×
19.04.2019
219.017.1ce7

Способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Использование: для изготовления воздушных мостиков. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем содержит стадии нанесения и формирования фоторезиста для формирования поддерживающего слоя, нанесения и формирования второго слоя фоторезиста для формирования области перемычки воздушного мостика, нанесения слоя металла мостика, удаления обоих слоев фоторезиста, далее методом фотолитографии из пленки металла (TiAuPd, Cu и др.) на подложке формируют контактные площадки и соединительные проводники, методом фотолитографии из фоторезиста формируется поддерживающий слой полимера в области будущего просвета мостика, нагревом полоски поддерживающего резиста выше температуры растекания достигают формирования профиля поддерживающего слоя куполообразной формы, наносят следующий слой фоторезиста и формируют открытые области для металлизации будущего мостика, напыляют пленку мостика из подходящего материала, совместимого с материалом разводки, например TiAuPd, который отличается хорошей адгезией, высокой электропроводностью и достаточной жесткостью, помещают подложку в ремувер для быстрого удаления металла поверх резиста методом взрыва (lift-off), а также медленного растворения поддерживающего слоя под мостиком. Технический результат: обеспечение возможности повышения воспроизводимости, снижения трудоемкости и времени изготовления перемычек в виде воздушных мостиков, уменьшения сопротивления, индуктивности и емкости таких перемычек, уменьшения количества технологических операций. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области тонкопленочной СВЧ микроэлектроники. Тонкопленочные соединения в виде воздушных мостов находят широкое применение в технологии создания интегральных СВЧ схем, поскольку позволяют выполнять соединения проводящих линий без внесения значительных дополнительных паразитных емкостей и паразитных резонансов с пересекаемыми проводниками. Использование нитридных или оксидных изоляторов неприемлемо по причине большой емкости и потерь в таких тонкопленочных изоляторах. К числу областей применения таких мостов относятся копланарные линии передачи, в которых необходимо выравнивать потенциалы внешних широких проводников с двух сторон от центральной линии, планарные спиральные трансформаторы, межслойные соединения в многослойных гибридных интегральных схемах.

Известен альтернативный способ-аналог: изготовление воздушного мостика методом ультразвуковой сварки тонкой золотой или алюминиевой проволокой. В результате получается сильно выступающая перемычка из тонкой (30-70 мкм) золотой или алюминиевой проволоки длиной до 1 мм, которая имеет индуктивность в единицы нано Генри и импеданс до 40 Ом на частоте 6 ГГц, что делает такое шунтирование не эффективным. Для уменьшения сопротивления и индуктивности перемычки выполняют несколько таких мостиков. Недостатки способа: операция делается в ручном режиме и отличается трудоемкостью и невысокой надежностью.

Известен способ-прототип предлагаемого метода, изложенный в патенте US 4857481 от 1989 года [1]. Метод предназначен для создания межэлектродных соединений в арсенид-галлиевых устройствах и заключается в использовании двух слоев фоторезиста с различными скоростями растворения, что позволяет удалить один слой без удаления второго, за счет чего нижележащая структура оказывается защищенной от травления металлической пленки земляного электрода в агрессивных и ядовитых растворах типа плавиковой кислоты и цианида калия. Согласно формуле этого изобретения:

на полупроводниковой подложке формируется рабочая структура,

наносят первый слой фоторезиста,

экспонируют, проявляют,

наносят пленку земляной шины,

наносят второй слой фоторезиста, отличающийся от первого скоростью растворения,

экспонируют и проявляют, электролизом наносят слой перемычек,

в стандартном проявителе удаляют второй слой фоторезиста без растворения первого,

металлический слой земляного электрода удаляют химическим травлением без травления ниже лежащей полупроводниковой структуры, которая защищена первым фоторезистом,

удаляют слой первого фоторезиста. Недостатком метода является необходимость применения нестандартных фоторезистов с разными скоростями растворения, применение дополнительной операции гальванического покрытия, применение агрессивных растворов типа плавиковой кислоты и цианида.

