×
10.04.2019
219.017.088b

Результат интеллектуальной деятельности: НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Предложенное изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой газопоглощающий материал в виде нанокомпозитной газопоглощающей структуры для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе и в микроэлектромеханических системах. Нанокомпозитная газопоглощающая структура представляет собой пористый кремний с порами нанометрового диапазона, которые заполнены газопоглощающим слоем из активного металла или его сплава. Полученная таким образом структура обладает высоким значением эффективной поверхности с высоким значением сорбционной емкости за счет использования пористого кремния с порами нанометрового диапазона и активных металлов и их сплавов с открытой пористостью, размещенных в матрице кремния, что является техническим результатом изобретения. Кроме того, полученная структура исключает образование и осыпание микрочастиц и может быть легко встроена внутрь миниатюрных объемов. 2 ил.

Изобретение может быть применено при производстве устройств, для функционирования которых требуется создание и поддержание вакуума или контролируемой газовой среды внутри рабочего объема. Изобретение может быть использовано в различных научных и технологических приложениях, например в лампах разрядного напряжения, генерирующих рентгеновских трубках, автоэмиссионных диодах, ускорителях частиц, полупроводниковых приборах, микроэлектромеханических системах.

Нанокомпозитная газопоглощающая структура обладает высокоразвитой поверхностью, что характеризует, во-первых, ее высокую сорбционную способность и, во-вторых, характеризует эффективность применения в миниатюрных устройствах с ограниченным рабочим объемом, например микроэлектромеханических системах.

Известна газопоглощающая пористая структура (патент США №7122100), изготавливаемая прессованием порошков активных металлов с органическими компонентами или без них, органические компоненты удаляются при последующей термической обработке, электрофорезе или трафаретной печати. Газопоглощающий материал изготавливается из активных металлов и их сплавов, затем в виде порошков с размерами частиц в диапазоне 20-100 мкм подвергается термическому спеканию в инертной атмосфере или в вакууме при температуре 800-1200°С, обеспечивая пористость и механическую прочность структуры. Проблема осыпания микрочастиц решается нанесением несплошной металлической пленки на поверхность газопоглотителя.

Недостатками газопоглощающей структуры являются: высокие температуры технологического процесса спекания порошков; сложность монтажа в миниатюрные изделия, например микроэлектромеханические системы; эффективная поверхность структуры ограничена из-за относительно больших размеров частиц - 20-100 мкм, а использование порошков с меньшим диаметром частиц проблематично.

Наиболее близкой по технической сути является газопоглощающая структура по патенту США №7745014, принятая нами за прототип. Газопоглощающая структура состоит из двух слоев: нижнего, пористого слоя, обеспечивающего высокую сорбционную емкость, и верхнего слоя, обеспечивающего низкую температуру активации. Пористость структуры определяется особенностями реализации процесса катодного распыления: подложка, на которую ведется распыление, охлаждается, это затрудняет миграцию осажденных атомов и, соответственно, их упорядочение в виде регулярной структуры. В результате получается иррегулярная гранулированная пленочная структура. Толщина структуры находится в интервале 1-10 мкм, при этом должна быть обеспечена требуемая сорбционная емкость. Описываемые структуры обладают достаточно высоким значением эффективной поверхности, отношение эффективной поверхности к геометрической составляет не менее 20.

Недостатком газопоглощающей структуры является ограничение по толщине, проблематично получение структур с толщиной более 50 мкм, ограничивающим фактором является, в основном, длительное время формирования структуры с использованием процесса катодного распыления. Другой недостаток способа - отсутствие открытой пористости материала, что затрудняет диффузию газа в материал, особенно с возрастанием толщины газопоглощающей структуры.

Задача изобретения - предложение нанокомпозитной газопоглощающей структуры с повышенным значением эффективной поверхности и сорбционной емкости, в которой также отсутствует осыпание микрочастиц.

Нанокомпозитная газопоглощающая структура представлена на фиг.1, где: 1 - пористый кремний, 2 - слой активного металла.

Может быть также реализована двусторонняя газопоглощающая структура, представленная на фиг.2, где: 1 - пористый кремний, 2 - слой активного металла.

Изобретение позволяет создавать нанокомпозитные газопоглощающие структуры с высоким значением эффективной поверхности и с большей толщиной по сравнению с прототипом. Высокое значение эффективной поверхности достигается за счет использования пористого кремния с порами нанометрового диапазона в качестве матрицы для нанесения активных металлов и их сплавов. Эффективная поверхность структуры с порами нанометрового диапазона составляет до 1000 м2/см3. Кроме того, использование кремния при изготовлении газопоглощающей структуры позволяет создавать газопоглотитель большей толщины по сравнению с прототипом, от 300 мкм и более. Толщина газопоглощающей структуры в прототипе имеет значение не более 50 мкм, что ограничивается возможностями процесса катодного распыления, получение структур с толщиной более 50 мкм технологически затруднительно из-за большого времени проведения процесса. Также при толщине структур более 50 мкм в прототипе будет затруднена диффузия газов вглубь газопоглощающего материала, так как структура прототипа не имеет истинной пористости, а представляет собой гранулированную пленку, в связи с этим диффузия газов происходит, вероятнее всего, по границам зерен иррегулярной структуры. В отличие от прототипа, предлагаемая нами нанокомпозитная газопоглощающая структура имеет открытую пористость и сохраняет ее по всей глубине пор, при этом глубина определяется толщиной используемой кремниевой подложки и может достигать нескольких сотен микрометров (фиг.1, фиг.2).

