксиальный слой травят, защищают стенки нитридом кремния и осаждают на пластину поликремний, легированный донорной примесью. Из последнего формируют коллекторный электрод с контактной площадкой расположенной на полевом оксиде. Поверхность поликремния окисляют и осаждают на структуру второй слой поликремния, легированный акцепторной примесью. Из него формируют базовый электрод. Затем формируют области активной базы и эмиттера.

Из-за не технологичности процессов осаждения поликремния при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США5110749, МКИ H01L 21/265] путем формирования скрытых слоев для п-р-п и р-п-р биполярных транзисторов, входящих в состав биполярных ИС. В р-кремниевой подложке имплантацией ионов сурьмы формируют чередующиеся п+ карманы, покрытые термическим оксидом. Имплантацией ионов бора промежутки между п+ карманами заполняются р-областями. Затем проводится имплантация ионов фосфора с энергией 2 МэВ с образованием под р-областями скрытых п- слоев изолирующих р-области от подложки. Далее наращивается эпитаксиальный п- слой и формируется структура биполярного транзистора.

Недостатками этого способа являются: низкие значения коэффициента усиления; повышенные значения тока утечки; низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: повышение значений коэффициента усиления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием скрытого п+ слоя имплантацией ионов мышьяка с энергией 150 кэВ, дозой (2-4) 1012 см-2 при температуре подложки 500-600°С, с последующей разгонкой при температуре 1200°С в атмосфере смеси 50% кислорода О2/50% азота N2 и термическим отжигом при температуре 1000°С в течении 20 мин в атмосфере водорода.

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом* см, ориентации (111) формировали п+ скрытый слой имплантацией ионов мышьяка с энергией 150 кэВ, дозой (2-4) 1012 см-2 при температуре подложки 500-600°С, с последующей разгонкой при температуре 1200°С в атмосфере смеси 50% кислорода О2/50% азота N2 и термическим отжигом при температуре 1000°С в течении 20 мин в атмосфере водорода. В последующем формировали активные области транзистора и контакты по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 16,7%.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования скрытого п+ слоя имплантацией ионов мышьяка с энергией 150 кэВ, дозой (2-4) 1012 см-2 при температуре подложки 500-600°С с последующей разгонкой при температуре 1200°С в атмосфере смеси 50% кислорода О2/50% азота N2 и термическим отжигом при температуре 1000°С в течении 20 мин в атмосфере водорода, позволяет, повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Технический результат: повышение значений коэффициента усиления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий кремниевую подложку, процессы имплантации и отжига, наращивание эпитаксиального слоя, формирование активных областей, создание контактов и скрытых слоев, отличающийся тем, что скрытый п+ слой формируют имплантацией ионов мышьяка с энергией 150 кэВ, дозой (2-4) 10 см при температуре подложки 500-600°С с последующей разгонкой при температуре 1200°С в атмосфере смеси 50% кислорода О/50% азота N и термическим отжигом при температуре 1000°С в течение 20 мин в атмосфере водорода.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 87.
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.20a1

Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью. Изобретение обеспечивает повышение диэлектрической прочности диоксида кремния,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539801
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.05.2015
№216.013.4a87

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора. Изобретение обеспечивает снижение значений плотности дефектов, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550586
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
+ добавить свой РИД