Известен способ-аналог [2] изготовления металлических тонкопленочных перемычек в виде воздушных мостов, описанный в патенте US 4920639 от 1990 года, в котором верхний слой перемычек опирается на металлические тонкопленочные столбики, сформированные на первом этапе фотолитографии. Столбики формируются гальванопластикой. Поверх наностися слой тонкопленочной перемычки, после чего поддерживающий слой резиста удаляется. Недостатком способа является необходимость применения дополнительной операции гальванопластики.

Известен способ-аналог [3] изготовления металлических тонкопленочных перемычек в виде воздушных мостов, описанный в патенте US 5148260 от 1992 года, отличающийся тем, что для придания мостику большей механической прочности он выполняется двуслойным, первый слой из вольфрама или молибдена обеспечивает прочность, а второй из золота, алюминия или меди обеспечивает высокую электропроводность. Недостатком метода является необходимость напыления разнородных пленок металлов, один из которых имеет низкую электропроводность.

Известен способ-аналог [4] изготовления металлических тонкопленочных перемычек в виде воздушных мостов, описанный в патенте US 5171713 от 1992 года, отличающийся тем, что для планаризации многослойной структуры применяется нанесение пленки полиимида толщиной приблизительно 2.5 микрона в качестве прослойки мостика, которая затем может быть удалена. Недостатком метода является необходимость дополнительной операции нанесения толстого слоя полиимида, что не всегда технологически совместимо с процессом изготовления всего устройства.

Известен способ-аналог [5] изготовления металлических тонкопленочных перемычек в виде воздушных мостов, описанный в патенте US 5891797 от 1999 года, отличающийся тем, что позволяет формировать мостики размером до 1 см за счет наличия промежуточных поддерживающих стоек. Недостатком метода является дополнительная сложная операция формирования промежуточных поддерживающих стоек.

Известен способ-аналог [6] изготовления металлических тонкопленочных перемычек в виде воздушных мостов, описанный в патенте US 6218911 И1 от 2001 года, отличающийся тем, что переключающий висячий мостик выполняется в одном слое металлизации, высота мостика 0.3-2 мкм определяется толщиной фоторезиста, который скругляется путем нагрева до 200 С. Толщина алюминиевого мостика может достигать 2 мкм. Поддерживающий слой удаляется в плазме кислорода. Недостатком метода является необходимость нанесения толстого 2 мкм слоя алюминия, что плохо совместимо со стандартными методами нанесения тонких пленок и потребует времени напыления несколько часов.

Известен способ-аналог [7] изготовления металлических тонкопленочных перемычек в виде воздушных мостов, описанный в патенте US 6476704 И2 от 2002 года, отличающийся тем, что мостики использованы для формирования планарного многовиткового многослойного спирального трансформатора с использованием в качестве изолятора воздуха, а также нитрида кремния или полиимида для формирования пьедестала и поддерживающих элементов. Нижний проводник выполняется толщиной около микрона, верхний толщиной 3 мкм, они поддерживаются пьедесталами между витками высотой около микрона. Недостатком метода опять является необходимость напыления двух очень толстых пленок более микрона.

Известен способ-аналог [8] изготовления металлических тонкопленочных перемычек в виде воздушных мостов, описанный в патенте US7037744 И2 от 2006 года, отличающийся тем, что для поддержки воздушных мостиков используется структура, выполненная в виде микроперфорации в поддерживающем слое, перфорация заполняется металлом и планаризуется, а поддерживающий слой затем удаляется. Недостатком метода является наличие дополнительной трудоемкой и сложной операции планаризации.

Известны также из литературы примеры изготовления алюминиевых воздушных мостов для диапазона 4-8 ГГц, например [9, 10]. Длина таких мостов составляла 300-500 мкм, высота до 15 мкм, толщина самого мостика 2 мкм требует применения для обратной литографии очень толстого 32 мкм резиста SU8, что является существенным недостатком. Для устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн не требуется таких больших размеров мостиков, и процесс изготовления может быть существенно упрощен. Для устранения естественного оксидного слоя на поверхности нижнего алюминия в этом процессе также требуется ионное травление в том же вакуумном цикле, что дополнительно усложняет процесс изготовления.