Изобретение также имеет ряд преимуществ и по сравнению с газопоглощающими структурами, изготавливаемыми методами порошковой металлургии. Во-первых, при изготовлении газопоглощающих структур спеканием используются порошки с диаметром частиц 20-100 мкм, в результате чего прессованная газопоглощающая структура обладает гораздо меньшей пористостью, чем предлагаемая нами нанокомпозитная газопоглощающая структура. Применяемый нами способ наноструктурирования обеспечивает получение регулярной пористой структуры с диаметром пор до 10 нм. Во-вторых, при изготовлении газопоглощающих структур методами спекания используются высокие температуры, от 800 до 1200°С. Максимальная же температура, используемая при изготовлении предлагаемой нами нанокомпозитной газопоглощающей структуры, составляет 200°С. В-третьих, затруднительно использование газопоглощающих структур, изготавливаемых методами порошковой металлургии, в миниатюрных изделиях, например, микроэлектромеханических системах: проблематичен монтаж таких структур внутрь миниатюрного объема из-за относительно больших размеров; сложность обработки подобных структур технологиями микросистемной техники; осыпание микрочастиц прессованных газопоглощающих структур приводит к нарушениям функционирования микроэлектромеханических систем. Для решения проблемы осыпания частиц в приводимом аналоге (патент США №7122100) используется напыление несплошной металлической пленки, которая предотвращает осыпание. Однако подобное техническое решение не снимает полностью проблему осыпания, так как защитный слой может нарушаться при механообработке структуры, например, перед ее монтажом в корпус. Предлагаемое нами изобретение полностью лишено описанных недостатков: технология получения нанокомпозитной газопоглощающей структуры исключает образование и осыпание микрочастиц; нанокомпозитная газопоглощающая структура на основе пористого кремния может быть легко встраиваема внутрь миниатюрных объемов, так как могут применяться отработанные в микросистемной технике технологии сборки; получение требуемых конфигураций нанокомпозитной газопоглощающей структуры может осуществляться стандартными технологиями микрообработки кремния.

Рассмотрим особенности создания нанокомпозитной газопоглощающей структуры. Для получения пористого кремния применяется технология электрохимического анодирования, которая обеспечивает получение пористой структуры с диаметром пор в диапазоне от 10 нм до нескольких мкм, глубина пор, при этом, не лимитируется и может соответствовать толщине используемой кремниевой подложки. Диаметр пор и их глубина определяют пористость структуры. Осаждение активных металлов на стенки пор кремния производится электрохимическим способом, который обеспечивает нанесение слоя металлов равномерно по всей поверхности пор с сохранением открытой пористости структуры.

Толщина слоя активных металлов в газопоглощающей структуре варьируется в широком диапазоне и определяется размером пор и требованием сохранения открытой пористости. Для получения кремниевой матрицы могут быть использованы монокристаллические кремниевые пластины толщиной 300-500 мкм, применяемые в микроэлектронной и микросистемной технологии, а также кремниевые слои, формируемые, например, осаждением кремния из газовой фазы.

Для реализации практической реализации изобретения используются следующие технологические процессы. Для электрохимического травления применяется вертикальный вариант фторопластовой ячейки с кремниевым анодом и платиновым катодом, конструктивно выполненным в виде сетки. Используется подложка монокристаллического кремния размером р-типа ориентации (100) с удельным сопротивлением 10 Ом·см. Состав раствора электролита включает HF, C2H5OH и H2O. Перед электрохимическим травлением подложка кремния выдерживается в водном растворе HF для снятия естественного поверхностного окисла, после чего промывается в деионизованной воде и устанавливается в электрохимическую ячейку. Через ячейку пропускают ток, величина которого в процессе анодирования поддерживается постоянной в пределах 0,5%. Травление ведется при отсутствии внешнего освещения. После электрохимического травления электролит сливается, а кремниевая структура промывается деионизованной водой. Затем ячейка заполняется электролитом для электрохимического осаждения газопоглощающих слоев.

Формирование газопоглощающих слоев может быть реализовано электролитическим осаждением титана. Осаждение ведется из водного раствора оксалата титана (TiC2O4) при комнатной температуре и плотности тока 30-50 мА. После осаждения слоя металла структура промывается этиловым спиртом, затем высушивается в вакуумной камере при температуре 200°С в течение 20 мин. Толщина осажденных пленок варьируется в широком диапазоне и определяется, во-первых, размером пор, в которые ведется осаждение и, во-вторых, требованием сохранения открытой пористости структуры.