Целью предлагаемого изобретения является: упрощение технологии и повышение воспроизводимости устройств с воздушными тонкопленочными микромостиками, формирование таких мостиков произвольной формы, снятие ограничения на форму и площадь мостиков, снижение сопротивления и индуктивности мостиков, снятие ограничения на применение одного металла в качестве материала мостика, применение стандартных операций фотолитографии и нанесения тонких пленок без использования гальванизации и применения агрессивных химикатов.

Сущность изобретения поясняется фигурами: Фиг. 1, где изображена подложка (1), пленки проводников копланарной линии (2) и воздушный мостик (3), замыкающий общий электрод с двух сторон от центрального проводника. На Фиг. 2 приведено изображение в электронном микроскопе такого мостика, изготовленного по п. 1 формулы изобретения.

Поставленные цели достигаются тем, что: для изготовления перемычек в виде тонкопленочных воздушных мостиков по п. 1 формулы изобретения, представляющих собой полоску пленки металла, присоединенную с двух сторон к различным электродам на подложке и имеющих зазор между пленкой мостика и подложкой в средней части, выполняют следующую последовательность операций:

1. Наносят позитивный фоторезист S1813, экспонируют, проявляют

2. Наносят пленки металла (TiAuPd, Cu, Al и др.) и взрывают фоторезист под пленкой, в результате чего на подложке остаются контактные площадки и соединительные проводники.

3. Методом фотолитографии из позитивного фоторезиста (например, S1813) или негативного (обращенного AZ5214) формируется поддерживающий слой полимера в области будущего просвета мостика.

4. Нагревом полоски резиста по п. 3 при температуре 150°С и выше в течение 5 минут достигают формирования профиля поддерживающего слоя куполообразной формы и его дополнительное задубливание.

5. Наносят следующий слой фоторезиста (позитивного 81813или негативного AZ5214) и формируют открытые области для металлизации будущего мостика

6. Напыляют пленку мостика из подходящего материала, совместимого с материалом разводки, например TiAuPd, отличающегося хорошей адгезией, высокой электропроводностью и достаточной жесткостью.

7. Помещают подложку в ремувер типа диметилформамид или S1165 для взрывного (lift-off) удаления металла поверх резиста, а также медленного растворения задубленного по п. 4 поддерживающего слоя под мостиком.

Второй способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем по п. 4 формулы изобретения, представляющих собой полоску пленки металла, присоединенную с двух сторон к различным электродам на подложке и имеющие зазор между пленкой мостика и подложкой в средней части, заключающийся в выполнении последовательности операций 1-5 как в п. 1, затем напылении пленки алюминия, нанесении резиста, экспозиции, проявлении и химическом стравливании пленки алюминия в том же щелочном проявителе (например, MF24) в открытых областях. Последним этапом происходит удаление резиста от последней литографии и поддерживающей пленки резиста путем растворения ремувере типа диметилформамид или S1165, либо выжиганием в плазме кислорода.

Новым по сравнению с прототипом является применение стандартных позитивных и негативных фоторезистов без требования различия скорости растворения в проявителе. Не требуется применять дополнительный процесс электролитического нанесения материала мостика. Не требуется применять специальный агрессивный состав (плавиковой кислоты и цианида) для селективного травления слоя земляного электрода. Не требуется проводить ионное травление пленки нижнего электрода.

Физический механизм достижения целей изобретения заключается в использовании процесса обратной (взрывной) литографии вместо двухэтапного химического травления, использования эффекта растворения фоторезиста в стандартном щелочном проявителе, либо в ремувере под сводом мостика, существенным признаком является отсутствие необходимости выполнения условия, что толщина мостика больше толщины нижней пленки электрических проводников. В способе-прототипе требуется дополнительное электролитическое осаждение материала мостика, тогда как в предложенном варианте используются стандартные технологичные процессы магнетронного или термического напыления и стандартные химреактивы для обработка стандартных фоторезистов.

У авторов изобретения имеется положительный опыт изготовления описанных структур по п. 1 и п. 4 формулы изобретения. Были изготовлены мостики по п. 1. и п. 4 из TiAuPd и алюминия (см. Фиг. 2) длиной 10 мкм, шириной от 1 до 10 мкм, толщиной 100 нм. Куполообразный профиль поддерживающего слоя резиста S1813 под мостиком формировался путем нагрева до температуры растекания 150°С.

Технический результат предлагаемого решения состоит в достижении поставленных целей: повышении воспроизводимости, снижении трудоемкости и времени изготовления перемычек в виде воздушных мостиков, уменьшении сопротивления, индуктивности и емкости таких перемычек, уменьшении количества технологических операций и применение стандартных методов и материалов тонкопленочной микроэлектроники.

Предлагаемые воздушные мостики предназначены для использования в копланарных линиях передачи. Их необходимость объясняется особенностями распространения волны в таких линиях. В копланарной линии передачи существуют две основные моды распространения, это квази-ТЕМ мода (нечетная или копланарная), для которой поля в двух щелях ориентированы в противофазе, и не-ТЕМ мода (четная или щелевая), для которой поля в щелях находятся в фазе. Копланарная мода является предпочтительной, поскольку имеет низкие потери на излучение. Устранение нежелательной щелевой моды достигается симметрией конструкции и использованием воздушных мостиков для соединения широких проводников земляной шины. Емкость стандартного воздушного моста высотой более 0.1 мкм и площадью от 4 до 20 мкм2 находится в пределах 0.02-0.05 фФ, тогда как погонная емкость копланарной 50 Ом линии составляет около 25 фФ. Таким образом, такой воздушный мостик практически не вносит искажений в распространение копланарной моды на частотах менее 100 ГГц.

Сущность изобретения заключается в технологии формирования тонкопленочной перемычки куполообразной формы, повторяющей в сечении профиль поддерживающего (жертвенного, sacrificial) слоя фоторезиста, который затем удаляется.

Формирование воздушного мостика поверх такой линии в значительной степени определяется тем или иным методом формирования и последующего удаления поддерживающего слоя. Возможны разные варианты технологии, в зависимости от материала мостика, типа применяемого фоторезиста, позитивного или негативного, и метода формирования собственно мостика: либо методом взрыва, либо химическим травлением.

После формирования поддерживающей прослойки выполняют еще одну фотолитографию, экспозицию, проявление, нанесение металлической пленки и ее взрыв (по п. 1 формулы изобретения). В результате поверх поддерживающей прослойки оказывается нанесена пленка мостика, которая имеет электрический контакт с двух сторон. Поддерживающий слой удаляется в ремувере (диметилформамид) одновременно с пленкой металла поверх резиста, либо посредством выжигания в плазме кислорода.

Возможна и другая технология формирования мостика, когда напыление алюминия производится на всю поверхность подложки, затем наносят фоторезист, экспонируют, проявляют и стравливают алюминий в растворе щелочи в открытых областях без резиста.

Достигнутые преимущества предложенной технологии позволяют: упростить изготовление воздушных мостиков, использовать стандартную технологию фотолитографии и стандартные термические и магнетронные методы нанесения тонких пленок, формировать мостики длиной вдоль копланарной линии более 10 мкм, снизить паразитную вносимую мостиком емкость ниже 0.05 фФ, снизить паразитное сопротивление мостика ниже 1 Ом, снизить индуктивность мостика ниже 1 пГн.

Литература

1. US Patent 4,857,481 Method of fabricating airbridge metal interconnects, assignee Motorola Inc., date Aug. 15, 1989

2. US Patent 4,920,639 Method of making a multilevel electrical airbridge interconnect, assignee Microelectronics and Computer Technol. Corp., date May 1, 1990.

3. US Patent 5,148,260 Semiconductor device having an improved air-bridge lead structure, assignee Kabushiki Kaisha Toshiba, date Sep.15, 1992.

4. US Patent 5,171,713 Process for forming planarized air-bridge interconnects on a semiconductor substrate, inventor J.A.Matthews, date Dec. 15, 1992.