Таким образом, реализация изобретения обеспечивает эффективную поверхность нанокомпозитной газопоглощающей структуры до 1000 м2/см3. Газопоглощающая структура может быть реализована практически без ограничений по толщине, толщина структуры ограничивается только толщиной используемой кремниевой подложки - это дает эффект увеличения сорбционной емкости по сравнению с прототипом. Также преимуществом по сравнению с прототипом является то, что реализуемая структура обладает открытой пористостью.

Источники информации

1. Патент США №7122100.

2. Патент США №7745014 - прототип.

Нанокомпозитная газопоглощающая структура, включающая пористую структуру, газопоглощающий слой, отличающаяся тем, что пористая структура представляет собой пористый кремний с порами нанометрового диапазона, который служит матрицей для газопоглощающего слоя из активных металлов и их сплавов, с открытой пористостью.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-14 из 14.
27.06.2014
№216.012.d606

Способ изготовления гибкой микропечатной платы

Изобретение относится к области приборостроения и радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении гибких микропечатных плат, применяемых при изготовлении вторичных преобразователей микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления и других изделий....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520568
Дата охранного документа: 27.06.2014
10.01.2015
№216.013.1b50

Устройство контроля герметичности микроструктур

Изобретение относится к технике контроля герметичности микроэлектромеханических и микроэлектронных устройств, для функционирования которых требуется герметичный корпус с внутренней полостью. Сущность: устройство включает камеру экспозиции микроструктур в пробном газе, спектрометр, работающий в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538420
Дата охранного документа: 10.01.2015
10.04.2019
№219.017.074b

Способ изготовления ячейки фотоприемного устройства

Изобретение относится к области электроники и измерительной техники. Сущность изобретения: способ изготовления ячейки фотоприемного устройства включает процессы формирования трех вертикально-интегрированных слоев чередующихся n- и р-типов проводимости на полупроводниковой подложке р-типа,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002456708
Дата охранного документа: 20.07.2012
10.04.2019
№219.017.077a

Сверхпроводниковый пленочный трансформатор магнитного потока

Изобретение относится к области криоэлектроники, в частности к области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: в сверхпроводниковом пленочном трансформаторе магнитного потока, содержащем диэлектрическую подложку, сверхпроводниковое...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002455732
Дата охранного документа: 10.07.2012
Показаны записи 21-30 из 30.
25.08.2017
№217.015.b6d8

Варикап и способ его изготовления

Изобретение относится к области микроэлектроники и микросистемной техники и представляет собой конденсатор с емкостью, управляемой напряжением, т.е. варикап. Варикап представляет собой гетероструктуру «металл-пористый кремний», где поры пористого кремния заполнены металлом с помощью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614663
Дата охранного документа: 28.03.2017
25.08.2017
№217.015.c4e4

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618279
Дата охранного документа: 03.05.2017
29.12.2017
№217.015.f120

Электронная система компенсационного акселерометра

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для построения электронной системы преобразователя линейных ускорений. Электронная система компенсационного акселерометра содержит дифференциальный емкостный преобразователь, двухфазный генератор переменного тока,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638919
Дата охранного документа: 18.12.2017
29.12.2017
№217.015.fecb

Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти

Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации. Осуществляют нанесение слоя халькогенидного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631071
Дата охранного документа: 18.09.2017
20.01.2018
№218.016.1bdd

Способ изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений

Настоящее изобретение относится к приборостроению, а именно к технологии производства пластичных электронных устройств и межсоединений, которые обладают способностью компенсировать большие деформации (растяжение и сжатие), сохраняя при этом функциональное состояние, и способу получения таких...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636575
Дата охранного документа: 24.11.2017
04.04.2018
№218.016.34c6

Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646070
Дата охранного документа: 01.03.2018
29.05.2018
№218.016.5692

Способ повышения плотности тока и деградационной стойкости автоэмиссионных катодов на кремниевых пластинах

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654522
Дата охранного документа: 21.05.2018
22.06.2019
№219.017.8e8c

Твердотельный датчик линейных ускорений

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться в микромеханических датчиках линейных ускорений. Устройство содержит основание, инерционную массу, упругие элементы. Сформированы две группы раздельных электрически неподвижных емкостных гребенчатых преобразователей. Гребенки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692122
Дата охранного документа: 21.06.2019
29.06.2019
№219.017.9c3f

Способ определения нелинейности выходной характеристики акселерометра

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения нелинейности выходной характеристики акселерометров. Способ заключается в установке эталонного акселерометра на вибростенде вместе с тестируемым и измерении разности выходных сигналов акселерометров, которая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002398242
Дата охранного документа: 27.08.2010
29.06.2019
№219.017.a06c

Микромеханический гироскоп

Изобретение относится к инерциальным приборам и может быть использовано в системах управления подвижных объектов различного назначения, а также индикаторах движения объектов. Микромеханический гироскоп содержит внутреннюю и наружную рамки и две пары взаимно перпендикулярных крестообразных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002400708
Дата охранного документа: 27.09.2010
+ добавить свой РИД