5. US Patent 5,891,797 Method of forming a support structure for air bridge wiring of an integrated circuit, assignee Micron Technol. Inc., date Apr. 6, 1999.

6. US Patent 6,218,911 B1 Planar airbridge RF terminal MEMS switch, assignee TRW Inc., date Apr. 17, 2001.

7. US Patent 6,476,704 B2 MMIC airbridge balun transformer, assignee The Raytheon Comp., date Nov. 5, 2002.

8. US Patent 7,037,744 B2 Method for fabricating a self-aligned nanocolumnar airbridge and structure produced thereby, date May 2, 2006.

9. Mohammad Abuwasib, Philip Krantz, and Per Delsing. Fabrication of large dimension aluminum air-bridges for superconducting quantum circuits. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 31(3):031601, 2013.

10. Zijun Chen, Anthony Megrant, Julian Kelly, Rami Barends, Joerg Bochmann, Yu Chen, Ben Chiaro, Andrew Dunsworth, Evan Jeffrey, JY Mutus, et al. Fabrication and characterization of aluminum airbridges for superconducting microwave circuits. Applied Physics Letters, 104(5):052602, 2014


Способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем
Способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем
Способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 91.
10.06.2013
№216.012.46b2

Устройство для люминесцентной диагностики новообразований

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к аппаратуре медицинского и фотобиологического назначения, предназначено для осуществления процесса люминесцентной диагностики рака на основе использования ряда редкоземельных металлокомплексов порфиринов и направлено на повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483678
Дата охранного документа: 10.06.2013
20.06.2013
№216.012.4af0

Способ ранней электроэнцефалографической диагностики болезни паркинсона

Изобретение относится к медицине. Регистрируют электроэнцефалограмму (ЭЭГ) в фоновом режиме, вычисляют спектрограммы посредством вейвлет преобразования с материнской функцией Морле. Определяют частотные диапазоны ведущих ритмов ЭЭГ путем нахождения значений координат минимумов по частоте...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002484766
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.08.2013
№216.012.5e53

Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке

Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике. Предложен способ получения пористых слоев оксида алюминия на изолирующих подложках. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489768
Дата охранного документа: 10.08.2013
27.10.2013
№216.012.7b03

Устройство для измерения турбулентных пульсаций скорости потока жидкости

Устройство относится к электроизмерениям и может быть использовано для исследования турбулентности в потоке слабо электропроводящей жидкости, например морской или пресной воды. Устройство содержит диэлектрический корпус обтекаемой формы с установленными на нем измерительными электродами,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497153
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.11.2013
№216.012.837f

Мультибарьерная гетероструктура для генерации мощного электромагнитного излучения суб- и терагерцового диапазонов

Изобретение относится к приборным структурам для генерации мощного электромагнитного излучения суб- и терагерцового диапазонов, которые применяются в компактных и мощных импульсных генераторах, детекторах и смесителях субтерагерцового и терагерцового диапазона частот. Изобретение обеспечивает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002499339
Дата охранного документа: 20.11.2013
10.01.2014
№216.012.95ae

Автоматизированная система реконструкции 3d распределения нейронов по серии изображений срезов головного мозга

Изобретение направлено на построение 3D модели при использовании минимального количества изображений гистологических срезов (слоев) с использованием средств приведения изображений к виду, удобному для распознавания специфических нейронов и последующей реконструкции их трехмерных распределений....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504012
Дата охранного документа: 10.01.2014
20.01.2014
№216.012.9892

Способ исследования теплофизических свойств жидкостей и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области тепловых исследований свойств жидкостей и может быть использовано для исследования динамических процессов термостимулированной структурной перестройки жидкостей. Заявлен способ исследования теплофизических свойств жидкостей, при котором в металлической кювете с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504757
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.98bd

Способ формирования радиопортрета объекта методом параллельной обработки с частотным разделением

Изобретение относится к области радиовидения и может быть применено: для обнаружения предметов в миллиметровом диапазоне волн под одеждой человека, в таможенном контроле грузов, в радиоастрономии для картографирования области неба и протяженных небесных объектов, в дистанционном зондировании...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504800
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.02.2014
№216.012.9e44

Способ получения металл-полимерного композитного материала для радиотехнической аппаратуры

Изобретение относится к получению металл-полимерных композиционных материалов, предназначенных для применения в радиотехнической аппаратуре в качестве радиопоглощающих и экранирующих материалов. Способ включает высокоскоростное термическое разложение металлсодержащих соединений с образованием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506224
Дата охранного документа: 10.02.2014
20.02.2014
№216.012.a3ea

Частотно-избирательное устройство для обработки сигналов на поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к радиотехнике и акустоэлектронике и может быть использовано в устройствах измерительной техники и в радиосвязи. Достигаемый технический результат - повышение разрешающей способности частотно-избирательного устройства для обработки сигналов на ПАВ в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507677
Дата охранного документа: 20.02.2014
Показаны записи 1-10 из 10.
10.08.2016
№216.015.54c6

Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами

Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593647
Дата охранного документа: 10.08.2016
19.01.2018
№218.016.0c20

Способ изготовления устройств со свободно висящими микромостиками

Изобретение относится к области тонкопленочной сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению высокочувствительных болометров, электронных охладителей, одноэлектронных транзисторов, содержащих свободно висящий микромостик нормального металла и сверхпроводниковые переходы типа...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632630
Дата охранного документа: 06.10.2017
19.04.2019
№219.017.2b89

Широкополосный детектор терагерцевого излучения (варианты)

Изобретение относится к области тонкопленочной СВЧ микроэлектроники и антенной техники, в том числе массивам антенн и метаматериалам. Широкополосный детектор терагерцевого излучения состоит из распределенного абсорбера в виде матрицы антенн в конфигурации метаматериала, микроболометров,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002684897
Дата охранного документа: 16.04.2019
19.04.2019
№219.017.33d3

Низкотемпературный перестраиваемый источник излучения черного тела

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, и охлаждаемым приемникам ИК-излучения. Низкотемпературный перестраиваемый источник излучения черного тела содержит излучатель черного тела,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002469280
Дата охранного документа: 10.12.2012
09.06.2019
№219.017.7f47

Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами

Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов, структур типа сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС), структур сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), болометров на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002442246
Дата охранного документа: 10.02.2012
29.06.2019
№219.017.9d03

Сверхпроводниковый быстродействующий ключ

Изобретение относится к области высокочастотной техники, в частности к устройствам для коммутации сигналов сантиметрового, миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Техническим результатом изобретения является: повышение рабочей частоты сигнала модулятора до единиц гигагерц, увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002381597
Дата охранного документа: 10.02.2010
12.04.2023
№223.018.466a

Способ изготовления устройств с тонкопленочными туннельными переходами

Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами включает нанесение двух слоев резиста разной чувствительности, экспозицию в электронном литографе, проявление этих слоев резиста, напыление первого слоя нормального металла или сверхпроводника под углом к подложке,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002733330
Дата охранного документа: 01.10.2020
21.04.2023
№223.018.4f81

Джозефсоновский параметрический усилитель бегущей волны на основе би-сквидов

Изобретение относится к параметрическому усилителю бегущей волны. Технический результат - расширение свободного от паразитных составляющих динамического диапазона. Для этого параметрический усилитель бегущей волны содержит размещенные на подложке копланарный волновод и связанные с ним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002792981
Дата охранного документа: 28.03.2023
16.05.2023
№223.018.6066

Металл-диэлектрик-металл-диэлектрик-металл фотодетектор

Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор, содержащий металлический проводник...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002749575
Дата охранного документа: 15.06.2021
29.05.2023
№223.018.7282

Перестраиваемый генератор шумового сигнала

Изобретение относится к области радиотехники и измерительной техники, а именно к приборам, предназначенным для измерения слабых сигналов и может быть использовано для калибровки чувствительности криогенных усилителей и детекторов гигагерцового диапазона. Техническим результатом изобретения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002796347
Дата охранного документа: 22.05.2023
+ добавить свой РИД